集成电路工艺与器件模拟实验报告

xiaoxiao 3月前 2

集成电路工艺与器件模拟实验报告 
 
姓    名  专    业 13电科产业班 学号  时间 2015年10月8日 实验名称 Creating a M-S Junction Using  (一)实验内容 
   1制作尺寸为:12umX5um的肖特基二极管    2要求结构为:p(1e19)n(5e16)n (1e20) (二)实验目的和要求 
      金属半导体接触基于两种模型:肖特基势垒和欧姆接触。肖特基势垒指具有大的势垒高度以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触。通过软件的使用,使学生掌握和了解到有关于肖特基二极管的相关知识,为以后的运用打下坚实基础。 
      实验要求学生自主完成,可与同学交流讨论,自查错误,加深对实验的理解。 (三)实验过程及结果分析 
1定义网格        2定义区域     3定义电极 
4行成N型Si      5形成P型Si保护环  6形成N 背面场 7保存
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