本发明属于集成电路装配制造领域，特别涉及一种薄形的高密度混合封装结构。
背景技术：
1、近年来，随着电子技术的日新月异，高科技电子产业的相继问世，业内对于体积更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小及成本更低的封装需求大幅提高。
2、当今半导体集成电路(ic)的新增长点，已从传统的机算机及通讯产业转向便携式移动设备如智能手机、平板电脑及新一代可穿戴设备。集成电路封装技术也随之出现了新的趋势，以应对移动设备产品的特殊要求，如增加功能灵活性、提高电性能、薄化体积、降低成本和快速面世等。
3、因此利用更低成本实现较薄的可靠封装结构，是本领域亟需解决的难点问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本发明提出一种薄形的高密度混合封装结构，在一层结构中设置多个信号屏蔽腔体每个信号屏蔽腔体根据其封装的电子元件类型选择灌封胶进行灌封。
2、进一步的，通过在封装基板表面制备印制板围栏将封装区域划分为多个单独的腔体，每个腔体通过在印制板围栏中设置屏蔽信号孔进行隔离，印制板围栏表面设置有金属屏蔽层，将每个单独的腔体作为信号屏蔽腔。
3、进一步的，在信号屏蔽腔中封装wlp元器件时，通过焊料球将wlp元器件倒扣装配在封装基板表面，并在焊接完成后对焊料球底部进行填充。
4、进一步的，在信号屏蔽腔中封装裸芯片时，令裸芯片在封装基板表面进行粘片键合，粘片胶为导电银浆、环氧胶或硅橡胶。
5、进一步的，裸芯片在封装基板表面进行粘片键合时，键合线为金丝或硅铝丝，线径25μm以上。
6、进一步的，裸芯片在封装基板表面进行粘片键合时，键合焊盘为镀金处理，金层厚度大于1微米。
7、进一步的，屏蔽信号孔为在印制板围栏上设置的通孔，并在通孔内部镀铜，使得封装基板与金属屏蔽层互联。
8、进一步的，金属屏蔽层在封装体顶部，通过溅射、电镀或黏贴导电箔带材料制成的可导电层。
9、本发明利用pcb压合制造技术实现阶梯印制板制作，并完成不同类型的元器件装配，针对不同元器件及焊点的类型进行灌封填充以实现对装联结构的保护，进行顶部磨平后可制作顶部金属化顶层进行电磁屏蔽，产品体积尺寸小，制作工艺简单，可靠性好，适合大批量推广应用。
1.一种薄形的高密度混合封装结构，其特征在于，设置多个信号屏蔽腔体，每个信号屏蔽腔体中封装有电子元件，每个信号屏蔽腔体根据其封装的电子元件类型选择灌封胶进行灌封。
2.根据权利要求1所述的一种薄形的高密度混合封装结构，其特征在于，通过在封装基板表面制备印制板围栏将封装区域划分为多个单独的腔体，每个腔体通过在印制板围栏中设置屏蔽信号孔进行隔离，印制板围栏表面设置有金属屏蔽层，将每个单独的腔体作为信号屏蔽腔。
3.根据权利要求2所述的一种薄形的高密度混合封装结构，其特征在于，在信号屏蔽腔中封装wlp元器件时，通过焊料球将wlp元器件倒扣装配在封装基板表面，并在焊接完成后对焊料球底部进行填充。
4.根据权利要求2所述的一种薄形的高密度混合封装结构，其特征在于，在信号屏蔽腔中封装裸芯片时，令裸芯片在封装基板表面进行粘片键合，粘片胶为导电银浆、环氧胶或硅橡胶。
5.根据权利要求4所述的一种薄形的高密度混合封装结构，其特征在于，裸芯片在封装基板表面进行粘片键合时，键合线为金丝或硅铝丝，线径25μm以上。
6.根据权利要求4所述的一种薄形的高密度混合封装结构，其特征在于，裸芯片在封装基板表面进行粘片键合时，键合焊盘为镀金处理，金层厚度大于1微米。
7.根据权利要求2所述的一种薄形的高密度混合封装结构，其特征在于，屏蔽信号孔为在印制板围栏上设置的通孔，并在通孔内部镀铜，使得封装基板与金属屏蔽层互联。
8.根据权利要求1所述的一种薄形的高密度混合封装结构，其特征在于，金属屏蔽层在封装体顶部，通过溅射、电镀或黏贴导电箔带材料制成的可导电层。
