1.本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种驱动背板及其制作方法、转移方法、显示装置。
背景技术:
2.微发光二极管(micro
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led)显示面板与传统的液晶显示面板相比,具有分辨率更高、对比度更好、响应时间更快及能耗更低等优点,具有良好的应用前景,因而被视为下一代显示技术。
3.在相关技术中,微发光二极管芯片只能通过在晶圆衬底上外延生长制备,然后通过转移基板将几万至几十万个微发光二极管芯片转移到目标基板上形成led阵列。在微发光二极管芯片的转移过程中,需要将微发光二极管芯片的电极与目标基板上的绑定焊盘进行绑定(bonding)。然而,在采用相关技术进行微发光二极管芯片的绑定时,普遍存在成本高、转移效率和产品良率低的问题,同时也难以实现大尺寸显示面板的制作。
技术实现要素:
4.有鉴于此,本公开的目的在于提出一种驱动背板及其制作方法、转移方法、显示装置。
5.基于上述目的,本公开提供了一种驱动背板,包括:衬底基板;所述衬底基板包括阵列排布的若干像素区域;任意相邻的两个所述像素区域之间均设置有绝缘材质的第一挡墙;每个所述像素区域内均设置有一对绑定焊盘,所述绑定焊盘之间设置有绝缘材质的第二挡墙;
6.每个所述像素区域还均设置有绝缘材质且掺杂有导电微球的框胶;所述框胶用于将微发光二极管芯片固定连接至相应的所述像素区域,并将所述像素区域内的所述绑定焊盘和所述第二挡墙封装于内;所述导电微球用于使微发光二极管芯片的电极与所述绑定焊盘电连接。
7.基于同一发明构思,本公开还提供了一种驱动背板的制作方法,包括:
8.提供一衬底基板;所述衬底基板包括阵列排布的若干像素区域;每个所述像素区域内均设置有一对绑定焊盘;
9.在任意相邻的两个所述像素区域之间形成绝缘材质的第一挡墙;
10.在每个所述像素区域内的所述绑定焊盘之间形成绝缘材质的第二挡墙;
11.为每个所述像素区域形成绝缘材质且掺杂有导电微球的框胶;所述框胶将相应的所述像素区域内的所述绑定焊盘和所述第二挡墙封装于内。
12.基于同一发明构思,本公开还提供了一种转移方法,包括:
13.通过转移基板拾取微发光二极管芯片;
14.将所述转移基板与如上任一项所述的驱动背板进行对位和压合,以通过所述框胶使所述微发光二极管芯片连接至所述驱动背板,并通过所述导电微球使微发光二极管芯片
的电极与所述绑定焊盘电连接;
15.使所述框胶固化,并将所述转移基板剥离。
16.基于同一发明构思,本公开还提供了一种显示装置,包括:如上任一项所述的驱动背板。
17.从上面所述可以看出,本公开提供的驱动背板及其制作方法、转移方法、显示装置,对于驱动背板上的像素区域,通过掺杂有导电微球的框胶来将micro
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led芯片固定连接,并通过导电微球实现micro
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led芯片的电极与所述绑定焊盘电连接,能够在有效的实现micro
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led芯片的绑定的同时,满足低成本、大尺寸显示面板制作的要求。此外,通过第一挡墙和第二挡墙来分别防止同一micro
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led芯片的电极之间和不同micro
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led芯片的电极之间的导电微球接触,以防止相邻micro
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led芯片相互导通和micro
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led芯片的电极间发生短路的不良现象的发生,有效提升制作效率和产品良率。
附图说明
18.为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案,下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1为本公开实施例的驱动背板的俯视示意图;
20.图2为本公开实施例的驱动背板的侧视示意图;
21.图3为本公开实施例的完成micro
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led芯片转以后的驱动背板示意图;
22.图4a为本公开实施例中一种辅助挡墙设置方式示意图;
23.图4b为本公开实施例中另一种辅助挡墙设置方式示意图;
24.图5为本公开实施例的驱动背板制作方法流程示意图;
25.图6为本公开实施例中形成框胶步骤的流程示意图;
26.图7为本公开实施例中的丝印网格设置位置示意图;
27.图8为本公开实施例的转移方法流程示意图。
具体实施方式
28.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本公开进一步详细说明。
29.需要说明的是,除非另外定义,本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
30.在微发光二极管芯片的转移过程中,需要将微发光二极管芯片(后简称为micro
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led芯片)的电极与目标基板上的绑定焊盘进行绑定(bonding)。相关技术中,常采用异方性导电胶膜(anisotropic conductive film,acf)键合绑定与共晶焊绑定进行micro
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led芯片的绑定。采用共晶焊绑定时,需要预先在背板上采用电镀或者化学镀的方式在绑定焊盘上制备共晶金属层,相关技术形成的共晶金属层的均一性较差且该均一性较差的问题在大尺寸时尤为明显,无法满足绑定时对绑定焊盘平整度的要求,此外电镀膜层使用的贵金属成本较高。采用acf键合绑定时,成本较高,且受工艺限制,目前无法实现大尺寸micro
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led芯片显示面板的制作(相关技术仅能实现100*100mm尺寸的面板的制作)。此外,采用相关技术进行绑定时,还容易出现micro
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led芯片的电极间发生短路、以及相邻micro
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led芯片相互导通的不良现象,造成产品良率较低。
31.有鉴于此,本公开实施例提供了一种驱动背板及其制作方法、转移方法、显示装置,对于驱动背板上的像素区域,通过掺杂有导电微球的框胶来将micro
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led芯片固定连接,并通过导电微球实现micro
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led芯片的电极与所述绑定焊盘电连接,能够在有效的实现micro
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led芯片的绑定的同时,满足低成本、大尺寸显示面板制作的要求。此外,通过第一挡墙和第二挡墙来分别防止同一micro
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led芯片的电极之间和不同micro
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led芯片的电极之间的导电微球接触,以防止相邻micro
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led芯片相互导通和micro
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led芯片的电极间发生短路的不良现象的发生,有效提升制作效率和产品良率。
32.以下,通过具体的实施例来详细说明本公开的方案。
33.首先,本公开实施例提供了一种驱动背板。在进行micro
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led芯片的转移时,该驱动背板作为目标基板来接收转移基板转移来的micro
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led芯片。经过micro
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led芯片的绑定后形成micro
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led芯片阵列,进而能够用作显示背板以实现显示功能。
34.参考图1和图2,所述的驱动背板包括:衬底基板100,该衬底基板100的材料可以为玻璃、石英或者硬性或柔性的透明树脂材料等,本申请对此不做限定。
35.衬底基板100上包括有阵列排布的若干像素区域。该些像素区域可以与待绑定的micro
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led芯片一一对应。参考图1和图2,每个像素区域内均设置有一对绑定焊盘101,该绑定焊盘101用于绑定micro
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led芯片。衬底基板100上还设置有用于驱动micro
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led芯片的驱动电路,micro
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led芯片相应的绑定至像素区域后,micro
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led芯片便可以通过绑定焊盘101与驱动电路相连。进一步的,通过驱动电路对于micro
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led芯片的驱动,即可以实现显示功能。
36.参考图2,每个像素区域还均设置有框胶102。该框胶102为绝缘材质,根据不同的实施需要,可以选择丙烯酸树脂、环氧树脂或聚酰亚胺树脂(polyimide,pi),或者是上述三种树脂的混合树脂。框胶102可以通过任意可行的制作工艺形成于像素区域,例如丝网印刷。其中,框胶102在未完全固化时具有一定的粘附性,可以将micro
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led芯片粘附固定在像素区域内。
37.参考图2,框胶102内还掺杂有导电微球103。导电微球103可以是金属材质的微球(例如材质为金),也可以是通过在树脂材料微球的表面通过表面沉积方式形成金属材质表面,以得到具有导电性的微球结构。通过在框胶102中掺杂导电微球103,使得micro
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led芯片在经过框胶102固定后,可以进一步通过导电微球103与像素区域内的绑定焊盘101实现电连接。一般情况下,基于micro
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led芯片、像素区域、框胶102的整体尺寸设计考虑,导电微球103的直径可以设置为2微米~5微米。此外,基于对micro
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led芯片绑定后的导通电阻的
设计考虑(掺杂比例越高导通电阻越小),导电微球103的掺杂质量比可以设置为1%~10%。另一方面,与导电微球103的直径相适应的,框胶102的高度可以设置为4微米~10微米。
38.参考图1和图2,所述的衬底基板100上还设置有第一挡墙104和第二挡墙105。其中,在任意相邻的两个像素区域之间均设置有第一挡墙104。对于每个像素区域,其内的一对绑定焊盘之间设置有第二挡墙105。
39.第二挡墙105基于其设置位置,可以将一个像素区域内的micro
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led芯片的两个电极相互绝缘的间隔开,这样即能够防止micro
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led芯片的两个电极由于框胶102内的导电微球103的作用而相互连通,进而防止micro
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led芯片发生短路。其中,第二挡墙105为绝缘材质,根据不同的实施需要,可以选择丙烯酸树脂、酚醛树脂或pi,或者是上述三种树脂的混合树脂。
40.在第二挡墙105的厚度方面,对于常见的micro
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led芯片的尺寸(典型的如25*30um、15*30um),micro
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led芯片的两个电极的间距一般为11微米左右。此外,在进行micro
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led芯片的转移时,转移精度上一般还会存在有3微米
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5微米的位置误差。为满足常见的micro
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led芯片的尺寸要求,并为转移时存在位置误差留出一定的空间余量,第二挡墙105的厚度可以设置为2微米。进一步的,考虑到随着micro
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led芯片的尺寸的增大,其上的电极间距也会相应增大,故第二挡墙105的厚度可以为2微米~5微米。在第二挡墙105的长度方面,为实现阻隔作用,同时基于micro
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led芯片的电极尺寸,第二挡墙105的长度可以为10微米~50微米。在第二挡墙105的高度方面,需要保证框胶102内的导电微球103不会越过第二挡墙105以实现阻隔作用,同时还需要保证第二挡墙105不会影响到micro
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led芯片与导电微球103之间的压合,故综合考虑,第二挡墙105的高度设置为比导电微球103的直径大1微米~2微米,即可以设置第二挡墙105的高度为3微米~7微米。
41.需要说明的是,本公开实施例中,厚度是指在平行于衬底基板100的平面内,较短一边对应的长度值。长度是指在平行于衬底基板100的平面内,较长一边对应的长度值。高度是指在垂直于衬底基板100的平面内的长度值。
42.第一挡墙104基于其设置位置,可以防止相邻像素区域的框胶102内的导电微球103相接触,从而相应的避免相邻的micro
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led芯片导通。第一挡墙104为绝缘材质,根据不同的实施需要,可以选择丙烯酸树脂、酚醛树脂或pi,或者是上述三种树脂的混合树脂。基于micro
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led芯片的自身尺寸以及micro
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led芯片阵列分布尺寸的考虑,第一挡墙104的规格可以设置为:厚度为2微米~10微米,长度为10微米~100微米,高度为3微米~7微米。
43.基于上述具体设置,经过micro
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led芯片的转移和绑定后,得到的驱动背板可参考图3所示。其中,micro
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led芯片200通过框胶102连接至衬底基板100上的像素区域,且micro
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led芯片200的电极201通过框胶102中导电微球103与绑定焊盘101实现电连接。
44.在一些实施例中,第一挡墙104和第二挡墙105可以是通过一次构图工艺在衬底基板100上形成的。这样,第一挡墙104和第二挡墙105可以选择相同的材质、形成后具有相同的高度,并且通过一次构图工艺形成能够有效的节约工艺流程,有助于提高制作效率、节约制作成本。
45.在一些实施例中,参考图2,框胶102中还掺杂有硅球106。该硅球106作为支撑球体,在对框胶102的整体结构起到一定的结构加强效果的同时,还能够限制导电微球103的
形变,此外还能够提高micro
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led芯片绑定后的导通电阻的稳定性。参考导电微球103的大小和掺杂比例,硅球106的直径可以设置为1.5微米~4.5微米,硅球106的掺杂质量比可以设置为1%~3%。
46.在一些实施例中,参考图4a和图4b,于衬底基板100上的像素区域内,还设置有辅助挡墙107。该辅助挡墙107可以与第二挡墙105相互配合以构成限定区域,该限定区域将绑定焊盘101围绕于内。在形成框胶102时,以及进行绑定时将micro
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led芯片压合至框胶102时,均会造成框胶102向四周的扩散。通过辅助挡墙107的设置,能够有效的限制上述框胶102的扩散,从而精准的限定框胶102的设置范围,使得各框胶102的形貌统一,有利于提升产品良率。
47.辅助挡墙107的设置方式可以根据实施需要而灵活设置。例如,参考图4a,辅助挡墙107可以相互平行的分别设置在第二挡墙105长度方向的两端,辅助挡墙107与第二挡墙105整体上构成“工”字形结构。相应的,该“工”字形结构,对应于两个绑定焊盘101分别形成了三面包围的限定区域,该三面包围的限定区域可以限定框胶102在大部分边缘方向的扩散。例如,参考图4b,在图4a所示结构的基础上,还可以在进一步设置与第二挡墙105平行的两辅助挡墙107,使辅助挡墙107与第二挡墙105整体上构成“日”字形结构。相应的,该“日”字形结构,对应于两个绑定焊盘101分别形成了全部包围的限定区域,该全部包围的限定区域可以限定框胶102在全部边缘方向的扩散。
48.需要说明的是,本公开实施例和附图中,对于像素区域、绑定焊盘、micro
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led芯片的电极等特征的数量、分布方式等内容,仅为示例性的示出和说明。也即,在具体实施过程中,上述特征的具体数量和分布方式可以与附图中示出的不同。
49.由上述实施例可见,本公开提供的驱动背板,对于驱动背板上的像素区域,通过掺杂有导电微球的框胶来将micro
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led芯片固定连接,并通过导电微球实现micro
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led芯片的电极与所述绑定焊盘电连接,能够在有效的实现micro
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led芯片的绑定的同时,满足低成本、大尺寸显示面板制作的要求。此外,通过第一挡墙和第二挡墙来分别防止同一micro
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led芯片的电极之间和不同micro
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led芯片的电极之间的导电微球接触,以防止相邻micro
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led芯片相互导通和micro
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led芯片的电极间发生短路的不良现象的发生,有效提升产品良率。
50.基于同一发明构思,本公开还提供了一种驱动背板的制作方法。参考图5,该驱动背板的制作方法,包括以下步骤:
51.步骤s501、提供一衬底基板;所述衬底基板包括阵列排布的若干像素区域;每个所述像素区域内均设置有一对绑定焊盘。
52.步骤s502、在任意相邻的两个所述像素区域之间形成绝缘材质的第一挡墙。
53.步骤s503、在每个所述像素区域内的所述绑定焊盘之间形成绝缘材质的第二挡墙。
54.于步骤s501至步骤s503中,所述的衬底基板、像素区域、绑定焊盘、第一挡墙和第二挡墙,该些特征的选材、规格、设置方式,以及相应技术效果等内容,在前述驱动背板的实施例中已有相关说明,上述各特征的实施方式可以参照前述驱动背板的实施例。
55.步骤s504、为每个所述像素区域形成绝缘材质且掺杂有导电微球的框胶;所述框胶将相应的所述像素区域内的所述绑定焊盘和所述第二挡墙封装于内。
56.于步骤s504中,框胶和导电微球的选材、规格、设置方式,以及相应技术效果等内容,在前述驱动背板的实施例中已有相关说明,上述各特征的实施方式可以参照前述驱动背板的实施例。
57.在一些实施例中,框胶通过丝网印刷工艺形成。通过丝网印刷工艺形成框胶,并基于第一挡墙和第二挡墙的设置,能够实现大尺寸显示面板的制作。
58.例如,参考图6,形成框胶的步骤可以具体包括:
59.步骤s601、提供一丝网印版;所述丝网印版包括若干丝印网格;
60.步骤s602、将所述丝网印版对位的设置于所述衬底基板,以使若干所述丝印网格与若干所述像素区域一一对应;其中,任一所述丝印网格的边缘与其对应的所述像素区域内的所述绑定焊盘的边缘之间至少有30微米的间距;
61.步骤s603、通过所述丝网印版进行丝网印刷,以为每个所述像素区域对应的形所述成框胶。
62.本实施例中,丝网印版用于在丝网印刷过程中限定印刷得到的印刷图案,具体是通过丝网印版上的镂空部分形成印刷图案。本实施例中,丝网印版包括若干丝印网格,该若干丝印网格与衬底基板上的若干所述像素区域一一对应。也即,通过丝印网格来形成像素区域对应的框胶。
63.本实施例中,在丝网印刷工艺中,通过丝网印版上的丝印网格对应形成的框胶。为保证形成的框胶能够将绑定焊盘有效的封装于内,故对于丝印网格的大小设置会考虑丝网印刷过程中的相关因素。其中,在将丝网印版与衬底基板进行对位时,丝印网格一般会存在有10微米左右的误差。此外,印刷过程中,丝网印版还会发生一定程度的变形,变形后的丝印网格会对形成的框胶的形成产生影响,该影响带来的误差一般会在20微米左右。故,参考图7,丝印网格400相应设置为在丝网印版与衬底基板对位后,丝印网格的边缘与其对应的像素区域内述绑定焊盘101的边缘之间至少有30微米的间距。
64.完成丝网印版与衬底基板的对位后,将用于形成框胶的材料注入丝网印版的一端,通过刮板向丝网印版施加一定压力,同时朝丝网印版另一端匀速移动,即能够通过丝印网格在衬底基板形成于像素区域对应的框胶。
65.本公开实施例的制作方法,可以制作如上任意实施例所述的驱动背板,该驱动背板相应具有上述实施例的驱动背板对应的有益效果。其中,框胶通过丝网印刷工艺形成,能够低成本、高效率的实现大尺寸显示面板的制作。
66.基于同一发明构思,本公开还提供了一种转移方法,该转移方法用于实现micro
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led芯片的巨量转移。参考图8,所述的转移方法,包括以下步骤:
67.步骤s801、通过转移基板拾取微发光二极管芯片;
68.步骤s802、将所述转移基板与如上任一实施例所述的驱动背板进行对位和压合,以通过所述框胶使所述微发光二极管芯片连接至所述驱动背板,并通过所述导电微球使微发光二极管芯片的电极与所述绑定焊盘电连接;
69.步骤s803、使所述框胶固化,并将所述转移基板剥离。
70.本实施例中,通过转移基板从晶圆衬底上拾取micro
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led芯片,具体的拾取方式可以选择机械力、磁吸附等,本实施例中不做具体限定。然后,拾取有micro
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led芯片转移基板与驱动背板进行对位,以使得micro
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led芯片与驱动背板上的像素区域相对应。接着,将转
移基板与驱动背板进行压合,通过压合,使micro
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led芯片连接至框,同时使micro
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led芯片的电极与驱动背板上的绑定焊盘通过框胶内的导电微球实现电连接。最后,通过加热和uv固化(紫外光干燥固化)的方式,使框胶完全固化,令micro
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led芯片稳固的固定连接至驱动背板,并将转移基板剥离,以得到转移完成后的驱动背板。转移完成后的驱动背板的结构可参考图3所示。
71.基于同一发明构思,本公开还提供了一种显示装置,该显示装置包括:如上任一实施例所述的驱动背板。
72.需要说明的是,对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本发明的限制。
73.本实施例的显示装置由于使用了前述实施例的驱动背板,有效的避免了相关技术中的驱动背板存在的相邻micro
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led芯片相互导通和micro
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led芯片的电极间发生短路的不良现象的问题,能够满足低成本、大尺寸显示面板制作的要求,并能够有效提升制作效率和产品良率。
74.所属领域的普通技术人员应当理解:以上任何实施例的讨论仅为示例性的,并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子;在本公开的思路下,以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合,步骤可以以任意顺序实现,并存在如上所述的本公开实施例的不同方面的许多其它变化,为了简明它们没有在细节中提供。
75.本公开实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此,凡在本公开实施例的精神和原则之内,所做的任何省略、修改、等同替换、改进等,均应包含在本公开的保护范围之内。
技术特征:
1.一种驱动背板,包括:衬底基板;所述衬底基板包括阵列排布的若干像素区域;任意相邻的两个所述像素区域之间均设置有绝缘材质的第一挡墙;每个所述像素区域内均设置有一对绑定焊盘,所述绑定焊盘之间设置有绝缘材质的第二挡墙;每个所述像素区域还均设置有绝缘材质且掺杂有导电微球的框胶;所述框胶用于将微发光二极管芯片固定连接至相应的所述像素区域,并将所述像素区域内的所述绑定焊盘和所述第二挡墙封装于内;所述导电微球用于使微发光二极管芯片的电极与所述绑定焊盘电连接。2.根据权利要求1所述的驱动背板,其中,所述第二挡墙的厚度为2微米~5微米;所述第二挡墙的高度设置为比所述导电微球的直径大1微米~2微米。3.根据权利要求1所述的驱动背板,其中,所述第一挡墙与所述第二挡墙是通过一次构图工艺形成的。4.根据权利要求1所述的驱动背板,其中,所述框胶内还掺杂有硅球。5.根据权利要求4所述的驱动背板,其中,所述导电微球的直径为2微米~5微米,所述导电微球在所述框胶内的掺杂质量比为1%~10%;所述硅球的直径为1.5微米~4.5微米,所述硅球在所述框胶内的掺杂质量比为1%~3%。6.根据权利要求1所述的驱动背板,其中,所述框胶的高度为4微米~10微米。7.根据权利要求1所述的驱动背板,其中,所述像素区域内还设置有辅助挡墙;所述辅助挡墙与所述第二挡墙配合构成限定区域,所述限定区域用于限定所述框胶的设置范围。8.一种驱动背板的制作方法,包括:提供一衬底基板;所述衬底基板包括阵列排布的若干像素区域;每个所述像素区域内均设置有一对绑定焊盘;在任意相邻的两个所述像素区域之间形成绝缘材质的第一挡墙;在每个所述像素区域内的所述绑定焊盘之间形成绝缘材质的第二挡墙;为每个所述像素区域形成绝缘材质且掺杂有导电微球的框胶;所述框胶将相应的所述像素区域内的所述绑定焊盘和所述第二挡墙封装于内。9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述框胶通过丝网印刷工艺形成。10.根据权利要求9所述的方法,其中,为每个所述像素区域形成绝缘材质且掺杂有导电微球的框胶,具体包括:提供一丝网印版;所述丝网印版包括若干丝印网格;将所述丝网印版对位的设置于所述衬底基板,以使若干所述丝印网格与若干所述像素区域一一对应;其中,任一所述丝印网格的边缘与其对应的所述像素区域内的所述绑定焊盘的边缘之间至少有30微米的间距;通过所述丝网印版进行丝网印刷,以为每个所述像素区域对应的形所述成框胶。11.一种转移方法,包括:通过转移基板拾取微发光二极管芯片;将所述转移基板与如权利要求1至7任一项所述的驱动背板进行对位和压合,以通过所述框胶使所述微发光二极管芯片连接至所述驱动背板,并通过所述导电微球使微发光二极管芯片的电极与所述绑定焊盘电连接;使所述框胶固化,并将所述转移基板剥离。
12.一种显示装置,包括:如权利要求1至7任一项所述的驱动背板。
技术总结
本公开提供一种驱动背板及其制作方法、转移方法、显示装置。所述驱动背板,包括:衬底基板;所述衬底基板包括阵列排布的若干像素区域;任意相邻的两个所述像素区域之间均设置有绝缘材质的第一挡墙;每个所述像素区域内均设置有一对绑定焊盘,所述绑定焊盘之间设置有绝缘材质的第二挡墙;每个所述像素区域还均设置有绝缘材质且掺杂有导电微球的框胶;所述框胶用于将微发光二极管芯片固定连接至相应的所述像素区域,并将所述像素区域内的所述绑定焊盘和所述第二挡墙封装于内;所述导电微球用于使微发光二极管芯片的电极与所述绑定焊盘电连接。本公开的方案能够满足低成本、大尺寸显示面板制作的要求,并能够有效提升制作效率和产品良率。产品良率。产品良率。
技术研发人员:李树磊 康昭 谷新 张笑 黄华 王明星 赵梦华
受保护的技术使用者:京东方科技集团股份有限公司
技术研发日:2021.02.25
技术公布日:2021/6/29
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