显示面板和显示装置的制作方法

1.本公开实施例属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板和显示装置。


背景技术：

2.随着amoled(active
‑
matrix organic light
‑
emitting diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)显示技术的迅速发展，amoled显示屏进入了全面屏以及窄边框时代，为了给用户带来更优的使用体验，全面屏、窄边框、高分辨率、卷曲穿戴、折叠等必将成为未来amoled显示产品的重要发展方向。
3.为了实现amoled显示屏更轻更薄以及集成度更高，fmloc(flexible multi
‑
layer on cell，柔性多层结构)技术孕育而生。fmloc技术是在发光元件各膜层的even工艺(蒸镀工艺)以及发光元件的封装工艺后，在封装结构上制作金属网格电极层(metal mesh)，构成fmloc技术的驱动电极(tx)和感应电极(rx)通道以实现显示屏的触控功能。fmloc技术无需外挂触控面板，可以减小屏幕厚度，进而有利于折叠；同时没有贴合公差，可减小边框宽度。


技术实现要素：

4.本公开实施例提供一种显示面板和显示装置。
5.第一方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括：显示基板；
6.触控层；位于所述显示基板的至少一侧；
7.所述显示基板包括显示区和位于所述显示区至少一侧的绑定区，所述绑定区包括弯折区和第一非弯折区，所述弯折区与所述第一非弯折区邻接；
8.所述显示基板还包括第一导电层；所述第一导电层至少位于所述弯折区；
9.所述触控层位于所述第一非弯折区；所述触控层的第一边界位于所述弯折区与所述第一非弯折区的邻接区域；
10.所述触控层包括依次远离所述第一导电层设置的第一电极层、绝缘层和第二电极层；所述第二电极层与所述第一导电层的边缘搭接，
11.所述第二电极层、所述第一电极层和所述绝缘层的第一边界在所述显示基板上的正投影互不交叠且依次远离所述弯折区。
12.在一些实施例中，所述绑定区还包括第二非弯折区，所述第二非弯折区位于所述弯折区的远离所述第一非弯折区的一侧，且所述第二非弯折区与所述弯折区邻接；
13.所述触控层还位于所述第二非弯折区；所述触控层的第二边界位于所述弯折区与所述第二非弯折区的邻接区域；
14.所述第二电极层、所述第一电极层和所述绝缘层的第二边界在所述显示基板上的正投影互不交叠且依次远离所述弯折区。
15.在一些实施例中，所述第一导电层还延伸至所述第一非弯折区；
16.所述第二电极层、所述第一电极层和所述绝缘层的第一边界在所述显示基板上的正投影落在所述第一导电层上。
17.在一些实施例中，所述第一导电层还延伸至所述第二非弯折区；
18.所述第二电极层、所述第一电极层和所述绝缘层的第二边界在所述显示基板上的正投影落在所述第一导电层上。
19.在一些实施例中，所述第二电极层的第一边界在所述显示基板上的正投影与所述弯折区和所述第一非弯折区的接壤边界交叠；
20.所述第二电极层的第二边界在所述显示基板上的正投影与所述弯折区和所述第二非弯折区的接壤边界交叠。
21.在一些实施例中，所述第一电极层的第一边界在所述显示基板上的正投影与所述第二电极层的第一边界在所述显示基板上的正投影之间间隔第一间距；
22.所述第一电极层的第一边界在所述显示基板上的正投影与所述绝缘层的第一边界在所述显示基板上的正投影之间间隔第二间距；
23.所述第一电极层的第二边界在所述显示基板上的正投影与所述第二电极层的第二边界在所述显示基板上的正投影之间间隔所述第一间距；
24.所述第一电极层的第二边界在所述显示基板上的正投影与所述绝缘层的第二边界在所述显示基板上的正投影之间间隔所述第二间距；
25.所述第一间距小于或等于所述第二间距。
26.在一些实施例中，所述第一间距的尺寸范围为4～8μm；所述第二间距的尺寸范围为5～10μm。
27.在一些实施例中，所述绝缘层的厚度范围为2800～3200埃；
28.所述第一电极层的厚度范围为1800～2200埃。
29.在一些实施例中，所述绝缘层的第一边界的坡度角范围为80～90
°
；所述绝缘层的第二边界的坡度角范围为80～90
°
；
30.所述第一电极层的第一边界的坡度角范围为30～60
°
；所述第一电极层的第二边界的坡度角范围为30～60
°
。
31.在一些实施例中，所述显示基板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述第一非弯折区，且所述缓冲层设置于所述第一电极层和所述第一导电层之间；
32.所述缓冲层的第一边界位于所述弯折区与所述第一非弯折区的邻接区域，且所述缓冲层的第一边界在所述第一导电层上的正投影与所述第一电极层的第一边界在所述第一导电层上的正投影交叠。
33.在一些实施例中，所述显示基板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述第一非弯折区，且所述缓冲层设置于所述第一电极层和所述第一导电层之间；
34.所述缓冲层的第一边界位于所述弯折区与所述第一非弯折区的邻接区域，且所述缓冲层的第一边界在所述第一导电层上的正投影位于所述第二电极层的第一边界在所述第一导电层上的正投影和所述第一电极层的第一边界在所述第一导电层上的正投影之间。
35.在一些实施例中，所述缓冲层还位于所述第二非弯折区；
36.所述缓冲层的第二边界位于所述弯折区与所述第二非弯折区的邻接区域，且所述缓冲层的第二边界在所述第一导电层上的正投影与所述第一电极层的第二边界在所述第一导电层上的正投影交叠。
37.在一些实施例中，所述缓冲层还位于所述第二非弯折区；
38.所述缓冲层的第二边界位于所述弯折区与所述第二非弯折区的邻接区域，且所述缓冲层的第二边界在所述第一导电层上的正投影位于所述第二电极层的第二边界在所述第一导电层上的正投影和所述第一电极层的第二边界在所述第一导电层上的正投影之间。
39.在一些实施例中，所述缓冲层的厚度范围为800～1000埃。
40.在一些实施例中，所述绝缘层还包括第三边界；
41.所述第一导电层包括第一边界，所述第一导电层的第一边界位于所述第一非弯折区；
42.所述绝缘层的第三边界在所述显示基板上的正投影位于所述第一导电层的第一边界的远离所述弯折区的一侧。
43.在一些实施例中，所述绝缘层还包括第四边界；
44.所述第一导电层还包括第二边界，所述第一导电层的第二边界位于所述第二非弯折区；
45.所述绝缘层的第四边界在所述显示基板上的正投影位于所述第一导电层的第二边界的远离所述弯折区的一侧。
46.在一些实施例中，所述显示基板还包括平坦层和无机绝缘层，所述平坦层和所述无机绝缘层依次设置于所述第一导电层的背离所述触控层的一侧；
47.所述平坦层由所述弯折区延伸至所述第一非弯折区和所述第二非弯折区；所述无机绝缘层位于所述第一非弯折区和所述第二非弯折区。
48.第二方面，本公开实施例还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
附图说明
49.附图用来提供对本公开实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开实施例一起用于解释本公开，并不构成对本公开的限制。通过参考附图对详细示例实施例进行描述，以上和其它特征和优点对本领域技术人员将变得更加显而易见，在附图中：
50.图1为公开技术中具有fmloc触控层的显示屏绑定区的局部结构俯视示意图；
51.图2为沿图1中aa剖切线的触控信号走线的上层金属走线与显示屏内信号线搭接的电子显微镜图；
52.图3为沿图1中aa剖切线的触控信号走线的上层金属走线在断差较大位置处出现断裂的电子显微镜图；
53.图4为沿图1中aa剖切线的结构剖视示意图；
54.图5为图4中b部分的放大示意图；
55.图6为本公开实施例中显示面板的结构俯视示意图；
56.图7为沿图6中cc剖切线的结构剖视示意图；
57.图8为图7中d部分的放大示意图；
58.图9为图6中h部分的结构俯视图；
59.图10为沿6中ee剖切线的结构剖视示意图；
60.图11为沿图6中ee剖切线的另一种结构剖视示意图；
61.图12为沿图6中ff剖切线的结构剖视示意图；
62.图13为本公开实施例中显示面板显示区的局部结构俯视示意图；
63.图14为沿图13中gg剖切线的结构剖视示意图。
64.其中附图标记为：
65.1、显示基板；2、触控层；100、绑定区；101、弯折区；102、第一非弯折区；103、第二非弯折区；104、显示区；10、第一导电层；201、触控层的第一边界；202、触控层的第二边界；21、第一电极层；22、绝缘层；23、第二电极层；116、平坦化层；12、无机绝缘层；13、缓冲层；140、聚酰亚胺层；141、无机材料层；109、有源层；105、第一栅绝缘层；106、栅极；108、第二栅绝缘层；142、层间介质层；110、源极；111、漏极；130、第一极板；131、第二极板；112、第一电极；113、像素界定部；114、发光部；115、第二电极；1d、发光子像素；132、支撑部；133、转接电极；116a、第一平坦化膜层；116b、第二平坦化膜层；134、钝化膜层；118、封装层；118a、第一无机封装薄膜层；118b、有机封装薄膜层；118c、第二无机封装薄膜层；231、驱动电极条；232、感应电极；210、桥接部；233、感应电极条；11、显示屏内信号线；24、触控信号走线；240、上层金属走线。
具体实施方式
66.为使本领域技术人员更好地理解本公开实施例的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开实施例提供的一种显示面板和显示装置作进一步详细描述。
67.在下文中将参考附图更充分地描述本公开实施例，但是所示的实施例可以以不同形式来体现，且不应当被解释为限于本公开阐述的实施例。反之，提供这些实施例的目的在于使本公开透彻和完整，并将使本领域技术人员充分理解本公开的范围。
68.本公开实施例不限于附图中所示的实施例，而是包括基于制造工艺而形成的配置的修改。因此，附图中例示的区具有示意性属性，并且图中所示区的形状例示了区的具体形状，但并不是旨在限制性的。
69.参照图1，具有fmloc(flexible multi
‑
layer on cell，柔性多层结构)触控层的显示屏一侧边缘设置有绑定区100，显示屏内的各种信号走线以及fmloc触控层的触控信号走线24都走线至绑定区100，以便与外围电路板绑定连接；外围电路板用于为显示屏内的各种信号走线以及fmloc触控层的触控信号走线24提供驱动或控制信号。为了实现显示屏的窄边框，绑定区100的远离显示屏显示区的末端区域需要弯折至显示屏的背侧，相应地，绑定区100内有部分区域设置为柔性弯折区101，以便绑定区100的末端区域通过在该柔性弯折区101进行弯折而弯折至显示屏的背侧。
70.针对上述具有fmloc触控层的显示屏，为了确保柔性弯折区101的良好弯折性能以及确保弯折至显示屏背侧的绑定区部分的膜层设置与未弯折到显示屏背侧的绑定区部分一致，目前fmloc触控层触控信号走线24在走线至柔性弯折区101(即bending区)时采取换层设计，即在进入柔性弯折区101时，将fmloc触控层触控信号走线24换层至显示屏内信号线上，由显示屏内信号线走线至柔性弯折区101；经过柔性弯折区101之后，再由显示屏内信号线换层至fmloc触控层触控信号走线24，由fmloc触控层触控信号走线24接入与外围电路连接的绑定连接端。
71.参照图2
‑
图5，在fmloc触控信号走线24与显示屏内信号线11的换层位置处，fmloc触控信号走线24由两个导电层叠置的金属走线转换为仅上层金属走线240延伸而出并与显示屏表层的显示屏内信号线11搭接连接，从而实现fmloc触控信号走线24换层至显示屏内
信号线11。在fmloc触控信号走线24仅上层金属走线240延伸而出的区域，上层金属走线240与显示屏内信号线11之间夹设有缓冲层13和绝缘层22，且缓冲层13和绝缘层22在上层金属走线240与显示屏内信号线11搭接位置处的边界平齐；显示屏内信号线11设置于第一平坦化膜层116a上，第一平坦化膜层116a背离显示屏内信号线11的一侧还设置有无机绝缘层12；第一平坦化膜层116a靠近缓冲层13的一侧还设置有第二平坦化膜层116b。无机绝缘层12、第一平坦化膜层116a和第二平坦化膜层116b均从显示屏的显示区内延伸而出，且第二平坦化膜层116b在fmloc触控信号走线24与显示屏内信号线11的换层位置处被挖除(即在换层位置处形成过孔)。由于绝缘层22和缓冲层13的叠置厚度较大(约3600～4200埃)，且叠置的绝缘层22和缓冲层13边界的坡度角较大(约80～90
°
)，所以使得换层位置处绝缘层22和缓冲层13边界形成的断差较大，很容易导致上层金属走线240在该换层位置处断裂，以致上层金属走线240断开，造成触控不良。
72.针对上述换层位置处无机绝缘膜层和缓冲层边界形成的断差较大，容易导致上层金属走线断开，导致触控不良的问题，本公开实施例提供一种显示面板，参照图6
‑
图9，图11，包括：显示基板1；触控层2；位于显示基板1的至少一侧；显示基板1包括显示区104和位于显示区104至少一侧的绑定区100，绑定区100包括弯折区101和第一非弯折区102，弯折区101与第一非弯折区102邻接；显示基板1还包括第一导电层10；第一导电层10至少位于弯折区101；触控层2位于第一非弯折区102；触控层2的第一边界201位于弯折区101与第一非弯折区102的邻接区域；触控层2包括依次远离第一导电层10设置的第一电极层21、绝缘层22和第二电极层23；第二电极层23与第一导电层10的边缘搭接，第二电极层23、第一电极层21和绝缘层22的第一边界在显示基板1上的正投影互不交叠且依次远离弯折区101。如图7中虚线框所示，触控层2中第一边界201包含触控层中所包含膜层的多个不同的边界。
73.在一些实施例中，参照图6及图10，绑定区100还包括第二非弯折区103，第二非弯折区103位于弯折区101的远离第一非弯折区102的一侧，且第二非弯折区103与弯折区101邻接；触控层2还位于第二非弯折区103；触控层2的第二边界202位于弯折区101与第二非弯折区103的邻接区域；第二电极层23、第一电极层21和绝缘层22的第二边界在显示基板1上的正投影互不交叠且依次远离弯折区101。触控层2中第二边界202包含触控层中所包含膜层的多个不同的边界。
74.其中，触控层2的第一边界201包括第二电极层23、第一电极层21和绝缘层22的第一边界。触控层2的第二边界202包括第二电极层23、第一电极层21和绝缘层22的第二边界。绑定区100的第二非弯折区103通过弯折区101弯折到显示基板1的背侧，显示基板1的背侧与显示基板1的显示侧相对设置。在弯折区101与第一非弯折区102的邻接区域，第二电极层23与第一导电层10的边缘搭接，从而实现弯折区101与第一非弯折区102的邻接区域，触控层2的第二电极层23换层至显示基板1的第一导电层10；同时实现弯折区101与第二非弯折区103的邻接区域，显示基板1的第一导电层10换层至触控层2的第二电极层23。
75.在一些实施例中，显示基板1还包括平坦化层116和无机绝缘层12，平坦化层116和无机绝缘层12依次设置于第一导电层10的背离触控层2的一侧；平坦化层116由弯折区101延伸至第一非弯折区102和第二非弯折区103；无机绝缘层12位于第一非弯折区102和第二非弯折区103。
76.其中，平坦化层116和无机绝缘层12都是从显示基板1的显示区延伸而出。
77.在一些实施例中，在弯折区101，仅保留第一导电层10和对其进行承载和保护的有机绝缘膜层，如位于第一导电层10下方的平坦化层116和位于第一导电层10上方的保护层，从而能够确保弯折区101的良好的弯折性能，避免弯折区101内的信号线在弯折过程中出现折断。在第一非弯折区102和第二非弯折区103，不仅保留第一导电层10和对其进行承载和保护的有机绝缘膜层，还保留从显示基板1显示区延伸出来的无机绝缘层12，从而确保第一非弯折区102和第二非弯折区103的膜层设置保持一致。
78.在一些实施例中，在弯折区101与第一非弯折区102的邻接区域以及弯折区101与第二非弯折区102的邻接区域，通过使第二电极层23、第一电极层21和绝缘层22的第一边界和第二边界在显示基板1上的正投影互不交叠且依次远离弯折区101，能在绑定区100内弯折区101和非弯折区信号线换层时，减小触控层2的第二电极层23与显示基板1的第一导电层10之间的膜层断差，从而避免触控层2的第二电极层23在较大断差处发生断裂，进而避免触控层2发生触控不良，确保了触控层2的触控品质。
79.在一些实施例中，第一导电层10还延伸至第一非弯折区102；第二电极层23、第一电极层21和绝缘层22的第一边界在显示基板1上的正投影落在第一导电层10上。
80.在一些实施例中，第一导电层10还延伸至第二非弯折区103；第二电极层23、第一电极层21和绝缘层22的第二边界在显示基板1上的正投影落在第一导电层10上。
81.在一些实施例中，第二电极层23的第一边界在显示基板1上的正投影与弯折区101和第一非弯折区102的接壤边界交叠；第二电极层23的第二边界在显示基板1上的正投影与弯折区101和第二非弯折区103的接壤边界交叠。即在弯折区101，未设置触控层2。
82.在一些实施例中，第一电极层21的第一边界在显示基板1上的正投影与第二电极层23的第一边界在显示基板1上的正投影之间间隔第一间距a；第一电极层21的第一边界在显示基板1上的正投影与绝缘层22的第一边界在显示基板1上的正投影之间间隔第二间距b；第一电极层21的第二边界在显示基板1上的正投影与第二电极层23的第二边界在显示基板1上的正投影之间间隔第一间距a；第一电极层21的第二边界在显示基板1上的正投影与绝缘层22的第二边界在显示基板1上的正投影之间间隔第二间距b；第一间距a小于或等于第二间距b。
83.在一些实施例中，第一间距a的尺寸范围为4～8μm；第二间距b的尺寸范围为5～10μm。
84.在一些实施例中，绝缘层22的厚度范围为2800～3200埃；第一电极层21的厚度范围为1800～2200埃。其中，绝缘层22的厚度为绝缘层沿远离显示基板1方向的尺寸。第一电极层21的厚度为第一电极层21沿远离显示基板1方向的尺寸。绝缘层22和第一电极层21的厚度都远小于图2
‑
图5中无机绝缘膜层和缓冲层的叠置厚度，使绝缘层22形成的断差和第一电极层21形成的断差也都远小于图2
‑
图5中叠置的无机绝缘膜层和缓冲层所形成的断差，从而能避免断差太大所导致的第二电极层23断裂，进而避免造成触控层2触控不良。
85.在一些实施例中，绝缘层22的第一边界的坡度角θ1范围为80～90
°
；绝缘层22的第二边界的坡度角θ2范围为80～90
°
；第一电极层21的第一边界的坡度角α1范围为30～60
°
；第一电极层21的第二边界的坡度角α2范围为30～60
°
。由于绝缘层22的第一边界和第一电极层21的第一边界相互错开，绝缘层22的第二边界和第一电极层21的第二边界相互错开，所以其各自第一边界的坡度角所形成的断差以及其各自第二边界的坡度角所形成的断差
都小于图2
‑
图5中叠置的无机绝缘膜层和缓冲层边界的坡度角所形成的断差，从而能避免断差较大所导致的第二电极层23断裂，进而避免造成触控层2触控不良。
86.在一些实施例中，显示基板1还包括缓冲层13，缓冲层13位于第一非弯折区102，且缓冲层13设置于第一电极层21和第一导电层10之间；缓冲层13的第一边界位于弯折区101与第一非弯折区102的邻接区域，且缓冲层13的第一边界在第一导电层10上的正投影与第一电极层21的第一边界在第一导电层10上的正投影交叠。第一电极层21为金属导电层，平坦化层116为有机绝缘层。缓冲层13的设置，能够增强第一电极层21在平坦化层116上的附着能力。
87.在一些实施例中，缓冲层13还位于第二非弯折区103；缓冲层13的第二边界位于弯折区101与第二非弯折区103的邻接区域，且缓冲层13的第二边界在第一导电层10上的正投影与第一电极层21的第二边界在第一导电层10上的正投影交叠。
88.在一些实施例中，缓冲层13的厚度范围为800～1000埃。缓冲层13的厚度为缓冲层13沿远离显示基板1方向的尺寸。缓冲层13的厚度较小，使缓冲层13的与第一电极层21交叠的第一边界和第二边界不会在换层位置处形成较大的断差，从而能避免断差较大所导致的第二电极层23断裂，进而避免造成触控层2触控不良。
89.在一些实施例中，参照图11，缓冲层13的第一边界在第一导电层10上的正投影也可以位于第二电极层23的第一边界在第一导电层10上的正投影和第一电极层21的第一边界在第一导电层10上的正投影之间。即缓冲层13的第一边界与第二电极层23的第一边界、第一电极层21的第一边界相互错开。如此设置，能进一步使缓冲层13的第一边界不会在换层位置处形成较大的断差，从而能避免断差较大所导致的第二电极层23断裂，进而避免造成触控层2触控不良。
90.在一些实施例中，缓冲层13的第二边界在第一导电层10上的正投影位于第二电极层23的第二边界在第一导电层10上的正投影和第一电极层21的第二边界在第一导电层10上的正投影之间。即缓冲层13的第二边界与第二电极层23的第二边界、第一电极层21的第二边界相互错开。如此设置，能进一步使缓冲层13的第二边界不会在换层位置处形成较大的断差，从而能避免断差较大所导致的第二电极层23断裂，进而避免造成触控层2触控不良。
91.在一些实施例中，绝缘层22还包括第三边界s1；第一导电层10包括第一边界z1，第一导电层10的第一边界z1位于第一非弯折区102；绝缘层22的第三边界s1在显示基板1上的正投影位于第一导电层10的第一边界z1的远离弯折区101的一侧。
92.在一些实施例中，绝缘层22还包括第四边界s2；第一导电层10还包括第二边界z2，第一导电层10的第二边界z2位于第二非弯折区103；绝缘层22的第四边界s2在显示基板1上的正投影位于第一导电层10的第二边界z2的远离弯折区101的一侧。
93.在一些实施例中，绑定区100内弯折区101、第一非弯折区102和第二非弯折区103以外的区域，第一电极层21和第二电极层23相互叠置，二者之间未设置绝缘层22，如此能够增大触控电极层的截面积，从而降低触控电极层的走线电阻。
94.在一些实施例中，参照图12，显示基板1还包括显示区104，在显示区104，显示基板1包括基底、设置于基底上的驱动电路层、设置于驱动电路层上的显示器件以及对显示器件进行封装的封装层。其中，基底可采用单层玻璃基底，也可以包括多个依次层叠设置的聚酰
亚胺层140和无机材料层141；无机材料层141可为氮化硅、氧化硅等材料制作而成，以达到阻水氧和阻隔碱性离子的效果；需要说明的是，该基底的结构不限于此，可根据实际需求而定。驱动电路层可包括薄膜晶体管和电容结构。薄膜晶体管可为顶栅型，薄膜晶体管可包括有源层109、第一栅绝缘层105、栅极106、第二栅绝缘层108、层间介质层142、源极110、漏极111。具体地，有源层109可形成在基底上，第一栅绝缘层105覆盖有源层109，栅极106形成在第一栅绝缘层105背离有源层109的一侧，第二栅绝缘层108覆盖栅极106和第一栅绝缘层105，层间介质层142覆盖第二栅绝缘层108，源极110和漏极111形成在层间介质层142背离基底的一侧并分别位于栅极106的相对两侧，该源极110和漏极111可分别通过过孔(例如：金属过孔)与有源层109的相对两侧接触。应当理解的是，此薄膜晶体管也可为底栅型。
95.在一些实施例中，电容结构可包括第一极板130和第二极板131，此第一极板130与栅极106同层设置，第二极板131位于第二栅绝缘层108与层间介质层142之间，并与第一极板130相对设置。
96.在一些实施例中，栅极106和第一极板130、第二极板131的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等。源极110和漏极111可以包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(al/ti/al)等。
97.在一些实施例中，显示器件可包括依次形成在层间介质层142上的第一电极112和像素界定部113，应当理解的是，该显示器件还可包括发光部114和第二电极115。层间介质层142与第一电极112之间形成有平坦化层116。其中，第一电极112可通过金属过孔与漏极111电性连接，该第一电极112可为阳极，此阳极可为ito(氧化铟锡)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)等材料制作而成；像素界定部113可覆盖平坦化层116，此像素界定部113可为有机材料制作而成，例如：光刻胶等有机材料，且像素界定部113中具有露出第一电极112的像素开口；发光部114位于像素开口内并形成在第一电极112上，该发光部114可包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，可以为荧光发光材料或磷光发光材料，可以发红光、绿光、蓝光，或可以发白光等；并且，根据实际不同需要，在不同的示例中，发光部114还可以进一步包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等功能层；第二电极115覆盖发光部114，且该第二电极115的极性与第一电极112的极性相反；此第二电极115可为阴极，此阴极可为锂(li)、铝(al)、镁(mg)、银(ag)等金属材料制作而成。
98.需要说明的是，第一电极112、发光部114和第二电极115可构成一个发光子像素1d。其中，此显示器件中位于显示区104的部分可包括多个阵列排布的发光子像素1d。此外，还需说明的是，各发光子像素1d的第一电极112相互独立，各发光子像素1d的第二电极115整面连接。
99.在一些实施例中，像素界定部113背离层间介质层142的一侧还可设置支撑部132，该支撑部132可起到支撑保护膜层(图中未示出)的作用，以避免保护膜层与第一电极112或其他走线接触而导致第一电极112或其他走线容易损坏的情况。需要说明的是，此保护膜层主要出现在半成品转移的过程中，以避免转移过程中半成品出现损坏的情况，具体地：在将制作完支撑部132的基板转移到蒸镀产线的过程中，可覆盖一层保护膜层，当需要进行发光材料的蒸镀时，而将保护膜层移除。
100.在一些实施例中，支撑部132的材料可与像素界定部113的材料相同，且支撑部132
与像素界定部113可采用同一次构图工艺形成，但不限于此，支撑部132的材料也可与像素界定部113的材料不同，且支撑部132与像素界定部113也可采用不同构图工艺形成。
101.在一些实施例中，参照图12，第一电极112还可通过转接电极133与漏极111电性连接。该平坦化层116为双层结构，具体可包括依次形成的第一平坦化膜(pln1)层116a及第二平坦化膜(pln2)层116b，此外，在第一平坦化膜层116a与层间介质层142之间还可形成钝化膜(pvx)层134，该钝化膜层134可由氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等材料形成；该钝化膜层134覆盖源极110、漏极111；而转接电极133形成在第一平坦化膜层116a与第二平坦化膜层116b之间，并依次通过第一平坦化膜层116a及钝化膜层134上的过孔(例如金属过孔)与漏极111电性连接；而第一电极112可通过第二平坦化膜层116b上的过孔(例如金属过孔)与转接电极133电性连接。
102.在一些实施例中，封装层118用于对显示区104内的显示器件进行封装，即绑定区100未设置封装层。封装层118包括依次层叠设置的第一无机封装薄膜层118a、有机封装薄膜层118b和第二无机封装薄膜层118c。第一无机封装薄膜层118a、第二无机封装薄膜层118c用于防止水、氧进入到显示区104的发光部114中；该第一无机封装薄膜层118a和第二无机封装薄膜层118c可采用氮化硅、氧化硅等无机材料制作而成。有机封装薄膜层118b用于实现平坦化作用，以便于第二无机封装薄膜层118c层的制作，此有机封装薄膜层118b可采用丙烯酸基聚合物、硅基聚合物等材料制作而成。
103.其中，此第一无机封装薄膜层118a和第二无机封装薄膜层118c可采用化学气相沉积工艺制作而成，但不限于此，也可采用物理气相沉积工艺等；而有机封装薄膜层118b采用喷墨打印工艺制作，但不限于此，也可采用喷涂工艺等。
104.在一些实施例中，弯折区101的第一导电层10与转接电极133同材料且同层设置，弯折区101内去除了像素界定部、支撑部和第二平坦化膜层，保留第一平坦化膜层116a。在第一非弯折区102和第二非弯折区103，不仅保留第一导电层10和对其进行承载和保护的有机绝缘膜层，如平坦化层116，还保留从显示基板1显示区延伸出来的无机绝缘层12，如层间介质层142、钝化膜层134、第一栅绝缘层105、第二栅绝缘层108。
105.在一些实施例中，参照图13和图14，在显示区104内，触控层2设置于封装层118背离显示器件的一侧，触控层2的第二电极层23包括多个驱动电极条231和多个感应电极232，第一电极层21包括多个桥接部210，多个感应电极232排布呈阵列，沿阵列列方向排布的任意相邻感应电极232之间通过桥接部210连接形成感应电极条233；各驱动电极条231的长度方向沿阵列的行方向，多个驱动电极条231沿阵列的列方向依次排布；驱动电极条231和感应电极条233在各桥接部210位置空间交叉，绝缘层22设置于各个桥接部210与驱动电极条231之间。
106.在一些实施例中，显示区104内，触控层2在显示基板1上的正投影位于发光部114之间的像素界定部113所在区域。第二电极层23和第一电极层21均为网格状电极。在一些实施例中，第二电极层23和第一电极层21分别金属叠层结构，如二者均为钛铝钛叠层结构。由于触控层2在显示基板1上的正投影位于像素界定部113所在区域，所以触控层2的设置不会影响显示基板1的透光率。
107.在一些实施例中，触控层2中第一电极层21、绝缘层22和第二电极层23的图形可以采用构图工艺(包括成膜、曝光、显影、刻蚀等步骤)依次制备于封装层118上，如此不仅能够
减小显示面板的整体厚度，从而有利于柔性显示面板的折叠，而且相对于将触控面板外挂于显示面板上，还能够避免触控面板的贴合公差，从而有利于减小显示面板的边框宽度。
108.基于显示面板的上述结构，该显示面板中的触控层在制备时，分别调整制备第一电极层，绝缘层和第二电极层的掩膜板图形，使第二电极层、第一电极层和绝缘层的第一边界和第二边界在显示基板上的正投影互不交叠且依次远离弯折区。
109.本公开实施例中所提供的显示面板，通过在弯折区与第一非弯折区的邻接区域以及弯折区与第二非弯折区的邻接区域，使第二电极层、第一电极层和绝缘层的第一边界和第二边界在显示基板上的正投影互不交叠且依次远离弯折区，能在绑定区内弯折区和非弯折区信号线换层时，减小触控层的第二电极层与显示基板的第一导电层之间的膜层断差，从而避免触控层的第二电极层在较大断差处发生断裂，进而避免触控层发生触控不良，确保了触控层的触控品质。
110.本公开实施例还提供一种显示装置，包括上述实施例中的显示面板。
111.通过采用上述实施例中的显示面板，在确保该显示装置显示品质的情况下，确保了该显示装置的触控品质。
112.该显示装置可以为：oled面板、oled电视、手机、平板电脑、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
113.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

技术特征：
1.一种显示面板，包括：显示基板；触控层；位于所述显示基板的至少一侧；所述显示基板包括显示区和位于所述显示区至少一侧的绑定区，所述绑定区包括弯折区和第一非弯折区，所述弯折区与所述第一非弯折区邻接；所述显示基板还包括第一导电层；所述第一导电层至少位于所述弯折区；所述触控层位于所述第一非弯折区；所述触控层的第一边界位于所述弯折区与所述第一非弯折区的邻接区域；所述触控层包括依次远离所述第一导电层设置的第一电极层、绝缘层和第二电极层；所述第二电极层与所述第一导电层的边缘搭接，其特征在于，所述第二电极层、所述第一电极层和所述绝缘层的第一边界在所述显示基板上的正投影互不交叠且依次远离所述弯折区。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述绑定区还包括第二非弯折区，所述第二非弯折区位于所述弯折区的远离所述第一非弯折区的一侧，且所述第二非弯折区与所述弯折区邻接；所述触控层还位于所述第二非弯折区；所述触控层的第二边界位于所述弯折区与所述第二非弯折区的邻接区域；所述第二电极层、所述第一电极层和所述绝缘层的第二边界在所述显示基板上的正投影互不交叠且依次远离所述弯折区。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层还延伸至所述第一非弯折区；所述第二电极层、所述第一电极层和所述绝缘层的第一边界在所述显示基板上的正投影落在所述第一导电层上。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层还延伸至所述第二非弯折区；所述第二电极层、所述第一电极层和所述绝缘层的第二边界在所述显示基板上的正投影落在所述第一导电层上。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极层的第一边界在所述显示基板上的正投影与所述弯折区和所述第一非弯折区的接壤边界交叠；所述第二电极层的第二边界在所述显示基板上的正投影与所述弯折区和所述第二非弯折区的接壤边界交叠。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层的第一边界在所述显示基板上的正投影与所述第二电极层的第一边界在所述显示基板上的正投影之间间隔第一间距；所述第一电极层的第一边界在所述显示基板上的正投影与所述绝缘层的第一边界在所述显示基板上的正投影之间间隔第二间距；所述第一电极层的第二边界在所述显示基板上的正投影与所述第二电极层的第二边界在所述显示基板上的正投影之间间隔所述第一间距；所述第一电极层的第二边界在所述显示基板上的正投影与所述绝缘层的第二边界在所述显示基板上的正投影之间间隔所述第二间距；
所述第一间距小于或等于所述第二间距。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一间距的尺寸范围为4～8μm；所述第二间距的尺寸范围为5～10μm。8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层的厚度范围为2800～3200埃；所述第一电极层的厚度范围为1800～2200埃。9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层的第一边界的坡度角范围为80～90
°
；所述绝缘层的第二边界的坡度角范围为80～90
°
；所述第一电极层的第一边界的坡度角范围为30～60
°
；所述第一电极层的第二边界的坡度角范围为30～60
°
。10.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示基板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述第一非弯折区，且所述缓冲层设置于所述第一电极层和所述第一导电层之间；所述缓冲层的第一边界位于所述弯折区与所述第一非弯折区的邻接区域，且所述缓冲层的第一边界在所述第一导电层上的正投影与所述第一电极层的第一边界在所述第一导电层上的正投影交叠。11.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示基板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述第一非弯折区，且所述缓冲层设置于所述第一电极层和所述第一导电层之间；所述缓冲层的第一边界位于所述弯折区与所述第一非弯折区的邻接区域，且所述缓冲层的第一边界在所述第一导电层上的正投影位于所述第二电极层的第一边界在所述第一导电层上的正投影和所述第一电极层的第一边界在所述第一导电层上的正投影之间。12.根据权利要求10或11所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层还位于所述第二非弯折区；所述缓冲层的第二边界位于所述弯折区与所述第二非弯折区的邻接区域，且所述缓冲层的第二边界在所述第一导电层上的正投影与所述第一电极层的第二边界在所述第一导电层上的正投影交叠。13.根据权利要求10或11所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层还位于所述第二非弯折区；所述缓冲层的第二边界位于所述弯折区与所述第二非弯折区的邻接区域，且所述缓冲层的第二边界在所述第一导电层上的正投影位于所述第二电极层的第二边界在所述第一导电层上的正投影和所述第一电极层的第二边界在所述第一导电层上的正投影之间。14.根据权利要求10或11所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层的厚度范围为800～1000埃。15.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层还包括第三边界；所述第一导电层包括第一边界，所述第一导电层的第一边界位于所述第一非弯折区；所述绝缘层的第三边界在所述显示基板上的正投影位于所述第一导电层的第一边界的远离所述弯折区的一侧。16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层还包括第四边界；
所述第一导电层还包括第二边界，所述第一导电层的第二边界位于所述第二非弯折区；所述绝缘层的第四边界在所述显示基板上的正投影位于所述第一导电层的第二边界的远离所述弯折区的一侧。17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，所述显示基板还包括平坦层和无机绝缘层，所述平坦层和所述无机绝缘层依次设置于所述第一导电层的背离所述触控层的一侧；所述平坦层由所述弯折区延伸至所述第一非弯折区和所述第二非弯折区；所述无机绝缘层位于所述第一非弯折区和所述第二非弯折区。18.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1
‑
17任意一项所述的显示面板。
技术总结
本公开实施例提供一种显示面板，包括：显示基板；触控层；位于所述显示基板的至少一侧；所述显示基板包括显示区和位于所述显示区至少一侧的绑定区，所述绑定区包括弯折区和第一非弯折区，所述弯折区与所述第一非弯折区邻接；所述显示基板还包括第一导电层；所述第一导电层至少位于所述弯折区；所述触控层位于所述第一非弯折区；所述触控层的第一边界位于所述弯折区与所述第一非弯折区的邻接区域；所述触控层包括依次远离所述第一导电层设置的第一电极层、绝缘层和第二电极层；所述第二电极层与所述第一导电层的边缘搭接,所述第二电极层、所述第一电极层和所述绝缘层的第一边界在所述显示基板上的正投影互不交叠且依次远离所述弯折区。所述弯折区。所述弯折区。


技术研发人员：何帆 仝可蒙 董向丹
受保护的技术使用者：成都京东方光电科技有限公司
技术研发日：2021.04.06
技术公布日：2021/6/29