本发明提供一种应用于光电领域中的发光二极管电流导流装置，特别提供一种提高出光效率和电流导流的发光二极管电流导流装置。
背景技术：
1、传统上，在上的出光面大多数只通过电极延伸(finger)来引导电流流向，或者在电极下方通过氧化物绝缘体使电流向外扩展，但先前技术需额外增加制程结构，且存在电流分布不均以及非预期流向的问题。
2、专利公开公告号第twi338387b号的发明专利公开了一种发光二极管装置，该发光二极管装置包括磊晶叠层以及电流扩散层。磊晶叠层依序具有第一半导体层、发光层和第二半导体层。电流扩散层设置在磊晶叠层的第一半导体层上，且电流扩散层具有微纳米粗化结构层和透明导电层，其中，微纳米粗化结构层具有多个镂空部，而透明导电层覆盖在微纳米粗化结构层的表面上和这些镂空部中。另外，该发明专利还公开了一种发光二极管装置的制造方法以及一种具有微纳米结构的电流扩散层，该发明专利通过额外附加的材料(纳米球)和制程(纳米压印)达到电流导流的效果，但存在制程繁琐且产品外观不一等的缺陷。
3、中华人民共和国专利公开公告号第cn106558638a号的发明专利申请公开了一种具有高发光效率的led芯片及其制作方法，该led芯片包括：基板、于基板由下而上依次形成的缓冲层、n型(p型)半导体层、发光层、p型(n型)半导体层、电流阻挡层以及透明导电膜，透明导电膜被划分为n个层，p(n)电极形成在最上层透明导电膜上，从p(n)型半导体层四周边缘蚀刻至n(p)型半导体层中，由此形成闭合台阶，且在各方向的闭合台阶上均形成n(p)电极。该发明专利申请有效改善局部电流过大问题，提高电流分布均匀性，进而提高发光效率，但其需额外增加一层绝缘电流阻挡层，多造成额外的制程并降低原先的亮度。
4、有鉴于此，本发明提供一种发光二极管电流导流装置，改变现有技术“电流导流装置”，通过蚀刻掉原本的磊晶结构使得大多数电流无法有效往下流通而达到电流向侧边扩散的功能，使电流分布均匀进而提高亮度以解决电流分布不均以及非预期流向的问题，以解决现有技术的缺失。
技术实现思路
1、本发明的第一目的在于提供一种发光二极管电流导流装置，其用于增强发光二极管出光效率并提高电流导流。
2、为达到上述目的或其他目的，本发明提供一种发光二极管电流导流装置，用于增强发光二极管出光效率并提高电流导流，所述发光二极管电流导流装置包括：接触电极；基板，连接接触电极；第一电极，连接基板；第一半导体层，与第一电极进行电性连接；发光层，电性连接第一半导体层；第二半导体层，电性连接发光层；第二电极，具有主电极和多个延伸电极；电流导流层，设置在第二半导体层的一侧与第二电极的一侧之间，电流导流层具有主半导体层和蚀刻层，蚀刻层以第二电极作为图样基准进行蚀刻，其通过蚀刻提高电阻使电流朝向主半导体层的方向行进以达到导流的功效。
3、进一步，其中，接触电极由钛/金的组合或者镍/金的组合组成。
4、进一步，其中，第一半导体层为p型磊晶层或n型磊晶层。
5、进一步，其中，第二半导体层为p型磊晶层或n型磊晶层。
6、进一步，其中，第一半导体层暴露于第二半导体层和发光层。
7、进一步，其中，主半导体层进行粗化制程以提高出光效率。
8、进一步，主半导体层为p型磊晶层或n型磊晶层，且主半导体层的厚度比第一半导体层的厚度和第二半导体层的厚度薄。
9、进一步，第一电极与基板之间还包含透明电极，透明电极为导电氧化物。
10、进一步，第一电极与基板之间还可选择性地包含金属层，金属层设置在透明电极的一侧，金属层可为ti、au、ni或pt。
11、进一步，其中，第二电极可为ge、ti、ni、pt、au或cr。
12、进一步，其中，蚀刻层可选择主电极或者延伸电极或者主电极和延伸电极两者的组合作为基准决定蚀刻层的区域。
13、更进一步，如以主电极和延伸电极为基准决定蚀刻层的区域，则可于主电极与延伸电极连接处不进行蚀刻，以达到提高导流的功效。
14、相较于现有技术，本发明提供一种发光二极管电流导流装置，将遮光区域蚀刻以进行电流导流，使电流朝向未被蚀刻的区域行进以增强发光二极管出光效率，且制程简单耗时少，仅需要增加一道黄光和一道蚀刻制程。
1.一种发光二极管电流导流装置，用于增强发光二极管出光效率并提升电流导流，所述发光二极管电流导流装置包括：
2.如权利要求1所述的发光二极管电流导流装置，其中，所述接触电极由钛/金的组合或者镍/金的组合组成。
3.如权利要求1所述的发光二极管电流导流装置，其中，所述第一半导体层为p型磊晶层或n型磊晶层。
4.如权利要求1所述的发光二极管电流导流装置，其中，所述第二半导体层为p型磊晶层或n型磊晶层。
5.如权利要求1所述的发光二极管电流导流装置，其中，所述第一半导体层暴露于所述第二半导体层和所述发光层。
6.如权利要求1所述的发光二极管电流导流装置，其中，所述主半导体层进行粗化制程以提高出光效率。
7.如权利要求1所述的发光二极管电流导流装置，其中，所述主半导体层为p型磊晶层或n型磊晶层，并且所述主半导体层的厚度比所述第一半导体层的厚度和所述第二半导体层的厚度薄。
8.如权利要求1所述的发光二极管电流导流装置，其中，所述第一电极与所述基板之间还包含透明电极，所述透明电极为导电氧化物。
9.如权利要求8所述的发光二极管电流导流装置，其中，所述第一电极与所述基板之间还包含金属层，所述金属层设置在所述透明电极的一侧，所述金属层为钛、金、镍或铂。
10.如权利要求1所述的发光二极管电流导流装置，其中，所述第二电极为锗、钛、镍、铂、金或铬。
11.如权利要求1所述的发光二极管电流导流装置，其中，所述蚀刻层选择所述主电极或者所述延伸电极或者所述主电极和所述延伸电极两者的组合作为基准决定所述蚀刻层的区域。
12.如权利要求11所述的发光二极管电流导流装置，其中，如以所述主电极和所述延伸电极为基准决定所述蚀刻层的区域，则于所述主电极与所述延伸电极连接处不进行蚀刻，以达到提高导流的功效。
