一种PC膜的剥离方法与流程

一种pc膜的剥离方法
技术领域
1.本发明涉及pc膜剥离技术领域，特别是涉及一种pc膜的剥离方法。


背景技术：

2.在日常防水绝缘的产品表面通常会镀一层几百纳米到几十微米不等的pc膜层，很多情况下pc膜制备效果不好，需要剥离重新镀膜，pc膜具有极其稳定的物理特性，极难去除，现有技术主要是使用刀具或激光直接剥离产品表面的pc膜，无论使用刀具还是激光都存在以下缺陷：剥离效率低、残留量大、极容易伤害基底的可能性，往往无法完美的剥离膜层，基于以上缺陷和不足，有必要对现有的技术予以改进，设计出一种pc膜的剥离方法。


技术实现要素：

3.本发明主要解决的技术问题是提供一种pc膜的剥离方法，能够在不伤害产品基底的前提下剥离pc膜层，能够完美剥离膜层，无残留。
4.为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种pc膜的剥离方法，该种pc膜的剥离方法包括以下步骤：
5.步骤s1：将需要剥离膜层的基底放置在氧气环境下，在固定波长uv光下充分照射，pc膜层在氧气环境中固定波长的uv光照射一段时间后会发生黄化现象，生成共振态芴雷化合物以及六元环产物，致使膜层粘附力降低变黄变脆；
6.步骤s2：在pc膜层表面发现变黄变脆后，停止照射，静置一段时间；
7.步骤s3：使用二氧化碳喷砂机对基底表面变脆后的pc膜层进行喷砂剥离，pc膜层粉化脱离产品基底。
8.所述步骤s1中选用190～280nm波长uv光，照射时间240h。
9.所述步骤s3中二氧化碳喷砂机喷射气态干冰，喷射速度和时间根据产品基底材质以及pc膜层厚度而定。
10.与现有技术相比，本发明的有益效果是：
11.能够在不伤害产品基底的前提下剥离pc膜层，能够完美剥离膜层，无残留。
附图说明
12.图1为pc膜在uv光照射下的黄化现象图。
13.图2为pc膜在uv光照射下发生现象现象的黄化化学式示意图。
14.图3为一种pc膜的剥离方法的流程图。
具体实施方式
15.下面结合附图对本发明较佳实施例进行详细阐述，以使发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
16.请参阅图1至图3，本发明实施例包括：
17.一种pc膜的剥离方法，该种pc膜的剥离方法包括以下步骤：
18.步骤s1：将需要剥离膜层的基底放置在氧气环境下，在190～280nm波长uv光下充分照射，照射时间240h，pc膜层在氧气环境中固定波长的uv光照射一段时间后会发生黄化现象，黄化现象如图1所示，生成共振态芴雷化合物以及六元环产物，其黄化化学式如图2所示，致使膜层粘附力降低变黄变脆；
19.步骤s2：在pc膜层表面发现变黄变脆后，停止照射，静置一段时间；
20.步骤s3：使用二氧化碳喷砂机对基底表面变脆后的pc膜层进行喷砂剥离，pc膜层粉化脱离产品基底。
21.所述步骤s3中二氧化碳喷砂机喷射气态干冰，喷射速度和时间根据产品基底材质以及pc膜层厚度而定。
22.本发明一种pc膜的剥离方法，能够在不伤害产品基底的前提下剥离pc膜层，能够完美剥离膜层，无残留。
23.以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。


技术特征：
1.一种pc膜的剥离方法，其特征在于：该种pc膜的剥离方法包括以下步骤：步骤s1：将需要剥离膜层的基底放置在氧气环境下，在固定波长uv光下充分照射，pc膜层在氧气环境中固定波长的uv光照射一段时间后会发生黄化现象，生成共振态芴雷化合物以及六元环产物，致使膜层粘附力降低变黄变脆；步骤s2：在pc膜层表面发现变黄变脆后，停止照射，静置一段时间；步骤s3：使用二氧化碳喷砂机对基底表面变脆后的pc膜层进行喷砂剥离，pc膜层粉化脱离产品基底。2.根据权利要求1所述的一种pc膜的剥离方法，其特征在于：所述步骤s1中选用190～280nm波长uv光，照射时间240h。3.根据权利要求1所述的一种pc膜的剥离方法，其特征在于：所述步骤s3中二氧化碳喷砂机喷射气态干冰，喷射速度和时间根据产品基底材质以及pc膜层厚度而定。

技术总结
本发明公开了一种PC膜的剥离方法，该种PC膜的剥离方法包括以下步骤：步骤S1：将需要剥离膜层的基底放置在氧气环境下，在190～280nm波长UV光下充分照射，照射时间240h，PC膜层在氧气环境中固定波长的UV光照射一段时间后会发生黄化现象，生成共振态芴雷化合物以及六元环产物，致使膜层粘附力降低变黄变脆；步骤S2：在PC膜层表面发现变黄变脆后，停止照射，静置一段时间；步骤S3：使用二氧化碳喷砂机对基底表面变脆后的PC膜层进行喷砂剥离，PC膜层粉化脱离产品基底。通过上述方式，本发明能够在不伤害产品基底的前提下剥离PC膜层，能够完美剥离膜层，无残留。无残留。无残留。


技术研发人员：傅其裕
受保护的技术使用者：百腾科技（苏州）有限公司
技术研发日：2021.07.09
技术公布日：2021/9/21