本公开总体上涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种具有金属凸块的半导体封装件及制造其的方法。
背景技术：
1、电子工业的现有趋势可以包括但不限于以合理的价格制造轻质、紧凑、高速、多功能和高性能产品。为此，可以使用多芯片堆叠封装技术和/或系统级封装技术来潜在地满足这些趋势。例如，在多芯片堆叠封装和/或系统级封装中，半导体封装件可以执行若干单元半导体装置的功能。尽管多芯片堆叠封装和/或系统级封装可以比典型的单芯片封装厚，但是多芯片堆叠封装和/或系统级封装可以具有类似于单芯片封装的平面尺寸的平面尺寸，并且因此可以主要用于高端、紧凑和便携式产品，诸如但不限于移动电话、膝上型计算机、存储器卡和便携式摄像机。
2、现有的半导体装置可以使用金属凸块作为电连接端子和/或虚设端子。然而，金属凸块的形状异常会导致成品率下降和/或工艺故障，并且会导致半导体装置具有较差的电特性。因此，需要在制造半导体装置时形成没有形状异常的金属凸块。
技术实现思路
1、本公开的方面提供了一种半导体封装件及制造其的方法，当与现有的半导体封装件相比时，该半导体封装件具有改善的驱动稳定性。
2、本公开的方面提供了一种制造半导体封装件的方法以及由该方法制造的半导体封装件，当与现有的半导体封装件相比时，该半导体封装件的工艺被简化并且具有更少的缺陷发生。
3、根据本公开的一方面，提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：基底，包括第一区域和与第一区域间隔开的第二区域；第一焊盘，在第一区域的基底上；第二焊盘，在第二区域的基底上；第一介电层，设置在第一区域上的基底上，并且包括使第一焊盘暴露的第一开口；第二介电层，设置在第二区域上的基底上，并且包括使第二焊盘暴露的第二开口；第一凸块结构，设置在第一焊盘上并且在第一介电层的第一开口中；以及第二凸块结构，设置在第二焊盘上并且在第二介电层的第二开口中。第一介电层的第一厚度大于第二介电层的第二厚度。基底与第一凸块结构的最上端之间的第一距离长于基底与第二凸块结构的最上端之间的第二距离。
4、根据本公开的一方面，提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：基底，包括中心区域和围绕中心区域的外围区域；第一焊盘，在基底的底表面上的中心区域上；第二焊盘，在基底的底表面上的外围区域上；介电层，在基底的底表面上并且设置在第一焊盘和第二焊盘上。介电层包括使第一焊盘的底表面的至少一部分暴露的第一开口和使第二焊盘的底表面的至少一部分暴露的第二开口。半导体封装件还包括：第一凸块结构，在中心区域上的介电层上，并且通过第一开口结合到第一焊盘；第二凸块结构，在外围区域上的介电层上，并且通过第二开口结合到第二焊盘；半导体芯片，在基底的顶表面上；以及模制层，覆盖基底的顶表面并且掩埋半导体芯片。基底具有凹形状。中心区域的第一凹陷水平比外围区域的第二凹陷水平深。第一焊盘上的介电层的第一厚度大于第二焊盘上的介电层的第二厚度。第一开口的第一宽度小于第二开口的第二宽度。
5、根据本公开的一方面，提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：基底，包括第一区域和与第一区域间隔开的第二区域；第一焊盘，在第一区域的基底上；第二焊盘，在第二区域的基底上；介电层，在基底上并且覆盖第一焊盘的至少第一部分和第二焊盘的至少第二部分。介电层包括使第一焊盘的顶表面的至少第三部分暴露的第一开口和使第二焊盘的顶表面的至少第四部分暴露的第二开口。半导体封装件还包括：第一凸块结构，在介电层上，并且通过第一开口结合到第一焊盘；以及第二凸块结构，在介电层上并且通过第二开口结合到第二焊盘。第一区域上的介电层的第一厚度与第二区域上的介电层的第二厚度之间的差为第一厚度的约20％至约80％。
6、根据本公开的一方面，提供了一种制造半导体封装件的方法。所述方法包括以下步骤：提供基底，基底包括第一区域和与第一区域间隔开的第二区域；在基底上形成第一区域上的第一焊盘和第二区域上的第二焊盘；在基底上形成覆盖第一焊盘和第二焊盘的光可成像层；使用光掩模对光可成像层执行曝光工艺以形成介电层，介电层包括使第一焊盘暴露的第一开口和使第二焊盘暴露的第二开口；以及在介电层上形成通过第一开口结合到第一焊盘的第一凸块结构和通过第二开口结合到第二焊盘的第二凸块结构。执行曝光工艺的步骤使第一区域上的介电层的第一厚度不同于第二区域上的介电层的第二厚度。
7、附加方面可以部分地在下面的描述中阐述，并且部分地可以通过描述而明显，并且/或者可以通过实践所呈现的实施例来获悉。
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，第一开口的第一宽度小于第二开口的第二宽度。
4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，第二开口的第二宽度是第一开口的第一宽度的1.1倍至1.5倍。
5.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一介电层的第一厚度与第二介电层的第二厚度之间的差是第一介电层的第一厚度的20％至80％。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一距离与第二距离之间的差是第一距离的2％至10％。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，基底具有第一区域的第一凹陷水平比第二区域的第二凹陷水平深的形状。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
12.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
13.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，第一凸块结构的第一高度大于第二凸块结构的第二高度。
14.根据权利要求13所述的半导体封装件，其中，第一高度与第二高度之间的差是第一高度的2％至10％。
15.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中：
16.根据权利要求15所述的半导体封装件，其中：
17.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，第二开口的第二宽度是第一开口的第一宽度的1.1倍至1.5倍。
18.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，第一厚度与第二厚度之间的差是第一厚度的20％至80％。
19.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，
20.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
