公开涉及垂直nand闪存装置。
背景技术：
1、随着相关领域的硬盘已经由固态驱动器(ssd)取代，作为非易失性存储器装置的nand闪存装置已经变得广泛商业化。最近，根据小型化和高集成度，在其中多个存储器单元在与基底垂直的方向上堆叠的垂直nand闪存装置已被开发。
2、在垂直nand闪存装置中，存储器单元之间的横向电荷扩散(lateral chargespreading)可由于堆叠级的数量的增大和存储器单元的高度的减小而发生，并且这样的横向电荷扩散可劣化存储器单元的电荷保持。
技术实现思路
1、提供了垂直nand闪存装置。
2、附加的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地根据该描述将是清楚的，或者可通过公开的呈现的实施例的实践而习得。
3、根据示例实施例，一种垂直nand闪存装置可包括：多个单元阵列。所述多个单元阵列中的每个可包括：沟道层；电荷捕获层，在沟道层上；以及多个栅电极，在电荷捕获层上。电荷捕获层可包括包含金属的氮氧化硅。金属可包括ga或in中的至少一者。
4、在一些实施例中，电荷捕获层中的金属的联系可以是约0.5at％至约20at％。电荷捕获层中的金属的含量可以是约8at％至约16at％。
5、在一些实施例中，金属和硅可被均匀地分布在电荷捕获层中，或者金属和硅可以以逐层结构被分布在电荷捕获层中。
6、在一些实施例中，所述垂直nand闪存装置还可包括基底。所述多个单元阵列中的每个可垂直地在基底上。
7、在一些实施例中，沟道层的内部可包括在与基底垂直的方向上延伸的沟道孔。
8、在一些实施例中，在所述多个单元阵列中的每个中，沟道孔可填充有填充绝缘层。
9、在一些实施例中，沟道层和电荷捕获层可各自具有圆柱形形状并且可围绕沟道孔。
10、在一些实施例中，在所述多个单元阵列中的每个中，隧穿势垒层可在沟道层与电荷捕获层之间。
11、在一些实施例中，在所述多个单元阵列中的每个中，所述多个栅电极可在与基底垂直的方向上彼此间隔开，并且所述多个栅电极中的每个可围绕电荷捕获层。
12、在一些实施例中，在所述多个单元阵列中的每个中，阻挡绝缘层可在电荷捕获层与所述多个栅电极中的每个之间。
13、在一些实施例中：一种电子装置可包括上述垂直nand闪存装置。
14、根据示例实施例，一种垂直nand闪存装置包括：多个单元阵列。所述多个单元阵列中的每个包括：沟道层；电荷捕获层，在沟道层上；以及多个栅电极，在电荷捕获层上。电荷捕获层可包括包含金属的氮化硅，以及设置在电荷捕获层上的多个栅电极，并且金属可包括ga或in中的至少一者。
15、在一些实施例中，电荷捕获层中的金属的含量可以是约0.5at％至约20at％。
16、在一些实施例中，金属和硅可被均匀地分布在电荷捕获层中，或者金属和硅可以以逐层结构被分布在电荷捕获层中。
17、在一些实施例中，垂直nand闪存装置还可包括基底。所述多个单元阵列中的每个可垂直地在基底上。
18、在一些实施例中，沟道层的内部可包括在与基底垂直的方向上延伸的沟道孔。沟道层和电荷捕获层可各自具有圆柱形形状并且可围绕沟道孔。
19、在一些实施例中，在所述多个单元阵列中的每个中，隧穿势垒层可在沟道层与电荷捕获层之间，并且阻挡绝缘层可在电荷捕获层与所述多个栅电极中的每个之间。
20、在一些实施例中，在所述多个单元阵列中的每个中，多个栅电极可在与基底垂直的方向上被设置为彼此间隔开，并且所述多个栅电极中的每个可围绕电荷捕获层。
1.一种垂直nand闪存装置，包括：
2.根据权利要求1所述的垂直nand闪存装置，其中，电荷捕获层中的金属的含量是0.5at％至20at％。
3.根据权利要求2所述的垂直nand闪存装置，其中，电荷捕获层中的金属的含量是8at％至16at％。
4.根据权利要求1所述的垂直nand闪存装置，其中，
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的垂直nand闪存装置，还包括：
6.根据权利要求5所述的垂直nand闪存装置，其中，
7.根据权利要求6所述的垂直nand闪存装置，其中，
8.根据权利要求6所述的垂直nand闪存装置，其中，
9.根据权利要求8所述的垂直nand闪存装置，其中，
10.根据权利要求9所述的垂直nand闪存装置，其中，
11.根据权利要求10所述的垂直nand闪存装置，其中，
12.一种电子装置，包括：
13.一种垂直nand闪存装置，包括：
14.根据权利要求13所述的垂直nand闪存装置，其中，电荷捕获层中的金属的含量是0.5at％至20at％。
15.根据权利要求13所述的垂直nand闪存装置，其中，
16.根据权利要求13至15中的任意一项所述的垂直nand闪存装置，还包括：
17.根据权利要求16所述的垂直nand闪存装置，其中，
18.根据权利要求17所述的垂直nand闪存装置，其中，
19.根据权利要求17所述的垂直nand闪存装置，其中，
