本申请属于半导体领域，具体涉及一种半导体芯片、检测半导体芯片被开盖的方法及电子设备。
背景技术：
1、随着芯片的发展，对芯片中的关键数据保护就显得日益重要，当芯片被非法开盖被侵入式攻击时，若无法及时销毁关键数据与复位，会导致数据泄露。为了能够及时销毁关键数据与复位，需要及时准确检测芯片的封装壳是否被打开。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体芯片、检测半导体芯片被开盖的方法及电子设备，以及时准确检测芯片的封装壳是否被打开。
2、本申请的实施例是这样实现的：
3、第一方面，本申请实施例提供了一种半导体芯片，包括：封装壳、基板；所述基板上设置有裸片和铜箔电容，所述铜箔电容位于所述基板的粘连胶所在的位置，所述铜箔电容的两电极与所述裸片连接，所述封装壳与所述基板通过所述粘连胶粘接，其中，所述裸片为未封装的芯片；所述裸片被配置为：对所述铜箔电容的容值进行测量，并基于测量容值与标准容值判断所述半导体芯片的封装壳是否被打开。
4、在上述实施例中，通过在基板表面上的粘连胶所在的位置处放置铜箔电容，用于检测封装壳是否被打开。当封装壳与基板分离(被打开)，封装壳与基板之间的粘连胶将被不可逆破坏，等效于基板上的铜箔电容的电容介质发生了改变，随之导致铜箔电容的容值变化，并无法还原到原来的容值。因此，通过对铜箔电容的容值进行测量，并基于测量容值与标准容值便可及时准确判断半导体芯片的封装壳是否被打开。
5、结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述铜箔电容的数量为多个，所述标准容值包括标准电容均值和标准电容均方差值；所述裸片被配置为：对每个所述铜箔电容的容值进行测量，并基于所述测量容值确定出电容均值和均方差值，以及基于所述电容均值、所述标准电容均值、所述均方差值以及所述标准电容均方差值判断所述半导体芯片的封装壳是否被打开。
6、在上述实施例中，通过对每个铜箔电容的容值进行测量，基于测量得到的每个铜箔电容的测量容值确定出电容均值和均方差值，并以此来判断半导体芯片的封装壳是否被打开，由于同时考虑了电容均值和均方差值，可以提高判断的准确性，同时，通过求取电容均值和/或电容均方差也可以减少粘连胶老化而导致铜箔电容的容值变化的影响。
7、结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述粘连胶围绕所述基板的边缘一周设置，多个所述铜箔电容围绕所述基板的边缘间隔分布；其中，每个所述铜箔电容为单一电容，或者，为多个电容串联和/或关联的组合电容。
8、在上述实施例中，将多个铜箔电容围绕基板的边缘间隔分布，后续通过求取电容均值和/或电容均方差，可以减少不同位置处的容值变化影响，有利于提高判断准确性，减少误判。同时，每个铜箔电容可以为单一电容或者为组合电容，提高了适应性。
9、结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述裸片包括：电容测量单元、存储单元、判断单元；电容测量单元，与每个所述铜箔电容的两电极连接；判断单元，与所述电容测量单元和所述存储单元连接，所述判断单元被配置为：从所述存储单元中读取所述标准容值，并基于所述测量容值与所述标准容值判断所述半导体芯片的封装壳是否被打开。
10、在上述实施例中，通过设置电容测量单元来对每个铜箔电容的容值进行测量，通过设置存储来存储标准容值，通过设置判断单元来基于测量容值与标准容值判断半导体芯片的封装壳是否被打开，从而可以在实现发明目的的同时，简化电路设计难度，可以进一步增加实用性。
11、结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述存储单元中存储的标准容值为加密的标准容值；所述判断单元还被配置为：对读取的所述标准容值进行解密；以及在所述半导体芯片首次上电的情况下，对所述铜箔电容的容值进行测量，并根据测量得到的容值确定所述标准容值，并将所述标准容值加密后存储到所述存储单元。
12、在上述实施例中，通过对标准容值进行加密，以提高数据的安全性，同时，在半导体芯片首次上电的情况下，对铜箔电容的容值进行测量，并根据测量得到的容值确定标准容值，以便于后续在判断半导体芯片的封装壳是否被打开时，获取该标准容值即可。
13、结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述判断单元还被配置为：在所述半导体芯片的使用时长达到指定时长的情况下，对所述铜箔电容的容值再次进行测量，并根据测量得到的新容值确定所述标准容值，并将所述标准容值加密后存储到所述存储单元。
14、在上述实施例中，当半导体芯片的使用时长达到指定时长的情况下，对标准容值进行更新，实现标准容值会随着粘连胶的使用时长变化而更新，这样可以减少因为粘连胶老化或减少而导致的误判。
15、结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述粘连胶为抗老化胶，和/或，所述粘连胶采用胶老化导致胶介电常数变化率小于标准阈值的胶。
16、在上述实施例中，采用抗老化胶或者采用胶老化导致胶介电常数变化率小于标准阈值的胶，这样可以减少粘连胶的老化影响。
17、第二方面，本申请实施例还提供了一种电子设备，包括如上述第一方面实施例和/或结合第一方面实施例的任一种可能的实施方式提供的半导体芯片。
18、第三方面，本申请实施例还提供了一种检测半导体芯片被开盖的方法，包括：在所述半导体芯片上电的情况下，测量所述半导体芯片中的铜箔电容的容值，得到测量容值；基于所述测量容值与标准容值，判断所述半导体芯片的封装壳是否被打开；其中，所述半导体芯片中基板的粘连胶所在位置处设置有所述铜箔电容，且所述铜箔电容的两电极与所述半导体芯片中的裸片连接，所述导体芯片中的封装壳与所述基板通过所述粘连胶粘接。
19、结合第三方面实施例的一种可能的实施方式，所述铜箔电容的数量为多个，所述标准容值包括标准电容均值和标准电容均方差值；基于所述测量容值与标准容值，判断所述半导体芯片的封装壳是否被打开，包括：根据所述测量容值确定出电容均值和均方差值；基于所述电容均值、所述标准电容均值、所述均方差值以及所述标准电容均方差值，判断所述半导体芯片的封装壳是否被打开；其中，若所述电容均值与所述标准电容均值的差值，以及所述均方差值与所述标准电容均方差值的差值均在标准范围内，确定所述半导体芯片的封装壳未被打开。
20、上述第二方面～第三方面实施例的有益效果部分，请参阅上述第一方面实施例和/或结合第一方面实施例中的任一种可能的实施方式部分的有益效果描述。
21、本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述铜箔电容的数量为多个，所述标准容值包括标准电容均值和标准电容均方差值；
3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，所述粘连胶围绕所述基板的边缘一周设置，多个所述铜箔电容围绕所述基板的边缘间隔分布；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体芯片，其特征在于，所述裸片包括：
5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其特征在于，所述存储单元中存储的标准容值为加密的标准容值；所述判断单元还被配置为：
6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，所述判断单元还被配置为：在所述半导体芯片的使用时长达到指定时长的情况下，对所述铜箔电容的容值再次进行测量，并根据测量得到的新容值确定所述标准容值，并将所述标准容值加密后存储到所述存储单元。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述粘连胶为抗老化胶，和/或，所述粘连胶采用胶老化导致胶介电常数变化率小于标准阈值的胶。
8.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的半导体芯片。
9.一种检测半导体芯片被开盖的方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述铜箔电容的数量为多个，所述标准容值包括标准电容均值和标准电容均方差值；基于所述测量容值与标准容值，判断所述半导体芯片的封装壳是否被打开，包括：
