多层电子组件的制作方法

专利2025-06-06  10


本公开涉及一种多层电子组件。


背景技术:

1、多层陶瓷电容器(mlcc,一种多层电子组件)可以是安装在各种电子产品(诸如图像显示装置(包括液晶显示器(lcd)或等离子显示面板(pdp))、计算机、智能电话或移动电话)的印刷电路板上以用于在其中充电或从其放电的片式电容器。

2、多层陶瓷电容器具有小尺寸,实现高电容,并且容易安装,因此可用作各种电子装置的组件。随着诸如计算机、移动装置等的各种电子装置中的每种电子装置具有更小的尺寸和更高的输出,对具有更小的尺寸和更高的电容的多层陶瓷电容器的需求不断增加。

3、多层陶瓷电容器通常可包括主体和侧边缘部,在主体中,介电层和内电极交替地设置,侧边缘部设置在主体的侧表面上以保护主体。

4、此外,最近,为了实现多层陶瓷电容器的更小的尺寸和更高的电容,介电层和内电极被减薄。随着介电层的厚度变薄,介电层变得易受绝缘电阻劣化的影响,因此,可能发生多层陶瓷电容器的耐压破坏。

5、由于这种耐压破坏倾向于发生在侧边缘部的端部,因此需要一种通过改变多层陶瓷电容器的介电层和侧边缘部中添加的材料或它们的结构来确保多层陶瓷电容器的可靠性的新方法。


技术实现思路

1、本公开的一方面在于改善多层电子组件的可靠性。

2、本公开的一方面在于降低多层电子组件的损耗因子(df)和有效电容变化率。

3、然而,本公开的目的不限于上述内容,并且在描述本公开的具体实施例的过程中将更容易理解。

4、根据本公开的一方面,一种多层电子组件包括:主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极在第一方向上交替设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,并且所述主体具有在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对并连接到所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相对并连接到所述第一表面至所述第四表面的第五表面和第六表面;侧边缘部,设置在所述第五表面和所述第六表面上;以及外电极,设置在所述第三表面和所述第四表面上,其中,所述侧边缘部中的至少一个包括batio3、zn和zr,相对于包括在所述侧边缘部中的所述至少一个中的100mol的ti,所述侧边缘部中的所述至少一个中的zn的量和zr的量分别大于等于0.5mol且小于等于1.0mol,并且所述侧边缘部中的所述至少一个中的zn的量与所述介电层中的zn的量不同,并且所述侧边缘部中的所述至少一个中的zr的量与所述介电层中的zr的量不同。

5、根据本公开的一方面,一种多层电子组件包括:主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极在第一方向上交替设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,并且所述主体具有在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对并连接到所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相对并连接到所述第一表面至所述第四表面的第五表面和第六表面;侧边缘部,设置在所述第五表面和所述第六表面上;以及外电极,设置在所述第三表面和所述第四表面上,其中,所述侧边缘部中的至少一个包括batio3、zn和zr,所述侧边缘部中的所述至少一个中的zn的量大于所述介电层中的zn的量,并且所述侧边缘部中的所述至少一个中的zr的量大于所述介电层中的zr的量。



技术特征:

1.一种多层电子组件,包括:

2.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述介电层不包括zn或者所述介电层包括的zn的量比所述侧边缘部中的所述至少一个中的zn的量更少。

3.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述介电层不包括zr或者所述介电层包括的zr的量比所述侧边缘部中的所述至少一个的中zr的量更少。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述侧边缘部中的所述至少一个包括多个介电晶粒和设置在相邻介电晶粒之间的晶界,

5.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,满足104nm≤a1≤192nm,其中a1是包括在所述侧边缘部中的所述至少一个中的介电晶粒的平均尺寸。

6.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,满足0.34≤a1/a2≤0.65,其中a1是包括在所述侧边缘部中的所述至少一个中的介电晶粒的平均尺寸,并且a2是包括在所述介电层中的介电晶粒的平均尺寸。

7.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述侧边缘部中的所述至少一个还包括dy,并且

8.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述侧边缘部中的所述至少一个还包括tb,并且

9.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述侧边缘部中的所述至少一个还包括si,并且

10.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述侧边缘部中的所述至少一个还包括al,并且

11.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述侧边缘部中的所述至少一个还包括mg,并且

12.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第一内电极连接到所述第三表面、所述第五表面和所述第六表面,并且

13.一种多层电子组件,包括:

14.根据权利要求13所述的多层电子组件,其中,相对于包括在所述侧边缘部中的所述至少一个中的100mol的ti,所述侧边缘部中的所述至少一个中的zn的量和zr的量分别大于等于0.5mol且小于等于1.0mol。

15.根据权利要求13所述的多层电子组件,其中,所述介电层不含zn。

16.根据权利要求13所述的多层电子组件,其中,所述介电层不含zr。


技术总结
本公开提供一种多层电子组件,多层电子组件包括:主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,第一内电极和第二内电极在第一方向上交替设置且介电层介于其间,并且主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面;侧边缘部,设置在第五表面和第六表面上;以及外电极,设置在第三表面和第四表面上。侧边缘部包括BaTiO<subgt;3</subgt;、Zn和Zr,相对于包括在侧边缘部中的100mol的Ti,侧边缘部中的Zn的量和Zr的量分别大于等于0.5mol且小于等于1.0mol。侧边缘部中的Zn的量和Zr的量分别与介电层中的Zn的量和Zr的量不同。

技术研发人员:金庆植,白承仁,李钟焕,崔民英
受保护的技术使用者:三星电机株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/6/26
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