本发明涉及曝光装置及物品的制造方法。
背景技术：
1、当通过光刻处理制造诸如半导体设备或液晶显示设备等的设备时，使用将掩模图案的图像投影到基板并将图案转印至基板的曝光装置。曝光装置需要在掩模与基板之间进行高精度对准和焦点校准，以便将掩模图案准确地转印至基板。
2、作为一种对准和焦点校准方法，日本特开平4-348019号公报提出了一种ttl(through the lens，通过透镜)方法，其中，经由投影光学系统来测量基板相对于掩模的相对位置或掩模图案的焦点位置。通常，在焦点校准中，在投影光学系统的光轴方向(z方向)上移动基板侧标记(设置有基板侧标记的载台)的同时，经由投影光学系统和基板侧标记来检测通过了掩模侧标记的光，并根据光量的变化获得焦点位置。
3、然而，在现有技术中，每次进行焦点校准时，都需要在z方向上移动基板侧标记(载台)。这种操作需要时间，这导致生产率降低。另外，由于不能并行地进行在z方向上移动基板侧标记的操作和实际曝光操作，因此不能获得实际曝光操作中的焦点位置(聚焦状态)。因此，即使进行焦点校准，在实际曝光操作中，也不能将基板维持在最优焦点位置(最佳焦点位置)，这可能导致曝光精度降低。
技术实现思路
1、本发明提供在焦点校准方面有利的曝光装置。
2、根据本发明的第一方面，提供了一种曝光装置，其进行曝光处理以将掩模图案转印至基板，所述曝光装置包括：投影光学系统，其被构造为将所述掩模图案投影到所述基板上；测量图案，其布置在所述投影光学系统的物体平面上并且包括多个图案元素，所述多个图案元素在所述投影光学系统的光轴方向上具有不同的位置；第一检测单元，其被构造为经由所述投影光学系统检测来自所述测量图案的光；以及控制单元，其被构造为当进行所述曝光处理时，控制所述掩模与所述基板在所述光轴方向上的相对位置，其中，控制单元基于第一光量分布和第二光量分布来控制所述相对位置，所述第一光量分布表示，从所述第一检测单元的在第一定时的检测结果中获得的、通过所述多个图案元素中的各个的光的光量，所述第二光量分布表示，从所述第一检测单元在所述第一定时之后的第二定时的检测结果中获得的、通过所述多个图案元素中的各个的光的光量。
3、根据本发明的第二方面，提供了一种物品的制造方法，所述制造方法包括：使用上述曝光装置来曝光基板；使曝光的基板显影；以及根据显影的基板来制造物品。
4、通过以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的其他特征将变得清楚。
1.一种曝光装置，其进行曝光处理以将掩模的图案转印至基板，所述曝光装置包括：
2.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，所述控制单元基于所述第一光量分布中包括的最高峰值的位置以及所述第二光量分布中包括的最高峰值的位置来控制相对位置。
3.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，
4.根据权利要求3所述的曝光装置，其中，所述基准焦点位置包括所述投影光学系统在所述第一定时的最佳焦点位置。
5.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，所述控制单元通过根据所述第一光量分布与所述第二光量分布之间的差而获得载台在所述光轴方向上的移动量、并且将所述载台移动所述移动量，来控制所述相对位置，所述载台保持所述基板，并且所述移动量是在所述第二定时将所述基板定位在所述投影光学系统的最佳焦点位置所需的。
6.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，所述测量图案由形成有所述多个图案元素的平板形成，并且以所述平板的法线相对于所述投影光学系统的光轴倾斜的方式布置所述测量图案，使得所述多个图案元素在所述光轴方向上具有不同的位置。
7.根据权利要求3所述的曝光装置，所述曝光装置还包括：
8.根据权利要求3所述的曝光装置，所述曝光装置还包括：
9.根据权利要求3所述的曝光装置，所述曝光装置还包括：
10.根据权利要求9所述的曝光装置，所述曝光装置还包括：
11.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，所述第一检测单元包括图像传感器，所述图像传感器被构造为检测所述测量图案的图像。
12.根据权利要求11所述的曝光装置，所述曝光装置还包括：
13.一种物品的制造方法，所述制造方法包括：
