各种实施方式总体上涉及一种电子装置，并且更具体地，涉及一种半导体装置及制造该半导体装置的方法。
背景技术：
1、非易失性存储器装置在没有供应的电力的情况下保持所存储的数据。其中存储器单元以单层形成在基板上方的二维非易失性存储器装置的集成密度的增加近来已经受到限制。因此，已经提出了其中存储器单元在垂直方向上层叠在基板上方的三维非易失性存储器装置。
2、三维非易失性存储器装置可以包括彼此交替层叠的层间绝缘层和栅电极，并且沟道层穿过其中，并且存储器单元可以沿着沟道层层叠。已经开发出各种结构和制造方法以提高三维非易失性存储器装置的操作可靠性。
技术实现思路
1、根据实施方式，半导体装置可以包括：源极结构，其形成在基底上；蚀刻防止层，其形成在源极结构上；位线；层叠结构，其位于蚀刻防止层和位线之间并包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；以及沟道结构，其穿过层叠结构和蚀刻防止层，其中，沟道结构的下部位于源极结构中，并且沟道结构的下部的侧壁与源极结构直接接触。
2、根据实施方式，一种制造半导体装置的方法可以包括：在基底上方顺序地层叠并形成第一源极层、牺牲层和蚀刻防止层；在蚀刻防止层上形成包括彼此交替层叠的第一材料层和第二材料层的层叠结构；形成穿过层叠结构、蚀刻防止层和牺牲层并延伸到第一源极层中的沟道结构；形成穿过层叠结构和蚀刻防止层并暴露出牺牲层的狭缝；以及通过去除通过狭缝暴露出的牺牲层并用导电材料填充从中去除了牺牲层的空间，来形成直接联接至沟道结构的第二源极层。
3、根据实施方式，一种制造半导体装置的方法可以包括：顺序地层叠并形成牺牲层和蚀刻防止层；在蚀刻防止层上方形成包括彼此交替层叠的第一材料层和第二材料层的层叠结构；形成穿过层叠结构、蚀刻防止层和牺牲层的沟道孔；在沟道孔中形成包括沟道层和围绕沟道层的存储器层的沟道结构；形成穿过层叠结构和蚀刻防止层以暴露出牺牲层的狭缝；去除通过狭缝暴露出的牺牲层，以暴露出沟道结构的下部中的存储器层的一部分；去除存储器层的暴露部分以暴露出沟道层；以及通过用导电材料填充从中去除了牺牲层的空间，来形成直接联接至沟道层的第二源极层。
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述蚀刻防止层包括碳氮化硅sicn。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述蚀刻防止层被插置于所述第二源极层与所述层叠结构之间的界面中。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述沟道层的所述下部的一部分被暴露，并且所述沟道层的暴露部分与所述第二源极层直接接触。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述沟道层的所述下部延伸到所述第一源极层中，并且所述第一源极层与所述存储器层接触。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极结构包括多晶硅层，所述多晶硅层包括n型掺杂剂和p型掺杂剂中的一种。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝包括间隔件，所述间隔件与所述层叠结构的侧壁和所述蚀刻防止层的侧壁接触。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝被填充有绝缘图案或导电图案。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述导电图案包括多晶硅层或金属。
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述导电图案包括单层或多层的膜。
13.一种半导体装置，该半导体装置包括：
