处理装置的制作方法

专利2022-05-09  115


本发明涉及一种处理装置。



背景技术:

在专利文献1中,作为向介质实施处理的处理装置的一个示例,记载了向介质实施印刷的图像形成装置。该图像形成装置具备对介质的表面粗糙度进行检测的传感器。图像形成装置根据由传感器检测到的介质的表面粗糙度而对介质的光泽度进行判断。图像形成装置根据介质的光泽度而对介质的种类进行判断。图像形成装置通过对介质的种类进行判断,从而以与其种类相应的设定而对介质实施印刷。

即便是相同种类的介质,介质的表面粗糙度也可能按照每个介质而不同。并不限于介质的表面粗糙度,即便是相同种类的介质,其特性也可能按照每个介质而不同。例如,即便对相同种类的介质实施相同的处理,介质所包含的水分量的变化可能按照每个介质而不同。介质所包含的水分量会对介质的印刷品质产生较大的影响。因此,对相对于处理的介质所包含的水分量的变化进行检测在处理装置中是重要的。

专利文献1:日本特开2017-181060号公报



技术实现要素:

解决上述技术问题的处理装置具备:第一光源以及第二光源,其发出峰值波长被包含于900nm以上且2100nm以下的光;第一受光部,其接收所述第一光源所发出的光;第二受光部,其接收所述第二光源所发出的光;支承部,其对被输送的介质进行支承;处理部,其与所述支承部对置,并向所述介质实施使所述介质所包含的水分量增加或者减少的处理,所述第一光源以及所述第一受光部位于与所述处理部相比靠被输送的所述介质的输送方向的上游,所述第一光源向由所述处理部实施处理之前的所述介质照射光,所述第一受光部接收在所述介质处反射后的光,所述第二光源以及所述第二受光部位于与所述处理部相比靠所述输送方向的下游,所述第二光源向由所述处理部实施了处理之后的所述介质照射光,所述第二受光部接收在所述介质处反射后的光。

附图说明

图1为表示具备处理装置的印刷系统的第一实施方式的示意图。

图2为图1的放大图。

图3为第一遮光部为第一状态的第一光学传感器的剖视图。

图4为第一遮光部为第二状态的第一光学传感器的剖视图。

图5为第二遮光部为第三状态的第二光学传感器的剖视图。

图6为第二遮光部为第四状态的第二光学传感器的剖视图。

图7为表示电容传感器的剖视图。

图8为表示具备处理装置的印刷系统的第二实施方式的示意图。

具体实施方式

以下,参照附图,对具备处理装置的印刷系统的一个实施方式进行说明。

第一实施方式

如图1所示,第一实施方式的印刷系统11具备保持装置12、收卷装置13、印刷装置14、和干燥装置15。

保持装置12为对重叠卷绕介质99而成的卷筒体100进行保持的装置。保持装置12具有对卷筒体100进行保持的保持轴17。保持轴17例如被构成为能够旋转。伴随着保持轴17旋转,从卷筒体100上放卷出介质99。在第一实施方式中,保持轴17并不会主动地旋转,而是例如通过从卷筒体100拉拽介质99,从而使保持轴17和卷筒体100一起旋转。介质99例如为纸张、布等薄片。保持轴17也可以为不旋转的结构。在该情况下,通过从卷筒体100拉拽介质99,从而卷筒体100相对于保持轴17进行旋转。

收卷装置13为对从保持装置12被放卷出的介质99进行收卷的装置。收卷装置13具有对介质99进行收卷的收卷轴18。收卷轴18被构成为能够旋转。收卷轴18通过进行旋转而对介质99进行收卷。其结果是,收卷轴18对通过收卷介质99而形成的卷筒体100进行保持。在第一实施方式中,通过收卷轴18进行旋转,从而从被保持于保持轴17的卷筒体100上放卷出介质99。

介质99通过被收卷装置13收卷而被输送。介质99从保持装置12朝向收卷装置13而被输送。在第一实施方式中,从保持装置12朝向收卷装置13的方向为介质99的输送方向y。介质99具有正面99a、和与正面99a相反的面即背面99b。

印刷装置14为在介质99上进行印刷的装置。印刷装置14为,例如通过向介质99喷出作为液体的一个示例的油墨,从而对文字、照片、图形等图像进行记录的喷墨式的打印机。在第一实施方式中,印刷装置14为处理装置的一个示例。即,印刷装置14通过在介质99上进行印刷,从而对介质99实施处理。

印刷装置14在输送方向y上位于保持装置12与收卷装置13之间。进一步而言,印刷装置14在输送方向y上位于保持装置12与干燥装置15之间。因此,从保持装置12被放卷出的介质99依次穿过印刷装置14、干燥装置15。

印刷装置14具备第一支承部21、印刷部22、和第一控制部23。印刷装置14具备第一超声波传感器24和第二超声波传感器25。印刷装置14具备第一光学传感器26和第二光学传感器27。印刷装置14具备电容传感器28。

第一支承部21例如为板状的部件。第一支承部21对被输送的介质99进行支承。第一实施方式的第一支承部21从下方支承介质99。第一实施方式的第一支承部21与介质99的背面99b接触。第一支承部21为在印刷系统11中印刷装置14所具备的支承部。第一实施方式的第一支承部21具有用于安装电容传感器28的安装孔31。

印刷部22与第一支承部21对置。第一实施方式的印刷部22位于第一支承部21的上方。印刷部22被构成为,在介质99上进行印刷。第一实施方式的印刷部22具备头32和滑架33。

头32与第一支承部21对置。第一实施方式的头32位于第一支承部21的上方。头32向被支承于第一支承部21的介质99喷出液体。其结果是,在介质99上印刷图像。第一实施方式的头32向介质99的正面99a喷出液体。头32所喷出的液体例如为将水作为溶剂的水系油墨。

当头32向介质99喷出液体时,介质99所包含的水分量增加。即,头32通过向介质99喷出液体,从而向介质99实施使介质99所包含的水分量增加的处理。头32对介质99的与第一支承部21所接触的背面99b相反的正面99a实施处理。在这点上,第一实施方式的头32为处理部的一个示例。

滑架33搭载头32。滑架33与第一支承部21对置。第一实施方式的滑架33位于第一支承部21的上方。滑架33相对于被输送的介质99进行扫描。即,滑架33在第一支承部21的上方以跨及介质99的宽度的方式进行往复移动。此时,滑架33在扫描方向x上进行往复移动。

扫描方向x表示包括第一方向d1和第二方向d2在内的双方向。第一方向d1为与第二方向d2相反的方向。第一方向d1和第二方向d2为与输送方向y以及铅直方向z不同的方向。

第一实施方式的印刷装置14为头32相对于介质99进行扫描的串行式的打印机。印刷装置14也可以为头32以跨及介质99的宽度的方式一齐喷出液体的行式的打印机。

第一控制部23对印刷装置14的各种结构进行控制。例如,第一控制部23对印刷部22进行控制。第一控制部23为在印刷系统11中印刷装置14所具备的控制部。

第一实施方式的第一控制部23被设为,能够与保持装置12、收卷装置13以及干燥装置15进行通信。第一控制部23根据需要而从保持装置12、收卷装置13以及干燥装置15接收信号,或者,向保持装置12、收卷装置13以及干燥装置15发送信号。第一控制部23也可以统括地控制印刷系统11。

第一控制部23能够构成为如下的电路,该电路包括α:按照计算机程序执行各种处理的一个以上的处理器、β:执行各种处理中的至少一部分处理、的面向特定用途的集成电路等一个以上的专用的硬件电路、或者γ:它们的组合。处理器包括cpu以及ram和rom等存储器,存储器存储有以使cpu执行处理的方式而被构成的程序码或者指令。存储器即计算机可读介质包括能够利用通用或者专用的计算机进行存取的所有可读介质。

如图2所示,第一超声波传感器24例如位于与第一支承部21相比靠输送方向y的上游。第一超声波传感器24具有第一发出部34和第一接收部35。第一发出部34和第一接收部35以隔着被输送的介质99的方式而进行设置。在第一实施方式中,第一发出部34和第一接收部35以在上下夹着被输送的介质99的方式而进行设置。即,介质99以穿过第一发出部34与第一接收部35之间的方式而被输送。

第一发出部34例如位于第一接收部35的上方。第一发出部34被构成为发出超声波。第一发出部34朝向第一接收部35而发出超声波。即,第一发出部34朝向下方而发出超声波。因此,在介质99位于第一发出部34与第一接收部35之间的情况下,从第一发出部34发出的超声波照射至介质99。此时,从第一发出部34发出的超声波照射至印刷前的介质99。在介质99未位于第一发出部34与第一接收部35之间的情况下,从第一发出部34发出的超声波直接照射至第一接收部35。

第一接收部35例如位于第一发出部34的下方。第一接收部35被构成为接收超声波。第一接收部35接收第一发出部34所发出的超声波。即,第一接收部35对从上方照射出的超声波进行接收。因此,在介质99位于第一发出部34与第一接收部35之间的情况下,第一接收部35对从第一发出部34发出且透过了介质99的超声波进行接收。此时,第一接收部35对透过了印刷前的介质99的超声波进行接收。在介质99未位于第一发出部34与第一接收部35之间的情况下,第一接收部35直接接收从第一发出部34发出的超声波。

从第一发出部34发出的超声波因透过介质99而衰减。因此,在介质99位于第一发出部34与第一接收部35之间的情况下,和介质99未位于第一发出部34与第一接收部35之间的情况相比,第一接收部35所接收的超声波的强度变低。透过介质99的超声波的衰减程度因介质99的密度、厚度等而变化。

根据在介质99位于第一发出部34与第一接收部35之间的情况下第一接收部35所接收的超声波的强度、和在介质99未位于第一发出部34与第一接收部35之间的情况下第一接收部35所接收的超声波的强度,而对超声波相对于介质99的透过率进行检测。超声波相对于介质99的透过率是指,透过了介质99的超声波相对于第一发出部34所发出的超声波的比例。

在超声波相对于介质99的透过率与介质99的克重之间存在相关性。例如,超声波相对于介质99的透过率越大,则介质99的克重越小。超声波相对于介质99的透过率越小,则介质99的克重越大。这样,根据超声波相对于介质99的透过率来对介质99的克重进行检测。因此,第一超声波传感器24为对介质99的克重进行检测的传感器。也可以根据从第一超声波传感器24发送的信号,由第一控制部23对介质99的克重进行计算。

第二超声波传感器25例如位于与印刷部22相比靠输送方向y的上游。第一实施方式的第二超声波传感器25在输送方向y上位于第一超声波传感器24与印刷部22之间。

第二超声波传感器25具有第二发出部36和第二接收部37。第二发出部36和第二接收部37与第一支承部21对置。第二发出部36和第二接收部37位于第一支承部21的上方。在第一实施方式中,第二发出部36和第二接收部37依次在输送方向y上排列。

第二发出部36被构成为发出超声波。第二发出部36朝向下方而发出超声波。第二发出部36向介质99或者第一支承部21照射超声波。即,在介质99位于第二发出部36的下方的情况下,第二发出部36向介质99照射超声波。此时,第二发出部36向介质99的正面99a照射超声波。在介质99未位于第二发出部36的下方的情况下,第二发出部36向第一支承部21照射超声波。

从第二发出部36发出的超声波在介质99或者第一支承部21处反射。在第一实施方式中,在介质99位于第二发出部36的下方的情况下,从第二发出部36发出的超声波如图2中的实线所示在介质99处反射。此时,从第二发出部36发出的超声波在介质99的正面99a处反射。在介质99未位于第二发出部36的下方的情况下,从第二发出部36发出的超声波如图2中的双点划线所示在第一支承部21处反射。

第二接收部37被构成为接收超声波。第二接收部37接收第二发出部36所发出的超声波。第二接收部37接收从第二发出部36发出并在介质99或者第一支承部21处反射的超声波。即,在介质99位于第二发出部36的下方的情况下,第二接收部37接收从第二发出部36发出并在介质99处反射的超声波。此时,第二接收部37接收在介质99的正面99a处反射的超声波。在介质99未位于第二发出部36的下方的情况下,第二接收部37接收从第二发出部36发出并在第一支承部21处反射的超声波。

通过第二接收部37接收从第二发出部36发出并在对象物处反射的超声波,从而对第二超声波传感器25与对象物之间的距离进行检测。即,通过对从第二发出部36发出超声波起至第二接收部37接收超声波为止的时间进行检测,即,通过所谓飞行时间,从而对第二超声波传感器25与对象物之间的距离进行检测。在第一实施方式中,第二超声波传感器25对第二超声波传感器25与对象物之间的铅直距离进行检测。

通过第二接收部37接收从第二发出部36发出并在介质99的正面99a处反射的超声波,从而对第二超声波传感器25与介质99的正面99a之间的距离进行检测。通过第二接收部37接收从第二发出部36发出并在第一支承部21处反射的超声波,从而对第二超声波传感器25与第一支承部21之间的距离进行检测。此处,能够将第二超声波传感器25与第一支承部21之间的距离视为第二超声波传感器25与介质99的背面99b之间的距离。

能够根据第二超声波传感器25与正面99a之间的距离和第二超声波传感器25与背面99b之间的距离,把握正面99a与背面99b的距离即介质99的厚度。即,根据在介质99的正面处反射的超声波和在第一支承部21处反射的超声波对介质99的厚度进行检测。这样,第二超声波传感器25为对介质99的厚度进行检测的传感器。也可以根据从第二超声波传感器25发送的信号,由第一控制部23对介质99的厚度进行计算。

如图1所示,第一光学传感器26位于与头32相比靠输送方向y的上游。第一光学传感器26与第一支承部21对置。第一光学传感器26位于第一支承部21的上方。第一光学传感器26例如被安装于滑架33。第一实施方式的第一光学传感器26相对于滑架33而被安装于朝向输送方向y的上游的面。第一光学传感器26通过被安装于滑架33上,而和滑架33一起相对于介质99进行扫描。

如图3以及图4所示,第一光学传感器26具有第一壳体41、第一光源42、和第一受光部43。第一实施方式的第一光学传感器26还具有第一遮光部44。第一光学传感器26为反射型的光学传感器。

第一壳体41收容第一光源42、第一受光部43、第一遮光部44。第一壳体41的形状为例如长方体或者长方体状。第一壳体41具有第一开口45。第一开口45被设置于第一壳体41中的与第一支承部21对置的面。即,在第一实施方式中,第一开口45被设置于第一壳体41的下表面。第一壳体41的内部和第一壳体41的外部通过第一开口45而相通。

第一光源42为发出光的光源。第一光源42发出将水的吸收波长设为峰值波长的光。第一光源42例如被构成为,发出峰值波长被包含于900nm以上2100nm以下的光。第一实施方式的第一光源42发出近红外光。

第一实施方式的第一光源42朝向下方照射光。因此,第一实施方式的第一光源42例如向由头32实施处理之前的介质99照射光。此时,第一光源42向介质99的正面99a照射光。

第一光源42具有发光的一个或者多个发光元件。在第一实施方式中,第一光源42具有多个发光元件。具体而言,第一光源42具有峰值波长不同的多个发光元件。发光元件例如为led。第一光源42例如具有第一发光元件46和第二发光元件47。第一光源42也可以具有三个以上的发光元件。

第一发光元件46为例如发出峰值波长为940nm的光的发光元件。940nm为水的吸收波长。第二发光元件47为例如发出峰值波长为1450nm的光的发光元件。1450nm为水的吸收波长。第一发光元件46以及第二发光元件47只要为发出峰值波长为水的吸收波长的光的发光元件即可。例如,第一发光元件46既可以为发出峰值波长为1800nm的光的发光元件,也可以为发出峰值波长为1940nm的光的发光元件,还可以为发出峰值波长为2100nm的光的发光元件。同样地,第二发光元件47既可以为发出峰值波长为1800nm的光的发光元件,也可以为发出峰值波长为1940nm的光的发光元件,还可以为发出峰值波长为2100nm的光的发光元件。1800nm、1940nm、2100nm均为水的吸收波长。

第一发光元件46所发出的光的峰值波长低于第二发光元件47所发出的光的峰值波长。关于这点,第一发光元件46为短波长发光元件的一个示例。第二发光元件47为长波长发光元件的一个示例。

第一受光部43接收第一光源42所发出的光。第一受光部43例如包括受光元件。受光元件例如为光电二极管。第一受光部43接收从第一光源42在第一检测光路l1中行进的光、或者从第一光源42在第一参照光路l2中行进的光。即,第一光源42所发出的光通过在第一检测光路l1或者第一参照光路l2中行进从而射入至第一受光部43中。

第一检测光路l1为通过第一光源42所发出的光在被支承于第一支承部21的介质99处反射从而射入至第一受光部43中的光路。第一检测光路l1为在图3中由实线所示、并在图4中由双点划线所示的光路。第一检测光路l1经由第一开口45而在第一壳体41的内部和第一壳体41的外部延伸。第一检测光路l1在从第一光源42延伸至被支承于第一支承部21的介质99之后,从介质99延伸至第一受光部43。

在第一检测光路l1中行进的光,首先,通过从第一光源42穿过第一开口45而与介质99碰触。此时,在第一检测光路l1中行进的光与介质99的正面99a碰触。与介质99的正面99a碰触的光在介质99的正面99a处反射。在介质99的正面99a处反射的光通过穿过第一开口45而射入至第一受光部43。这样,第一光源42所发出的光在第一检测光路l1中行进。其结果是,第一受光部43接收在介质99处反射的光。

第一参照光路l2为第一光源42所发出的光以未在被支承于第一支承部21的介质99处反射的方式而射入至第一受光部43中的光路。第一参照光路l2为在图3中由双点划线所示、并在图4中由实线所示的光路。第一参照光路l2在第一壳体41的内部延伸。第一参照光路l2在第一壳体41的内部从第一光源42起笔直地延伸至第一受光部43。因此,在第一参照光路l2中行进的光从第一光源42直接射入至第一受光部43中。借此,第一受光部43直接接收第一光源42所发出的光。

第一遮光部44被构成为对第一光源42所发出的光进行遮挡。第一遮光部44的形状为例如平板或者平板状。第一遮光部44在第一壳体41的内部位于第一光源42与第一受光部43之间。第一遮光部44例如以横跨第一检测光路l1和第一参照光路l2的方式而进行设置。第一遮光部44堵塞第一检测光路l1或者第一参照光路l2。第一遮光部44通过堵塞第一检测光路l1或者第一参照光路l2从而遮挡第一光源42所发出的光。

第一遮光部44被构成为在第一状态s1和第二状态s2之间进行切换。图3所示的第一遮光部44为第一状态s1。图4所示的第一遮光部44为第二状态s2。

第一遮光部44例如通过进行移位而在第一状态s1和第二状态s2之间进行切换。第一实施方式的第一遮光部44被构成为,以作为假想轴的第一旋转轴48为中心进行旋转。第一实施方式的第一遮光部44通过以第一旋转轴48为中心进行旋转从而在第一状态s1和第二状态s2之间进行切换。第一遮光部44例如在能够以第一旋转轴48为中心进行旋转的状态下被支承于第一壳体41。

第一遮光部44例如具有第一孔49。在第一遮光部44为第一状态s1的情况下,第一孔49位于第一检测光路l1上。因此,在第一遮光部44为第一状态s1的情况下,从第一光源42起在第一检测光路l1中行进的光通过穿过第一孔49而射入至第一受光部43。即,第一遮光部44在为第一状态s1的情况下,允许第一光源42所发出的光在第一检测光路l1中行进。另外,在第一遮光部44为第一状态s1的情况下,第一孔49未位于第一参照光路l2上。即,第一遮光部44在为第一状态s1的情况下,不允许第一光源42所发出的光在第一参照光路l2中行进。这样,第一遮光部44的第一状态s1为,第一遮光部44未遮挡第一检测光路l1,且第一遮光部44遮挡第一参照光路l2的状态。

在第一遮光部44为第二状态s2的情况下,第一孔49位于第一参照光路l2上。因此,在第一遮光部44为第二状态s2的情况下,从第一光源42起在第一参照光路l2中行进的光通过穿过第一孔49而射入至第一受光部43。即,第一遮光部44在为第二状态s2的情况下,允许第一光源42所发出的光在第一参照光路l2中行进。另外,在第一遮光部44为第二状态s2的情况下,第一孔49未位于第一检测光路l1上。即,第一遮光部44在为第二状态s2的情况下,不允许第一光源42所发出的光在第一检测光路l1中行进。这样,第一遮光部44的第二状态s2为,第一遮光部44遮挡第一检测光路l1,且第一遮光部44未遮挡第一参照光路l2的状态。

第一遮光部44通过在第一状态s1和第二状态s2之间进行切换,从而决定供第一光源42所发出的光行进的光路。在第一实施方式中,第一控制部23以第一状态s1和第二状态s2来切换第一遮光部44。

当光从第一光源42照射至介质99时,即,当在第一检测光路l1中行进的光与介质99碰触时,一部分光被介质99吸收。特别是,第一光源42所发出的近红外光容易被水吸收。因此,介质99所包含的水分量越多,则被介质99吸收的光越多。相反地,当介质99所包含的水分量较少时,被介质99吸收的光变少。

通过第一受光部43接收在第一检测光路l1中行进的光,从而对在介质99处反射的光的强度进行检测。通过第一受光部43接收在第一参照光路l2中行进的光,从而对第一光源42照射至介质99的光的强度进行检测。根据在第一检测光路l1中行进的光的强度、和在第一参照光路l2中行进的光的强度,对光相对于介质99的反射率进行检测。此处,光相对于介质99的反射率是指,在介质99处反射的光相对于照射至介质99的光的比例。

在光相对于介质99的反射率与介质99所包含的水分量之间存在相关性。例如,光相对于介质99的反射率越大,则介质99所包含的水分量越少。光相对于介质99的反射率越小,则介质99所包含的水分量越多。这样,根据光相对于介质99的反射率,来对介质99所包含的水分量进行检测。因此,第一光学传感器26为对印刷前、即处理前的介质99所包含的水分量进行检测的传感器。第一光学传感器26尤其能够对正面99a的水分量高精度地进行检测。也可以根据从第一光学传感器26发送的信号,由第一控制部23对介质99所包含的水分量进行计算。

如图1所示,第二光学传感器27位于与头32相比靠输送方向y的下游。第二光学传感器27与第一支承部21对置。第二光学传感器27位于第一支承部21的上方。第二光学传感器27例如被安装于滑架33。第一实施方式的第二光学传感器27相对于滑架33而被安装于朝向输送方向y的下游的面。第二光学传感器27通过被安装于滑架33上,而和滑架33一起相对于介质99进行扫描。在第一实施方式中,第二光学传感器27的结构与第一光学传感器26的结构相同。

如图5以及图6所示,第二光学传感器27具有第二壳体51、第二光源52、和第二受光部53。第一实施方式的第二光学传感器27还具有第二遮光部54。第二光学传感器27为反射型的光学传感器。

第二壳体51收容第二光源52、第二受光部53、第二遮光部54。第二壳体51的形状为例如长方体或者长方体状。第二壳体51具有第二开口55。第二开口55被设置于第二壳体51中的与第一支承部21对置的面。即,在第一实施方式中,第二开口55被设置于第二壳体51的下表面。第二壳体51的内部和第二壳体51的外部通过第二开口55而相通。

第二光源52为发出光的光源。第二光源52发出将水的吸收波长设为峰值波长的光。第二光源52例如被构成为,发出峰值波长被包含于900nm以上2100nm以下的光。第一实施方式的第二光源52发出近红外光。

第一实施方式的第二光源52朝向下方照射光。因此,第一实施方式的第二光源52例如向由头32实施了处理之后的介质99照射光。此时,第二光源52向介质99的正面99a照射光。

第二光源52具有发光的一个或者多个发光元件。在第一实施方式中,第二光源52具有多个发光元件。具体而言,第二光源52具有峰值波长不同的多个发光元件。第二光源52例如具有第三发光元件56和第四发光元件57。第二光源52也可以具有三个以上的发光元件。

第三发光元件56为例如发出峰值波长为940nm的光的发光元件。第四发光元件57为例如发出峰值波长为1450nm的光的发光元件。第三发光元件56以及第四发光元件57只要为发出峰值波长为水的吸收波长的光的发光元件即可。例如,第三发光元件56既可以为发出峰值波长为1800nm的光的发光元件,也可以为发出峰值波长为1940nm的光的发光元件,还可以为发出峰值波长为2100nm的光的发光元件。同样地,第四发光元件57既可以为发出峰值波长为1800nm的光的发光元件,也可以为发出峰值波长为1940nm的光的发光元件,还可以为发出峰值波长为2100nm的光的发光元件。

第三发光元件56所发出的光的峰值波长低于第四发光元件57所发出的光的峰值波长。关于这点,第三发光元件56为短波长发光元件的一个示例。第四发光元件57为长波长发光元件的一个示例。

第二受光部53接收第二光源52所发出的光。第二受光部53例如包括受光元件。第二受光部53接收从第二光源52在第二检测光路l3中行进的光、或者从第二光源52在第二参照光路l4中行进的光。即,第二光源52所发出的光通过在第二检测光路l3或者第二参照光路l4中行进从而射入至第二受光部53中。

第二检测光路l3为通过第二光源52所发出的光在被支承于第一支承部21的介质99处反射从而射入至第二受光部53中的光路。第二检测光路l3为在图5中由实线所示、并在图6中由双点划线所示的光路。第二检测光路l3经由第二开口55而在第二壳体51的内部和第二壳体51的外部延伸。第二检测光路l3在从第二光源52延伸至被支承于第一支承部21的介质99之后,从介质99延伸至第二受光部53。

在第二检测光路l3中行进的光,首先,通过从第二光源52穿过第二开口55而与介质99碰触。此时,在第二检测光路l3中行进的光与介质99的正面99a碰触。与介质99的正面99a碰触的光在介质99的正面99a处反射。在介质99的正面99a处反射的光通过穿过第二开口55而射入至第二受光部53。这样,第二光源52所发出的光在第二检测光路l3中行进。其结果是,第二受光部53接收在介质99处反射的光。

第二参照光路l4为第二光源52所发出的光以未在被支承于第一支承部21的介质99处反射的方式而射入至第二受光部53中的光路。第二参照光路l4为在图5中由双点划线所示、并在图6中由实线所示的光路。第二参照光路l4在第二壳体51的内部延伸。第二参照光路l4在第二壳体51的内部从第二光源52起笔直地延伸至第二受光部53。因此,在第二参照光路l4中行进的光从第二光源52起直接射入至第二受光部53中。借此,第二受光部53直接接收第二光源52所发出的光。

第二遮光部54被构成为对第二光源52所发出的光进行遮挡。第二遮光部54的形状为例如平板或者平板状。第二遮光部54在第二壳体51的内部位于第二光源52与第二受光部53之间。第二遮光部54例如以横跨第二检测光路l3和第二参照光路l4的方式而进行设置。第二遮光部54堵塞第二检测光路l3或者第二参照光路l4。第二遮光部54通过堵塞第二检测光路l3或者第二参照光路l4从而遮挡第二光源52所发出的光。

第二遮光部54被构成为在第三状态s3和第四状态s4之间进行切换。图5所示的第二遮光部54为第三状态s3。图6所示的第二遮光部54为第四状态s4。

第二遮光部54例如通过进行移位而在第三状态s3和第四状态s4之间进行切换。第一实施方式的第二遮光部54被构成为,以作为假想轴的第二旋转轴58为中心进行旋转。第一实施方式的第二遮光部54通过以第二旋转轴58为中心进行旋转从而切换至第三状态s3和第四状态s4。第二遮光部54例如在能够以第二旋转轴58为中心进行旋转的状态下被支承于第二壳体51。

第二遮光部54例如具有第二孔59。在第二遮光部54为第三状态s3的情况下,第二孔59位于第二检测光路l3上。因此,在第二遮光部54为第三状态s3的情况下,从第二光源52起在第二检测光路l3中行进的光通过穿过第二孔59而射入至第二受光部53。即,第二遮光部54在为第三状态s3的情况下,允许第二光源52所发出的光在第二检测光路l3中行进。另外,在第二遮光部54为第三状态s3的情况下,第二孔59未位于第二参照光路l4上。即,第二遮光部54在为第三状态s3的情况下,不允许第二光源52所发出的光在第二参照光路l4中行进。这样,第二遮光部54的第三状态s3为,第二遮光部54未遮挡第二检测光路l3,且第二遮光部54遮挡第二参照光路l4的状态。

在第二遮光部54为第四状态s4的情况下,第二孔59位于第二参照光路l4上。因此,在第二遮光部54为第四状态s4的情况下,从第二光源52起在第二参照光路l4中行进的光通过穿过第二孔59而射入至第二受光部53。即,第二遮光部54在为第四状态s4的情况下,允许第二光源52所发出的光在第二参照光路l4中行进。另外,在第二遮光部54为第四状态s4的情况下,第二孔59未位于第二检测光路l3上。即,第二遮光部54在为第四状态s4的情况下,不允许第二光源52所发出的光在第二检测光路l3中行进。这样,第二遮光部54的第四状态s4为,第二遮光部54遮挡第二检测光路l3,且第二遮光部54未遮挡第二参照光路l4的状态。

第二遮光部54通过在第三状态s3和第四状态s4之间进行切换,从而决定供第二光源52所发出的光行进的光路。在第一实施方式中,第一控制部23以第三状态s3和第四状态s4来切换第二遮光部54。

通过第二受光部53接收在第二检测光路l3中行进的光,从而对在介质99处反射的光的强度进行检测。通过第二受光部53接收在第二参照光路l4中行进的光,从而对第二光源52照射至介质99的光的强度进行检测。根据在第二检测光路l3中行进的光的强度、和在第二参照光路l4中行进的光的强度,来对光相对于介质99的反射率进行检测。即,与第一光学传感器26相同,根据光相对于介质99的反射率对介质99所包含的水分量进行检测。因此,第二光学传感器27为对印刷后、即处理后的介质99所包含的水分量进行检测的传感器。第二光学传感器27尤其能够对正面99a的水分量高精度地进行检测。也可以根据从第二光学传感器27发送的信号,由第一控制部23对介质99所包含的水分量进行计算。

根据第一光学传感器26的检测结果和第二光学传感器27的检测结果,对介质99所包含的水分量相对于处理部针对介质99实施的处理而发生的变化进行检测。即,在第一实施方式中,对介质99所包含的水分量相对于头32针对介质99喷出的液体而发生的增加进行检测。根据第一光学传感器26的检测结果和第二光学传感器27的检测结果,第一控制部23对介质99所包含的水分量相对于处理而发生的增加进行计算。介质99所包含的水分量相对于处理部针对介质99实施的处理而发生的变化对于把握介质99的特性来说是有用的。

如图1所示,电容传感器28例如被安装于第一支承部21。第一实施方式的电容传感器28被安装于安装孔31。电容传感器28例如在输送方向y上位于第一光学传感器26与第二光学传感器27之间。第一实施方式的电容传感器28位于与头32相比靠输送方向y的下游。

如图7所示,电容传感器28以被收容于安装孔31的方式而进行设置。电容传感器28位于与被支承于第一支承部21的介质99相比靠下方。电容传感器28相对于介质99而从下方进行接触。电容传感器28通过与介质99接触,从而对介质99的电容进行检测。第一实施方式的电容传感器28对印刷后、即实施了处理后的介质99的电容进行检测。

电容传感器28具有保持部61、电极对62、和位置调节部63。保持部61对电极对62进行保持。保持部61的形状例如为长方体或者长方体状。保持部61被安装于位置调节部63。

电极对62被设置成从保持部61突出。第一实施方式的电极对62从保持部61的上表面突出。电极对62与被支承于第一支承部21的介质99接触。在第一实施方式中,电极对62与介质99的背面99b接触。在该情况下,和电极对62与介质99的正面99a接触的情况相比,降低了损伤要被印刷的正面99a、即要被实施处理的正面99a的可能性。

电极对62构成电容传感器28所具有的振荡电路的一部分。电极对62由两个电极64构成。在两个电极64间施加交流电压。即,电容传感器28对两个电极64间的电容进行检测。当两个电极64与介质99接触时,交流电流动至介质99。借此,电容传感器28对与电极对62接触的介质99的电容进行检测。

由于交流电从两个电极64流动至介质99,因此,两个电极64间的电容发生变化。此时,两个电极64间的电容的变化被与两个电极64接触的介质99所包含的水分量较大地影响。其理由是,与采用了纸、布等介质99相比,水的相对介电常数较大。因此,例如,当介质99所包含的水分量较多时,两个电极64间的电容的变化较大。当介质99所包含的水分量较少时,两个电极64间的电容的变化变小。这样,在两个电极64间的电容的变化与介质99所包含的水分量之间存在相关性。因此,根据两个电极64间的电容的变化,对介质99所包含的水分量进行检测。也可以根据从电容传感器28发送的信号,由第一控制部23对介质99所包含的水分量进行计算。

两个电极64间的电容的变化也受到与两个电极64接触的介质99的克重影响。例如,当介质99的克重较大时,两个电极64间的电容的变化较大。当介质99的克重较小时,两个电极64间的电容的变化较小。因此,在第一实施方式中,通过第一超声波传感器24和电容传感器28,高精度地检测介质99所包含的水分量。特别是,根据介质99的比重、介质99的厚度、和两个电极64间的电容的变化,高精度地检测介质99所包含的水分量。

第一光学传感器26以及第二光学传感器27主要对介质99的正面99a中所包含的水分量进行检测,另一方面,电容传感器28主要对介质99的背面99b与介质99的内部中所包含的水分量进行检测。因此,通过第一光学传感器26、第二光学传感器27和电容传感器28,而高精度地检测介质99所包含的水分量。

当头32向介质99喷出液体时,存在该液体的大部分残留于介质99的正面99a的情况。在该情况下,当参照第一光学传感器26的检测结果和第二光学传感器27的检测结果时,能够把握到以下情况,即,相对于头32所喷出的液体量,介质99所包含的水分量的增加较大。另一方面,当参照第一光学传感器26的检测结果和电容传感器28的检测结果时,在介质99中几乎未吸收液体,因此,能够把握到以下情况,即,相对于头32所喷出的液体量,介质99所包含的水分量的增加较小。据此,能够把握出,该介质99具有难以吸收液体的特性。这样,能够根据第一光学传感器26的检测结果、第二光学传感器27的检测结果、和电容传感器28的检测结果,来把握介质99的特性。

位置调节部63具有第一调节部件65和第二调节部件66。虽然在第一实施方式中,第一调节部件65以及第二调节部件66位于与保持部61相比靠输送方向y的下游,但是也可以位于与保持部61相比靠输送方向y的上游。

第一调节部件65例如为板或者板状的部件。第一调节部件65被安装于第一支承部21和第二调节部件66。第一调节部件65相对于第一支承部21而被安装于安装孔31的内周面。

第一调节部件65具有在扫描方向x上延伸的第一长孔67。第一调节部件65通过经由第一长孔67而与第一支承部21螺纹紧固,从而被固定于第一支承部21。即,第一调节部件65能够相对于第一支承部21而在扫描方向x上移动。这样,第一调节部件65能够在扫描方向x上调节其相对于第一支承部21的位置。

第二调节部件66例如为板或者板状的部件。第二调节部件66被安装于第一调节部件65和保持部61。第二调节部件66位于第一调节部件65和保持部61之间。第二调节部件66被固定于保持部61。

第二调节部件66具有在铅直方向z上延伸的第二长孔68。第二调节部件2通过经由第二长孔68而与第一调节部件65螺纹紧固,从而被固定于第一调节部件65。即,第二调节部件66能够相对于第一调节部件65而在铅直方向z上移动。这样,第二调节部件66能够在铅直方向z上调节其相对于第一调节部件65的位置。

当第一调节部件65相对于第一支承部21而在扫描方向x上移动时,电极对62相对于第一支承部21而在扫描方向x上移动。当第二调节部件66相对于第一调节部件65而在铅直方向z上移动时,电极对62相对于第一支承部21而在铅直方向z上移动。这样,电容传感器28能够通过位置调节部63而在扫描方向x以及铅直方向z上调节位置。借此,能够以使电极对62相对于介质99而有效地进行接触的方式对电极对62的位置进行调节。

如图1所示,干燥装置15位于与印刷装置14相比靠输送方向y的下游。干燥装置15为使介质99干燥的装置。干燥装置15使由印刷装置14实施了印刷的介质99干燥。干燥装置15为处理装置的一个示例。即,印刷装置15通过使介质99干燥,从而对介质99实施处理。在印刷系统11中,印刷装置14、干燥装置15依次对介质99实施处理。

第一实施方式的干燥装置15具备第二支承部71、收容体72、加热部73、和第二控制部74。

第二支承部71例如为板状的部件。第二支承部71对被输送的介质99进行支承。第二支承部71对由印刷装置14实施了印刷的介质99进行支承。第一实施方式的第二支承部71从下方支承介质99。第一实施方式的第二支承部71与介质99的背面99b接触。第二支承部71为在印刷系统11中干燥装置15所具备的支承部。

收容体72与第二支承部71对置。第一实施方式的收容体72位于第二支承部71的上方。收容体72例如为箱。收容体72在与第二支承部71对置的面上具有开口75。因此,开口75在收容体72中朝向下方。收容体72收容加热部73。

加热部73与第二支承部71对置。第一实施方式的加热部73位于第二支承部71的上方。加热部73被构成为,对介质99进行加热。加热部73例如为在扫描方向x上延伸的加热管。在第一实施方式中,加热部73设置有两个。两个加热部73以隔着间隔的方式而在输送方向y上排列。

加热部73使热产生。产生的热经由开口75而到达第二支承部71上。借此,加热部73对被支承于第二支承部71上的介质99进行加热。此时,加热部73对介质99的正面99a进行加热。通过加热部73加热介质99,从而使被喷出至介质99的液体干燥。其结果是,介质99被干燥。

当加热部73加热介质99时,介质99所包含的水分量减少。即,加热部73通过对介质99进行加热,从而向介质99实施使介质99所包含的水分量减少的处理。加热部73对介质99的与第二支承部71所接触的背面99b相反的正面99a实施处理。在这点上,第一实施方式的加热部73为处理部的一个示例。

第二控制部74对干燥装置15的各种结构进行控制。例如,第二控制部74控制加热部73。第二控制部74为在印刷系统11中干燥装置15所具备的控制部。

第一实施方式的第二控制部74被设为,能够与保持装置12、收卷装置13以及印刷装置14进行通信。第二控制部74根据需要而从保持装置12、收卷装置13以及印刷装置14接收信号,或者向保持装置12、收卷装置13以及印刷装置14发送信号。第二控制部74例如与第一控制部23相互通信。第二控制部74也可以统括地控制印刷系统11。

第二控制部74与第一控制部23同样地能够构成为以下电路,所述电路包括α:按照计算机程序来执行各种处理的一个以上的处理器、β:执行各种处理中的至少一部分处理的面向特定用途的集成电路等一个以上的专用的硬件电路、或者γ:它们的组合。处理器包括cpu以及ram和rom等存储器,存储器存储有以使cpu执行处理的方式而被构成的程序码或者指令。存储器即计算机可读介质包括能够利用通用或者专用的计算机进行存取的所有可读介质。

接下来,对上述第一实施方式的作用以及效果进行说明。

(1)利用第一光源42和第一受光部43,对被实施处理之前的介质99所包含的水分量进行检测。利用第二光源52和第二受光部53,对被实施了处理之后的介质99所包含的水分量进行检测。由此,能够对介质99所包含的水分量相对于处理的减少、或者介质99所包含的水分量相对于处理的增加进行检测。因此,能够对介质99所包含的水分量相对于处理的变化。

(2)第一光源42以及第二光源52中的至少一方具有发出峰值波长不同的光的多个发光元件。在该情况下,具有不同的光谱的光被照射到介质99。借此,能够高精度地检测介质99所包含的水分量。

(3)第一光源42以及第二光源52中的至少一方具有发出峰值波长为940nm的光的短波长发光元件、和发出峰值波长为1450nm的光的长波长发光元件。940nm和1450nm为水的吸收波长。因此,短波长发光元件和长波长发光元件所发出的光容易被水吸收。因此,借此能够高精度地检测介质99所包含的水分量。

(4)第一遮光部44被构成为,在未遮挡第一检测光路l1且遮挡第一参照光路l2的第一状态s1、和遮挡第一检测光路l1且未遮挡第一参照光路l2的第二状态s2之间进行切换。借此,在第一遮光部44为第一状态s1的情况下,第一光源42所发出的光通过在第一检测光路l1中行进从而射入至第一受光部43。在第一遮光部44为第二状态s2的情况下,第一光源42所发出的光通过在第一参照光路l2中行进从而射入至第一受光部43。根据在第一检测光路l1中行进的光、和在第一参照光路l2中行进的光,而高精度地对光相对于介质99的反射率进行检测。借此,例如,即便第一光源42随着时间推移而劣化,也能够高精度地检测介质99所包含的水分量。

(5)第二遮光部54被构成为,在未遮挡第二检测光路l3且遮挡第二参照光路l4的第三状态s3、和遮挡第二检测光路l3且未遮挡第二参照光路l4的第四状态s4之间进行切换。借此,在第二遮光部54为第三状态s3的情况下,第二光源52所发出的光通过在第二检测光路l3中行进从而射入至第二受光部53。在第二遮光部54为第四状态s4的情况下,第二光源52所发出的光通过在第二参照光路l4中行进从而射入至第二受光部53。根据在第二检测光路l3中行进的光、和在第二参照光路l4中行进的光,而高精度地对光相对于介质99的反射率进行检测。借此,例如,即便第二光源52随着时间推移而劣化,也能够高精度地检测介质99所包含的水分量。

(6)作为处理部的头32对介质99的与第一支承部21所接触的背面99b相反的正面99a实施处理。另一方面,第一光源42以及第二光源52向正面99a照射光。借此,能够高精度地检测被实施处理的介质99的正面99a中所包含的水分量。

(7)作为处理装置的印刷装置14具备电容传感器28和第一超声波传感器24。第一超声波传感器24所具有的第一发出部34和第一接收部35以隔着被输送的介质99的方式而进行设置。借此,在介质99位于第一发出部34与第一接收部35之间的情况下,第一发出部34所发出的超声波透过介质99。在该情况下,第一接收部35对透过了介质99的超声波进行接收。在介质99未位于第一发出部34与第一接收部35之间的情况下,第一发出部34所发出的超声波就这样直接被第一接收部35接收。根据未透过介质99的超声波和透过了介质99的超声波,而对超声波相对于介质99的透过率进行检测。此外,根据超声波相对于介质99的透过率而对介质99的克重进行检测。因此,能够根据电容传感器28所检测的介质99的电容和第一超声波传感器24所检测的介质99的克重,而对介质99所包含的水分量进行检测。借此,能够高精度地检测介质99所包含的水分量。

(8)第一超声波传感器24被安装于滑架33。因此,第一超声波传感器24能够通过和滑架33一起进行扫描,从而以遍及介质99的宽度的方式检测介质99所包含的水分量。

(9)第二超声波传感器25被安装于滑架33。因此,第二超声波传感器25能够通过和滑架33一起进行扫描,从而以遍及介质99的宽度的方式检测介质99所包含的水分量。

第二实施方式

接下来,对第二实施方式进行说明。在第二实施方式中,与第一实施方式相比的不同点在于,干燥装置15具备第一超声波传感器24、第二超声波传感器25、第一光学传感器26、第二光学传感器27、和电容传感器28。关于第二实施方式,主要对与第一实施方式不同的点进行记载。

如图8所示,干燥装置15具备第二支承部71、收容体72、加热部73、和第二控制部74。第二实施方式的干燥装置15具备第一超声波传感器24和第二超声波传感器25。第二实施方式的干燥装置15具备第一光学传感器26和第二光学传感器27。第二实施方式的干燥装置15具备电容传感器28。

第二实施方式的第二支承部71具有用于供电容传感器28安装的安装孔31。安装孔31例如在第二支承部71中位于收容体72所对置的区域。第二实施方式的安装孔31在输送方向y上位于两个加热部73之间。

第二实施方式的第一超声波传感器24位于与第二支承部71相比靠输送方向y的下游。第二实施方式的第一超声波传感器24在输送方向y上位于第二支承部71与收卷装置13之间。

第一超声波传感器24对由加热部73实施了处理之后的介质99的克重进行检测。即,第一超声波传感器24对被加热后的介质99的克重进行检测。借此,当第一超声波传感器24检测介质99的克重时,降低了由从头32被喷出至介质99的液体产生的影响。其理由是,当在介质99中包含有较多的液体时,难以高精度地检测介质99的克重。

第二实施方式的第二超声波传感器25与第二支承部71对置。第二超声波传感器25位于第二支承部71的上方。第二实施方式的第二超声波传感器25位于与加热部73相比靠输送方向y的下游。第二实施方式的第二超声波传感器25在输送方向y上位于收容体72与第一超声波传感器24之间。

第二超声波传感器25对由加热部73实施了处理之后的介质99的厚度进行检测。即,第二超声波传感器25对被加热后的介质99的克重进行检测。借此,当第二超声波传感器25检测介质99的厚度时,降低了由被喷出至介质99的液体产生的影响。其理由是,当在介质99中包含有较多的液体时,介质99有时会溶胀,因此,难以高精度地检测介质99的厚度。

第二实施方式的第一光学传感器26位于与加热部73相比靠输送方向y的上游。第二实施方式的第一光学传感器26位于与收容体72相比靠输送方向y的上游。第一光学传感器26与第一支承部71对置。第一光学传感器26位于第二支承部71的上方。

第一光学传感器26对由加热部73加热之前的介质99所包含的水分量进行检测。即,第一光学传感器26对由加热部73实施处理之前的介质99所包含的水分量进行检测。更进一步而言,第一光学传感器26对喷出了液体之后的介质99所包含的水分量进行检测。因此,第一光源42向由加热部73加热之前的介质99照射光。第一受光部43接收在由加热部73加热之前的介质99处反射的光。

第二实施方式的第二光学传感器27位于与加热部73相比靠输送方向y的下游。第二实施方式的第二光学传感器27位于与收容体72相比靠输送方向y的上游。第二光学传感器27与第二支承部71对置。第二光学传感器27位于第二支承部71的上方。

第二光学传感器27对由加热部73加热之后的介质99所包含的水分量进行检测。即,第二光学传感器27对由加热部73实施了处理之后的介质99所包含的水分量进行检测。因此,第二光源52向由加热部73加热之后的介质99照射光。第二受光部53接收在由加热部73加热之后的介质99处反射的光。

根据第一光学传感器26和第二光学传感器27,对介质99所包含的水分量相对于处理部针对介质99实施的处理的变化进行检测。即,在第二实施方式中,对介质99所包含的水分量相对于由加热部73实施的介质99的加热的减少进行检测。

第二实施方式的电容传感器28被安装于第二支承部71。第二实施方式的电容传感器28被安装于安装孔31。电容传感器28例如在输送方向y上位于第一光学传感器26与第二光学传感器27之间。第二实施方式的电容传感器28在输送方向y上位于两个加热部73之间。

第二实施方式的电容传感器28对由加热部73加热的过程中的介质99所包含的水分量进行检测。即,电容传感器28对由加热部73实施处理的过程中的介质99所包含的水分量进行检测。电容传感器28对处理中途的介质99所包含的水分量进行检测。

利用第一光学传感器26、第二光学传感器27、电容传感器28,对相对于处理而变化的介质所包含的水分量的推移进行检测。借此,能够高精度地检测介质99所包含的水分量相对于由加热部73实施的介质99的加热的减少量。

当加热部73加热介质99时,存在以下情况,即,其正面99a被干燥,另一方面,介质99的内部未被干燥的情况。在该情况下,当参照第一光学传感器26的检测结果和第二光学传感器27的检测结果时,能够把握出,相对于加热部73施加给介质99的热量,介质99所包含的水分量的减少较大。另一方面,当参照第一光学传感器26的检测结果和电容传感器28的检测结果时,能够把握出,相对于加热部73施加给介质99的热量,介质99所包含的水分量的减少较小。据此,能够把握出,该介质99具有难以干燥的特性。这样,能够根据第一光学传感器26的检测结果、第二光学传感器27的检测结果、和电容传感器28的检测结果,把握介质99的特性。

根据上述第二实施方式,除了获得与第一实施方式相同的效果之外,还能够获得以下效果。

(10)作为处理部的加热部73对介质99的与和第一支承部21接触的背面99b相反的正面99a实施处理。另一方面,第一光源42以及第二光源52向正面99a照射光。借此,能够高精度地检测被实施了处理的介质99的正面99a中所包含的水分量。

(11)作为处理装置的印刷装置15具备电容传感器28和第一超声波传感器24。第一超声波传感器24所具有的第一发出部34和第一接收部35以隔着被输送的介质99的方式而进行设置。在介质99位于第一发出部34与第一接收部35之间的情况下,第一发出部34所发出的超声波透过介质99。在该情况下,第一接收部35对透过了介质99后的超声波进行接收。在介质99未位于第一发出部34与第一接收部35之间的情况下,第一发出部34所发出的超声波就这样直接被第一接收部35接收。根据未透过介质99的超声波和透过了介质99的超声波,对超声波相对于介质99的透过率进行检测。此外,根据超声波相对于介质99的透过率而对介质99的克重进行检测。因此,能够根据电容传感器28所检测的介质99的电容和第一超声波传感器24所检测的介质99的克重,而对介质99所包含的水分量进行检测。借此,能够高精度地检测介质99所包含的水分量。

上述第一实施方式以及第二实施方式能够如下那样变更并进行实施。第一实施方式、第二实施方式以及以下的变更例能够在技术上不矛盾的范围中彼此组合地实施。

·也可以代替安装孔31,而在支承部上设置凹部。

·第一发出部34也可以构成第一超声波传感器24和第二超声波传感器25这两方。即,第一发出部34也可以作为第二发出部36而发挥作用。在该情况下,例如,第一发出部34在输送方向y及其相反方向上移动。借此,第一发出部34能够向第一接收部35发出超声波,并向支承部发出超声波。

·在第二实施方式中,第一超声波传感器24以及第二超声波传感器25也可以位于与第一实施方式相同的位置。与向被喷出了液体之后的介质99照射超声波的情况相比,在向被喷出液体之前的介质99照射超声波的情况下能够更高精度地检测介质99的克重、介质99的厚度。

·第一遮光部44也可以被构成为,通过堵塞第一开口45而遮挡第一检测光路l1。例如,第一遮光部44也可以通过反射第一光源42所发出的光,从而使该光射入至第一受光部43中。在该情况下,第一遮光部44也可以不具有第一孔49。

·第二遮光部54也可以被构成为,通过堵塞第二开口55而遮挡第二检测光路l3。例如,第二遮光部54也可以通过反射第二光源52所发出的光,从而使该光射入至第二受光部53中。在该情况下,第二遮光部54也可以不具有第二孔59。

·第一状态s1也可以为,穿过第一检测光路l1的光量与穿过第一参照光路l2的光量相比较多的状态。在该情况下,与在第一检测光路l1中行进的光相比,第一状态s1的第一遮光部44遮断更多的在第一参照光路l2中行进的光。

·第二状态s2也可以为,穿过第一参照光路l2的光量与穿过第一检测光路l1的光量相比较多的状态。在该情况下,与在第一参照光路l2中行进的光相比,第二状态s2的第一遮光部44遮断更多的在第一检测光路l1中行进的光。

·第三状态s3也可以为,穿过第二检测光路l3的光量与穿过第二参照光路l4的光量相比较多的状态。在该情况下,与在第二检测光路l3中行进的光相比,第三状态s3的第二遮光部54遮断更多的在第二参照光路l4中行进的光。

·第四状态s4也可以为,穿过第二参照光路l4的光量与穿过第二检测光路l3的光量相比较多的状态。在该情况下,与在第二参照光路l4中行进的光相比,第四状态s4的第二遮光部54遮断更多的在第二检测光路l3中行进的光。

·第一光源42也可以被构成为,发出包括容易被水吸收的波长和难以被水吸收的波长在内的光。在该情况下,通过将在介质99处被反射的光中的容易被水吸收的波长的光的强度、和难以被水吸收的波长的光的强度进行比较,从而能够计算出相对于介质99的光的反射率。这样,即便不使光从第一光源42直接射入至第一受光部43,也能够计算出相对于介质99的光的反射率。

·第一光源42既可以仅具有第一发光元件46,也可以仅具有第二发光元件47。即,第一光源42既可以仅具有发出峰值波长为940nm的光的短波长发光元件,也可以仅具有发出峰值波长为1450nm的光的长波长发光元件。

·第二光源52也可以被构成为,发出包括容易被水吸收的波长和难以被水吸收的波长在内的光。在该情况下,通过将在介质99处被反射的光中的容易被水吸收的波长的光的强度、和难以被水吸收的波长的光的强度进行比较,从而能够计算出光相对于介质99的反射率。这样,即便不使光从第二光源52直接射入至第二受光部53,也能够计算出光相对于介质99的反射率。

·第二光源52既可以仅具有第三发光元件56,也可以仅具有第四发光元件57。即,第二光源52既可以仅具有发出峰值波长为940nm的光的短波长发光元件,也可以仅具有发出峰值波长为1450nm的光的长波长发光元件。

·电容传感器28也可以位于对被实施处理之前的介质所包含的水分量进行检测的位置。电容传感器28只要位于未受到第一光学传感器26以及第二光学传感器27所发出的光的影响的位置即可。

·位置调节部63也可以被构成为,能够通过电驱动而调节电极对62的位置。例如,位置调节部63也可以为致动器。

·位置调节部63也可以被构成为,能够相对于保持部61而调节电极对62的位置。在该情况下,也能够调节电极对62相对于支承部的位置。

·干燥装置15也可以具备朝向介质99进行送风的送风部,以代替加热部73。在该情况下,送风部相当于处理部。通过向介质99吹风,从而也促进了介质99的干燥。

·干燥装置15也可以,除了具备加热部73之外,还具备朝向介质99进行送风的送风部。在该情况下,加热部73以及送风部相当于处理部。除了加热介质99,还向介质99吹风,从而进一步促进了介质99的干燥。

以下,记载了从上述实施方式以及变更例而把握的技术思想及其作用效果。

(a)处理装置具备:第一光源以及第二光源,其发出峰值波长被包含于900nm以上且2100nm以下的光;第一受光部,其接收所述第一光源所发出的光;第二受光部,其接收所述第二光源所发出的光;支承部,其对被输送的介质进行支承;处理部,其与所述支承部对置,并向所述介质实施使所述介质所包含的水分量增加或者减少的处理,所述第一光源以及所述第一受光部位于与所述处理部相比靠被输送的所述介质的输送方向的上游,所述第一光源向由所述处理部实施处理之前的所述介质照射光,所述第一受光部接收在所述介质处反射后的光,所述第二光源以及所述第二受光部位于与所述处理部相比靠所述输送方向的下游,所述第二光源向由所述处理部实施了处理之后的所述介质照射光,所述第二受光部接收在所述介质处反射后的光。

当向介质照射光时,在介质处反射的光的反射率因介质所包含的水分量而变化。即,能够根据在介质处反射的光的反射率而对介质所包含的水分量进行检测。根据上述结构,利用第一光源和第一受光部,对被实施处理之前的介质所包含的水分量进行检测。利用第二光源和第二受光部,对被实施了处理之后的介质所包含的水分量进行检测。借此,能够对介质所包含的水分量相对于处理的减少、或者介质所包含的水分量相对于处理的增加进行检测。因此,能够对介质所包含的水分量相对于处理的变化进行检测。

(b)在上述处理装置中,所述第一光源以及所述第二光源中的至少一方也可以具有发出峰值波长不同的光的多个发光元件。

根据上述结构,具有不同的光谱的光被照射到介质。借此,能够高精度地检测介质所包含的水分量。

(c)在上述处理装置中,所述第一光源以及所述第二光源中的至少一方也可以具有发出峰值波长为940nm的光的短波长发光元件、和发出峰值波长为1450nm的光的长波长发光元件。

940nm和1450nm为水的吸收波长。因此,短波长发光元件和长波长发光元件所发出的光容易被水吸收。因此,根据上述结构,能够高精度地检测介质所包含的水分量。

(d)上述处理装置也可以被构成为,具备对所述第一光源所发出的光进行遮挡的第一遮光部,所述第一光源所发出的光在第一检测光路或者第一参照光路中行进,所述第一检测光路为通过使所述第一光源所发出的光在被支承于所述支承部的所述介质处反射而射入至所述第一受光部中的光路,所述第一参照光路为通过使所述第一光源所发出的光以未在被支承于所述支承部的所述介质处反射的方式而射入至所述第一受光部中的光路,所述第一遮光部被构成为,在未遮挡所述第一检测光路且遮挡所述第一参照光路的第一状态、和遮挡所述第一检测光路且未遮挡所述第一参照光路的第二状态之间进行切换。

根据上述结构,在第一遮光部为第一状态的情况下,第一光源所发出的光通过在第一检测光路中行进从而射入至第一受光部。在第一遮光部为第二状态的情况下,第一光源所发出的光通过在第一参照光路中行进从而射入至第一受光部。根据在第一检测光路中行进的光、和在第一参照光路中行进的光,而高精度地对光相对于介质的反射率进行检测。借此,例如,即便第一光源随着时间推移而劣化,也能够高精度地检测介质所包含的水分量。

(e)上述处理装置也可以被构成为,具备对所述第二光源所发出的光进行遮挡的第二遮光部,所述第二光源所发出的光在第二检测光路或者第二参照光路中行进,所述第二检测光路为通过使所述第二光源所发出的光在被支承于所述支承部的所述介质处反射而射入至所述第二受光部中的光路,所述第二参照光路为通过使所述第二光源所发出的光以未在被支承于所述支承部的所述介质处反射的方式而射入至所述第二受光部中的光路,所述第二遮光部被构成为,在未遮挡所述第二检测光路且遮挡所述第二参照光路的第三状态、和遮挡所述第二检测光路且未遮挡所述第二参照光路的第四状态之间进行切换。

根据上述结构,在第二遮光部为第三状态的情况下,第二光源所发出的光通过在第二检测光路中行进从而射入至第二受光部。在第二遮光部为第四状态的情况下,第二光源所发出的光通过在第二参照光路中行进从而射入至第二受光部。根据在第二检测光路中行进的光、和在第二参照光路中行进的光,而高精度地对光相对于介质的反射率进行检测。借此,例如,即便第二光源随着时间推移而劣化,也能够高精度地检测介质所包含的水分量。

(f)在上述处理装置中,也可以采用以下结构,即,所述处理部对所述介质的与和所述支承部接触的背面相反的正面实施处理,所述第一光源以及所述第二光源向所述正面照射光。

根据上述结构,能够高精度地检测被实施处理的介质的正面中所包含的水分量。

(g)所述处理装置也可以采用以下结构,即,具备:电容传感器,其具有电极对,并对与所述电极对接触的所述介质的电容进行检测;超声波传感器,其具有发出超声波的发出部和接收所述发出部所发出的超声波的接收部,所述发出部和所述接收部以隔着被输送的所述介质的方式而进行设置。

在发出部与接收部之间存在介质的情况下,发出部所发出的超声波透过介质。在该情况下,接收部接收透过了介质后的超声波。在发出部与接收部之间不存在介质的情况下,发出部所发出的超声波就这样直接被接收部接收。根据未透过介质的超声波和透过了介质后的超声波,对超声波相对于介质的透过率进行检测。根据超声波相对于介质的透过率而对介质的克重进行检测。因此,根据上述结构,能够根据电容传感器所检测的介质的电容和超声波传感器所检测的介质的克重,而对介质所包含的水分量进行检测。借此,能够高精度地检测介质所包含的水分量。

符号说明

11…印刷系统;12…保持装置;13…收卷装置;14…印刷装置;15…干燥装置;17…保持轴;18…收卷轴;21…第一支承部;22…印刷部;23…第一控制部;24…第一超声波传感器;25…第二超声波传感器;26…第一光学传感器;27…第二光学传感器;28…电容传感器;31…安装孔;32…头;33…滑架;34…第一发出部;35…第一接收部;36…第二发出部;37…第二接收部;41…第一壳体;42…第一光源;43…第一受光部;44…第一遮光部;45…第一开口;46…第一发光元件;47…第二发光元件;48…第一旋转轴;49…第一孔;51…第二壳体;52…第二光源;53…第二受光部;54…第二遮光部;55…第二开口;56…第三发光元件;57…第四发光元件;58…第二旋转轴;59…第二孔;61…保持部;62…电极对;63…位置调节部;64…电极;65…第一调节部件;66…第二调节部件;67…第一长孔;68…第二长孔;71…第二支承部;72…收容体;73…加热部;74…第二控制部;75…开口;99…介质;99a…正面;99b…背面;100…卷筒体;d1…第一方向;d2…第二方向;l1:第一检测光路;l2…第一参照光路;l3…第二检测光路;l4…第二参照光路;s1…第一状态;s2…第二状态;s3…第三状态;s4…第四状态;x…扫描方向;y…输送方向;z…铅直方向。


技术特征:

1.一种处理装置,具备:

第一光源以及第二光源,其发出峰值波长被包含于900nm以上且2100nm以下的光;

第一受光部,其接收所述第一光源所发出的光;

第二受光部,其接收所述第二光源所发出的光;

支承部,其对被输送的介质进行支承;

处理部,其与所述支承部对置,并向所述介质实施使所述介质所包含的水分量增加或者减少的处理,

所述第一光源以及所述第一受光部位于与所述处理部相比靠被输送的所述介质的输送方向的上游,

所述第一光源向由所述处理部实施处理之前的所述介质照射光,

所述第一受光部接收在所述介质处反射后的光,

所述第二光源以及所述第二受光部位于与所述处理部相比靠所述输送方向的下游,

所述第二光源向由所述处理部实施了处理之后的所述介质照射光,

所述第二受光部接收在所述介质处反射后的光。

2.如权利要求1所述的处理装置,其中,

所述第一光源以及所述第二光源中的至少一方具有发出峰值波长不同的光的多个发光元件。

3.如权利要求2所述的处理装置,其中,

所述第一光源以及所述第二光源中的至少一方具有发出峰值波长为940nm的光的短波长发光元件和发出峰值波长为1450nm的光的长波长发光元件。

4.如权利要求1至3中任一项所述的处理装置,其中,

具备对所述第一光源所发出的光进行遮挡的第一遮光部,

所述第一光源所发出的光在第一检测光路或者第一参照光路中行进,所述第一检测光路为通过使所述第一光源所发出的光在被支承于所述支承部的所述介质处反射而射入至所述第一受光部中的光路,所述第一参照光路为通过使所述第一光源所发出的光以未在被支承于所述支承部的所述介质处反射的方式而射入至所述第一受光部中的光路,

所述第一遮光部被构成为,在未遮挡所述第一检测光路且遮挡所述第一参照光路的第一状态和遮挡所述第一检测光路且未遮挡所述第一参照光路的第二状态之间进行切换。

5.如权利要求1所述的处理装置,其中,

具备对所述第二光源所发出的光进行遮挡的第二遮光部,

所述第二光源所发出的光在第二检测光路或者第二参照光路中行进,所述第二检测光路为通过使所述第二光源所发出的光在被支承于所述支承部的所述介质处反射而射入至所述第二受光部中的光路,所述第二参照光路为通过使所述第二光源所发出的光以未在被支承于所述支承部的所述介质处反射的方式而射入至所述第二受光部中的光路,

所述第二遮光部被构成为,在未遮挡所述第二检测光路且遮挡所述第二参照光路的第三状态和遮挡所述第二检测光路且未遮挡所述第二参照光路的第四状态之间进行切换。

6.如权利要求1所述的处理装置,其中,

所述处理部对所述介质的与和所述支承部接触的背面相反的正面实施处理,

所述第一光源以及所述第二光源向所述正面照射光。

7.如权利要求1所述的处理装置,其中,具备:

电容传感器,其具有电极对,并对与所述电极对接触的所述介质的电容进行检测;

超声波传感器,其具有发出超声波的发出部和接收所述发出部所发出的超声波的接收部,

所述发出部和所述接收部以隔着被输送的所述介质的方式而进行设置。

技术总结
本发明提供一种处理装置。处理装置具备:第一光源以及第二光源,其发出峰值波长被包含于900nm且以上2100nm以下的光;第一受光部,其接收第一光源所发出的光;第二受光部,其接收第二光源所发出的光;支承部,其对被输送的介质进行支承;处理部,其与支承部对置,并向介质实施使所述介质所包含的水分量增加或者减少的处理,第一光源以及第一受光部位于与处理部相比靠被输送的介质的输送方向的上游,第一光源向由处理部实施处理之前的介质照射光,第一受光部接收在介质处反射后的光,第二光源以及第二受光部位于与处理部相比靠输送方向的下游,第二光源向由处理部实施了处理之后的介质照射光,第二受光部接收在介质处反射后的光。

技术研发人员:佐佐木恒之
受保护的技术使用者:精工爱普生株式会社
技术研发日:2021.01.27
技术公布日:2021.08.03

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