本申请涉及半导体的技术领域，具体而言，涉及一种半导体波导耦合结构和半导体器件。
背景技术：
半导体器件(semiconductordevice)是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
其中，单模器件要实现稳定的基横模工作，导电脊形波导必须足够窄，而窄的导电脊形波导条宽又极大的限制了输出功率，导电脊形波导的宽度和单模输出功率之间是巨大的矛盾，解决这个矛盾是提高单模器件输出功率的关键。
技术实现要素：
本申请的目的是提供一种半导体波导耦合结构和半导体器件，其能够改善半导体波导耦合结构，提高输出功率。
为了实现上述目的，
第一方面，本实用新型提供一种半导体波导耦合结构，包括：功率本体和脊形成层，所述脊形成层设置在所述功率本体的上表面，所述脊形成层包括层本体以及设于所述层本体上的至少一个导电脊形波导和至少一个单模脊形波导；其中，一个所述导电脊形波导至少与一个所述单模脊形波导成相邻间隔设置，所述单模脊形波导的宽度小于所述导电脊形波导的宽度。
于一实施例中，所述半导体波导耦合结构还包括：第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、电绝缘层和金属电极层，所述第一欧姆接触层设于所述导电脊形波导的上表面；所述第二欧姆接触层设于所述单模脊形波导的上表面；所述电绝缘层设于所述脊形成层的上表面和所述第二欧姆接触层的上表面；所述金属电极层设于所述电绝缘层的上表面和所述第一欧姆接触层的上表面。
于一实施例中，所述导电脊形波导和所述单模脊形波导各设有一个。
于一实施例中，所述单模脊形波导设有多个，且任一所述导电脊形波导的两侧各设有一个所述单模脊形波导。
于一实施例中，所述单模脊形波导和所述导电脊形波导均为等宽的条状结构；所述单模脊形波导的宽度为0.5～8μm；所述导电脊形波导的宽度为2～25μm。
于一实施例中，所述单模脊形波导和所述导电脊形波导均为等宽的条状结构；所述单模脊形波导的宽度为1～8μm；所述导电脊形波导的宽度为5～25μm。
于一实施例中，所述单模脊形波导和所述导电脊形波导均为变宽的条状结构；所述单模脊形波导的宽度为0.5～20μm；所述导电脊形波导的宽度为2～25μm。
于一实施例中，所述单模脊形波导和所述导电脊形波导均为变宽的条状结构；所述单模脊形波导的宽度为1.5～20μm；所述导电脊形波导的宽度为5～25μm。
于一实施例中，所述单模脊形波导的长度小于或者等于所述导电脊形波导的长度。
于一实施例中，相邻的所述单模脊形波导和所述导电脊形波导之间的间隔为0.1～10μm。
于一实施例中，相邻的所述单模脊形波导和所述导电脊形波导之间的间隔为1～10μm。
于一实施例中，所述功率本体包括：衬底、下限制层、量子阱和上限制层，所述下限制层设置在所述衬底上；所述量子阱设置在所述下限制层上；所述上限制层设置在所述量子阱上；所述脊形成层设置在所述上限制层上。
于一实施例中，所述功率本体的两侧分别设有高反膜和低反膜。第二方面，本实用新型提供一种半导体器件，包括：多个如前述实施方式任一项所述的半导体波导耦合结构，多个所述的半导体波导耦合结构成线性阵列式分布。
本申请与现有技术相比的有益效果是：
本申请通过在导电脊形波导的旁边引入更窄的单模脊波导，其中，单模脊波导无电流注入，且单模脊形波导的宽度小于导电脊形波导的宽度，使得导电脊形波导的高阶模式可以耦合到单模脊波导中，从而增加导电脊形波导高阶模式的损耗，提高高阶模式激射阈值，使得导电脊形波导的单模激射更加具有稳定性，提高半导体器件的输出功率。
再者，由于本申请在导电脊形波导的旁边引入了更窄的单模脊波导，本申请相对于不设置单模脊波导的半导体器件，导电脊形波导的宽度可以进一步提高，从而提高半导体器件的输出功率，并且降低端面的功率密度，提高comd(灾变性光学镜面损伤，catastrophicopticalmirrordegradation)电流阈值。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请一实施例示出的半导体器件的结构示意图。
图2为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构的横截面示意图。
图3为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构的横截面示意图。
图4为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构的横截面示意图。
图5为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构的俯视图。
图6为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构的俯视图。
图7为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构的俯视图。
图8为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构的俯视图。
图9为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构的俯视图。
图10为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构的俯视图。
图11为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构的俯视图。
图12为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构的俯视图。
图标：9-半导体器件；91-半导体波导耦合结构；100-功率本体；110-衬底；120-下限制层；130-量子阱；140-上限制层；200-脊形成层；210-层本体；220-导电脊形波导；221-第一导电段；222-第二导电段；223-第三导电段；224-第四导电段；225-第五导电段；230-单模脊形波导；231-第一单模段；232-第二单模段；233-第三单模段；234-第四单模段；235-第五单模段；310-第一欧姆接触层；320-第二欧姆接触层；400-电绝缘层；500-金属电极层；610-高反膜；620-低反膜。
具体实施方式
术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，并不表示排列序号，也不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”、“左”、“右”、“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。
下面将结合附图对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述。
请参照图1，其为本申请一实施例示出的半导体器件9的结构示意图。一种半导体器件9，包括：多个如前述实施方式任一项半导体波导耦合结构91，多个半导体波导耦合结构91成线性阵列式分布，各个半导体波导耦合结构91之间电性连接。半导体器件9可以作为功率器件用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。半导体波导耦合结构91的材料体系包括但不限于inp、gaas、gan和gasb等。
请参照图2，其为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构91的横截面示意图。本实用新型提供一种半导体波导耦合结构91，包括：功率本体100、脊形成层200、第一欧姆接触层310、第二欧姆接触层320、电绝缘层400和金属电极层500。其中，功率本体100包括由下至上依次叠层设置的衬底110、下限制层120、量子阱130和上限制层140，下限制层120设置在衬底110上；量子阱130设置在下限制层120上；上限制层140设置在量子阱130上；脊形成层200设置在上限制层140上。
脊形成层200设置在功率本体100的上表面，脊形成层200包括层本体210以及设于层本体210上的至少一个导电脊形波导220和至少一个单模脊形波导230；第一欧姆接触层310设于导电脊形波导220的上表面；第二欧姆接触层320设于单模脊形波导230的上表面；电绝缘层400设于脊形成层200的上表面和第二欧姆接触层320的上表面；金属电极层500设于电绝缘层400的上表面和第一欧姆接触层310的上表面；其中，一个导电脊形波导220至少与一个单模脊形波导230成相邻间隔设置，单模脊形波导230的宽度小于导电脊形波导220的宽度。
于一其他的实施例中，第二欧姆接触层320可以不存在，可以被刻蚀掉。
本实施例中，通过干法刻蚀(dryetch)或者湿法腐蚀(wetetch)脊形成层200，形成导电脊形波导220和单模脊形波导230，脊形成层200可以是p型掺杂。其中，为了保证可靠性，导电脊形波导220和单模脊形波导230不刻蚀到量子阱130，保留在量子阱130上方的层本体210结构。于一其他的实施例中，导电脊形波导220和单模脊形波导230也可以刻蚀到上限制层140。
本实施例可以通过pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等离子体增强化学的气相沉积法)、pvd(physicalvapordeposition，物理气相沉积)或者ald(atomiclayerdeposition，原子层沉积)等方式在器件表面及沟槽中沉积电绝缘层400，电绝缘层400的材料包括但不限于sinx、sio2及tio2等。导电脊形波导220上方的电绝缘层400被刻蚀掉，因此导电脊形波导220上方的第一欧姆接触层310与金属电极层500会接触，从而形成电流注入，导电脊形波导220可以形成电流注入。而单模脊形波导230上面则覆盖有电绝缘层400，无法形成电流注入，因此该脊波导无电流注入，对导电脊形波导220的高阶模式会产生耦合及吸收。
故本实施例通过在导电脊形波导220的旁边引入更窄的单模脊波导，其中，单模脊波导无电流注入，且单模脊形波导230的宽度小于导电脊形波导220的宽度，使得导电脊形波导220的高阶模式可以耦合到单模脊波导中，从而增加导电脊形波导220高阶模式的损耗，提高高阶模式激射阈值，使得导电脊形波导220的单模激射更加具有稳定性，提高半导体器件9的单模输出功率。
再者，由于本实施例在导电脊形波导220的旁边引入了更窄的单模脊波导，本实施例相对于不设置单模脊波导的半导体器件9，导电脊形波导220的宽度可以进一步提高，从而提高半导体器件9的输出功率，并且降低端面的功率密度，提高comd电流阈值。于一实施例中，导电脊形波导220可以用于发光，单模脊形波导230不可以发光，单模脊形波导230不形成对光的增益，导电脊形波导220的宽度可以进一步提高，从而提高半导体器件9的光输出功率，并且降低端面的光功率密度，提高comd电流阈值。
本实施例中，导电脊形波导220和单模脊形波导230各设有一个。导电脊形波导220和单模脊形波导230相互间隔设置。
请参照图3，其为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构91的横截面示意图。单模脊形波导230设有多个，且任一导电脊形波导220的两侧各设有一个单模脊形波导230。本实施例中，导电脊形波导220设有一个，单模脊形波导230设有两个，两个单模脊形波导230分别位于导电脊形波导220左右两侧。
请参照图4，其为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构91的横截面示意图。单模脊形波导230设有多个，且任一导电脊形波导220的两侧各设有一个单模脊形波导230。本实施例中，导电脊形波导220设有两个，单模脊形波导230设有3个。本半导体波导耦合结构91中，层本体210的上表面由左至右依次为间隔设置的单模脊形波导230、导电脊形波导220、单模脊形波导230、导电脊形波导220和单模脊形波导230。
请参照图5，其为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构91的俯视图。功率本体100的前后两侧面分别镀有高反膜610(hr膜)和低反膜620(ar膜)。其中，高反膜610的反射率高于80％，低反膜620的反射率低于15％。
导电脊形波导220和单模脊形波导230各设有一个。单模脊形波导230和导电脊形波导220均为等宽的条状结构。
导电脊形波导220的长度等于单模脊形波导230的长度，导电脊形波导220的宽度大于单模脊形波导230的宽度。导电脊形波导220的长度l1大于100μm。导电脊形波导220的宽度w1为2～25μm。单模脊形波导230的宽度w2为0.5～8μm；相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3为0.1～10μm。
本实施例中，相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3为恒定值。于一其他的实施例中，单模脊形波导230相对导电脊形波导220为倾斜设置，则相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3为一不定值，沿单模脊形波导230的倾斜方向变大或者变小。
进一步地，导电脊形波导220的长度l1大于500μm。导电脊形波导220的宽度w1为5～25μm。单模脊形波导230的宽度w2为1～8μm；相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3为1～10μm。
请参照图6，其为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构91的俯视图。导电脊形波导220设有一个，单模脊形波导230设有两个，两个单模脊形波导230分别位于导电脊形波导220左右两侧。单模脊形波导230和导电脊形波导220均为等宽的条状结构。
导电脊形波导220的长度等于单模脊形波导230的长度，导电脊形波导220的宽度大于单模脊形波导230的宽度。导电脊形波导220的长度l1大于100μm。导电脊形波导220的宽度w1为2～25μm。
两个单模脊形波导230的宽度可以相等，可以不相等。每个单模脊形波导230的宽度w2的范围均为0.5～8μm。本实施例中，两个单模脊形波导230的宽度相等。
每处相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3可以是相等的，也可以是不相等。每处相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔为0.1～10μm。本实施例中，每处相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3是相等的。
进一步地，导电脊形波导220的长度l1大于500μm。导电脊形波导220的宽度w1为5～25μm。每个单模脊形波导230的宽度w2的范围均为1～8μm。每处相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔为1～10μm。
请参照图7，其为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构91的俯视图。导电脊形波导220设有两个，单模脊形波导230设有3个。本半导体波导耦合结构91中，层本体210的上表面由左至右依次为间隔设置的单模脊形波导230、导电脊形波导220、单模脊形波导230、导电脊形波导220和单模脊形波导230。单模脊形波导230和导电脊形波导220均为等宽的条状结构。
导电脊形波导220的长度等于单模脊形波导230的长度，导电脊形波导220的宽度大于单模脊形波导230的宽度。导电脊形波导220的长度l1大于100μm。导电脊形波导220的宽度w1为2～25μm。两个单模脊形波导230的宽度可以相等，可以不相等。每个单模脊形波导230的宽度w2的范围均为0.5～8μm。本实施例中，两个单模脊形波导230的宽度相等。每处相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3可以是相等的，也可以是不相等。每处相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔为0.1～10μm。本实施例中，每处相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3是相等的。
进一步地，导电脊形波导220的长度l1大于500μm。导电脊形波导220的宽度w1为5～25μm。每个单模脊形波导230的宽度w2的范围均为1～8μm。每处相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔为1～10μm。
请参照图8，其为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构91的俯视图。导电脊形波导220和单模脊形波导230各设有一个。单模脊形波导230和导电脊形波导220均为等宽的条状结构。其中，导电脊形波导220的长度l1大于单模脊形波导230的长度l2，导电脊形波导220的宽度w1大于单模脊形波导230的宽度w2。
导电脊形波导220的长度l1大于100μm。单模脊形波导230的长度l2小于l1。导电脊形波导220的宽度w1为2～25μm。单模脊形波导230的宽度w2为0.5～8μm；相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3为0.1～10μm。
进一步地，导电脊形波导220的长度l1大于500μm。单模脊形波导230的长度l2小于500μm。导电脊形波导220的宽度w1为5～25μm。单模脊形波导230的宽度w2为1～8μm；相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3为1～10μm。
请参照图9，其为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构91的俯视图。导电脊形波导220和单模脊形波导230各设有一个。单模脊形波导230和导电脊形波导220均为等宽的条状结构。其中，单模脊形波导230为弯曲的形状。
导电脊形波导220的长度等于单模脊形波导230的长度，导电脊形波导220的宽度大于单模脊形波导230的宽度。导电脊形波导220的长度l1大于100μm。导电脊形波导220的宽度w1为2～25μm。单模脊形波导230的宽度w2为0.5～8μm。
由于本实施例中，单模脊形波导230为弯曲的条形结构，相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3为一不定值，本实施例中，最前端的间隔w3大于最后端的间隔w3。相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3最小值的范围为0.1～10μm。
进一步地，导电脊形波导220的长度l1大于500μm。导电脊形波导220的宽度w1为5～25μm。单模脊形波导230的宽度w2为1～8μm。相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3的范围为1～10μm。
请参照图10，其为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构91的俯视图。导电脊形波导220和单模脊形波导230各设有一个。单模脊形波导230为等宽的条状结构，但相对于导电脊形波导220为倾斜设置，导电脊形波导220为变宽的条状结构。
本实施例中，导电脊形波导220的宽度w1从前至后依次增大，单模脊形波导230的宽度w2不变，由于本实施例中，导电脊形波导220的宽度w1变化率与单模脊形波导230的倾斜度相等，相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3为一恒定值。其中，w1的范围为5～25μm，w2的范围为0.5～8μm，w3的范围为0.1～10μm。
进一步地，w1的范围为5～25μm，w2的范围为1～8μm，w3的范围为1～10μm。
请参照图11，其为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构91的俯视图。导电脊形波导220和单模脊形波导230各设有一个。单模脊形波导230和导电脊形波导220均为变宽的条状结构。
单模脊形波导230包括从前至后依次连接的第一单模段231、第二单模段232和第三单模段233，第一单模段231为直波导，横截面为长方形；第二单模段232为锥形波导，横截面为梯形；第三单模段233为直波导，横截面为长方形。
单模脊形波导230的宽度w2为变化值，包括第一单模段231的宽度、第二单模段232的宽度和第三单模段233的宽度。第一单模段231的宽度小于第三单模段233的宽度，第二单模段232的宽度从前至后依次增大。本实施例中，w2范围为0.5～20μm。
导电脊形波导220包括从前至后依次连接的第一导电段221、第二导电段222和第三导电段223，第一导电段221为直波导，横截面为长方形；第二导电段222为锥形波导，横截面为梯形；第三导电段223为直波导，横截面为长方形。
导电脊形波导220的宽度w1为变化值，包括第一导电段221的宽度、第二导电段222的宽度和第三导电段223的宽度。第一导电段221的宽度小于第三导电段223的宽度，第二导电段222的宽度从前至后依次增大。本实施例中，w1范围为2～25μm。
由于单模脊形波导230和导电脊形波导220均为变宽的条状结构，相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3为一变化值，其范围为0.1-10μm。
进一步地，w2范围为1.5～20μm。w1范围为5～25μm。w3为一变化值，其范围为1-10μm。
请参照图12，其为本申请一实施例示出的半导体波导耦合结构91的俯视图。导电脊形波导220和单模脊形波导230各设有一个。单模脊形波导230和导电脊形波导220均为变宽的条状结构。
单模脊形波导230包括从前至后依次连接的第一单模段231、第二单模段232、第三单模段233、第四单模段234和第五单模段235，第一单模段231为直波导，横截面为长方形；第二单模段232为锥形波导，横截面为梯形；第三单模段233为直波导，横截面为长方形；第四单模段234为锥形波导，横截面为梯形；第五单模段235为直波导，横截面为长方形。
单模脊形波导230的宽度w2为变化值，包括第一单模段231的宽度、第二单模段232的宽度、第三单模段233的宽度、第四单模段234的宽度和第五单模段235的宽度。第一单模段231的宽度等于第五单模段235的宽度，第一单模段231的宽度大于第三单模段233的宽度，第二单模段232的宽度从前至后依次减小，第四单模段234的宽度从前至后依次增大。本实施例中，w2范围为0.5～20μm。
导电脊形波导220包括从前至后依次连接的第一导电段221、第二导电段222、第三导电段223、第四导电段224和第五导电段225，第一导电段221为直波导，横截面为长方形；第二导电段222为锥形波导，横截面为梯形；第三导电段223为直波导，横截面为长方形；第四导电段224为锥形波导，横截面为梯形；第五导电段225为直波导，横截面为长方形。
导电脊形波导220的宽度w1为变化值，包括第一导电段221的宽度、第二导电段222的宽度、第三导电段223的宽度、第四导电段224的宽度和第五导电段225的宽度。第一导电段221的宽度等于第五导电段225的宽度，第一导电段221的宽度大于第三导电段223的宽度，第二导电段222的宽度从前至后依次减小，第四导电段224的宽度从前至后依次增大。本实施例中，w1范围为0.5～20μm。
由于单模脊形波导230和导电脊形波导220均为变宽的条状结构，相邻的单模脊形波导230和导电脊形波导220之间的间隔w3为一变化值，其范围为0.1-10μm。
进一步地，w2范围为1.5～20μm。w1范围为5～25μm。w3为一变化值，其范围为1-10μm。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例中的特征可以相互结合。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
1.一种半导体波导耦合结构，其特征在于，包括：
功率本体；
脊形成层，设置在所述功率本体的上表面，所述脊形成层包括层本体以及设于所述层本体上的至少一个导电脊形波导和至少一个单模脊形波导；
其中，一个所述导电脊形波导至少与一个所述单模脊形波导成相邻间隔设置，所述单模脊形波导的宽度小于所述导电脊形波导的宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体波导耦合结构，其特征在于，所述导电脊形波导和所述单模脊形波导各设有一个。
3.根据权利要求1所述的半导体波导耦合结构，其特征在于，所述单模脊形波导设有多个，且任一所述导电脊形波导的两侧各设有一个所述单模脊形波导。
4.根据权利要求1所述的半导体波导耦合结构，其特征在于，所述单模脊形波导和所述导电脊形波导均为等宽的条状结构；
所述单模脊形波导的宽度为0.5～8μm；所述导电脊形波导的宽度为2～25μm。
5.根据权利要求1所述的半导体波导耦合结构，其特征在于，所述单模脊形波导和所述导电脊形波导均为变宽的条状结构；
所述单模脊形波导的宽度为0.5～20μm；所述导电脊形波导的宽度为2～25μm。
6.根据权利要求1所述的半导体波导耦合结构，其特征在于，所述单模脊形波导的长度小于或者等于所述导电脊形波导的长度。
7.根据权利要求1至6任一项所述的半导体波导耦合结构，其特征在于，相邻的所述单模脊形波导和所述导电脊形波导之间的间隔为0.1～10μm。
8.根据权利要求1所述的半导体波导耦合结构，其特征在于，所述功率本体包括：
衬底；
下限制层，设置在所述衬底上；
量子阱，设置在所述下限制层上；以及
上限制层，设置在所述量子阱上；
所述半导体波导耦合结构还包括：
第一欧姆接触层，设于所述导电脊形波导的上表面；
第二欧姆接触层，设于所述单模脊形波导的上表面；
电绝缘层，设于所述脊形成层的上表面和所述第二欧姆接触层的上表面；以及
金属电极层，设于所述电绝缘层的上表面和所述第一欧姆接触层的上表面。
9.根据权利要求8所述的半导体波导耦合结构，其特征在于，所述功率本体的两侧分别设有高反膜和低反膜。
10.一种半导体器件，其特征在于，包括：多个如权利要求1至9任一项所述的半导体波导耦合结构，多个所述的半导体波导耦合结构成线性阵列式分布。
技术总结