本发明的实施例大体上关于诸如半导体基板这样的基板的处理。
背景技术：
1、通过在基板表面上产生复杂的图案化材料层的处理来形成集成电路。钨被使用在半导体产业中作为具有最小电子迁移的低电阻导体。钨可被用于填充孔，作为用于晶体管的触点及在集成器件的多层之间的通孔的形成中的触点。由于钨的稳定性与低电阻，钨也可被用于逻辑与存储器件中的互连。随着科技进步，创造出对于更加低电阻及低应力金属填充方案的要求。然而，现行的提供较低电阻与较低应力的钨填充工艺提供对于平坦化工艺的不充分粘附。现行的钨填充工艺也不提供对于钨填充的调谐应力上的适当控制。
2、因此，发明人已经提供用于钨填充的改善工艺。
技术实现思路
1、本文提供用于填充在基板中的特征的方法与相关设备的实施例。在一些实施例中，一种填充在基板中的特征的方法包括：经由物理气相沉积(pvd)工艺在特征中沉积氮化钨的晶种层；经由pvd工艺在特征中的氮化钨的晶种层上沉积钨的衬垫层；及随后经由化学气相沉积(cvd)工艺以钨整体填充来填充特征。
2、在一些实施例中，一种填充在基板中的特征的方法包括：经由物理气相沉积(pvd)工艺在特征中沉积氮化钨的晶种层；经由pvd工艺在特征中的氮化钨的晶种层上沉积钨的衬垫层；在衬垫层上执行氮自由基处理，以提供用于后续沉积工艺的育成延迟；及随后经由化学气相沉积(cvd)工艺以钨整体填充来填充特征。
3、在一些实施例中，一种包含一或多个处理器的计算机可读取媒体，当被实行时，执行填充在基板中的特征的方法，包括：经由物理气相沉积(pvd)处理在特征中沉积氮化钨的晶种层；经由pvd工艺在特征中的氮化钨的晶种层上沉积钨的衬垫层；及随后经由化学气相沉积(cvd)工艺以钨整体填充来填充特征。
4、在下文说明本发明的其他与进一步实施例。
1.一种填充基板中的特征的方法，包含：
2.如权利要求1所述的方法，其中氮化钨的所述晶种层为约10埃至约60埃厚。
3.如权利要求1所述的方法，其中钨的所述衬垫层为约30埃至约300埃厚。
4.如权利要求1所述的方法，其中氮化钨的所述晶种层具有氮浓度为约18至约35原子百分率。
5.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包含：在以所述钨整体填充来填充所述特征之后，在所述基板上执行平坦化工艺。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述基板基本上由氧化硅所组成。
7.如权利要求1至6任一项所述的方法，所述方法进一步包含：在以所述钨整体填充来填充所述特征之前，执行氮自由基处理以提供用于所述cvd工艺的育成延迟。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述氮自由基处理包括以约1sccm至约20sccm的速率流动氮气，持续时间为约2秒至约20秒。
9.如权利要求1至6任一项所述的方法，所述方法进一步包含：在沉积钨的所述衬垫层之后，使用六氟化钨(wf6)与硅烷(sih4)或二硼烷(b2h6)的混合物经由原子层沉积(ald)工艺来沉积成核层。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述成核层的厚度为大约10埃至大约60埃。
11.如权利要求1至6任一项所述的方法，其中所述特征的宽度在约5纳米与约65纳米之间。
12.如权利要求1至6任一项所述的方法，其中在约20℃至约350℃的温度执行沉积钨的所述衬垫层。
13.如权利要求1至6任一项所述的方法，其中所述衬垫层比所述晶种层厚。
14.如权利要求1至6任一项所述的方法，其中使用六氟化钨(wf6)及氢(h2)作为前驱物来执行所述钨整体填充。
15.如权利要求1至6任一项所述的方法，其中所述特征的深宽比在约1：1与约15：1之间。
16.一种非瞬时计算机可读取媒体，包含一或多个处理器，当所述一或多个处理器被实行时，执行如权利要求1至6任一项所述的方法。
17.如权利要求16所述的计算机可读取媒体，所述计算机可读取媒体进一步包含在以所述钨整体填充来填充所述特征之前，执行氮自由基处理以提供用于所述cvd工艺的育成延迟。
18.如权利要求16所述的计算机可读取媒体，所述计算机可读取媒体进一步包含在沉积钨的所述衬垫层之后，使用六氟化钨(wf6)与硅烷(sih4)或二硼烷(b2h6)的混合物经由原子层沉积(ald)工艺来沉积成核层。
19.如权利要求16所述的计算机可读取媒体，其中使用六氟化钨(wf6)及氢(h2)作为前驱物来执行所述钨整体填充。
20.如权利要求16所述的计算机可读取媒体，其中所述衬垫层比所述晶种层厚。
