一种eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉及其制备方法
技术领域
1.本发明涉及荧光粉制备技术领域，尤其涉及一种eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉及其制备方法。
背景技术：
2.相比传统光源，白光led(light
‑
emitting diode，发光二极管)凭借光电转换效率高、节能环保、使用寿命长等突出优势被誉为第四代照明光源。目前在我们的周围随处可见led灯光的使用，如室内照明、指示灯等。led照明光源的发明及飞速发展为人类带来了新的曙光，其在改变人类照明方式的同时，在节约能源和保护生态方面也做出了突出的贡献。全世界每年用于照明的能源消耗量占整年的20％，如果人类以led作为照明光源，将会显著地降低费用和节约能源。
3.白光led发光的方式主要按使用led发光二极管的使用数量可以分为单晶型和多晶型两种类型。一种是多晶型，即使用两个或两个以上的互补的2色led发光二极管或把3原色led发光二极管做混合光而形成白光；另一种是单晶型，通常采用两种方式，一种方式是蓝光led发光二极管激发黄色荧光粉产生白光，另一种方式是紫外光led激发红、绿、蓝三色三波长荧光粉来产生白光。随着led研究的不断深入，荧光粉作为led必不可少的表面涂覆材料也显得愈加重要。尤其是在所有led中占比最大的白光led，其发光性能由使用的荧光粉决定。其中，红色荧光粉既可为蓝光激发型led补充其所需的红光组分，同时又是紫外激发型led用三基色荧光粉之一，受到了越来越多的关注和研究。经过这些年的发展，红色荧光粉的种类也日渐丰富。
4.高效的红色荧光粉可以显著改善白光led的显色指数，目前能被近紫外光激发的红色荧光粉主要为eu
2
和eu
3
掺杂的化合物。但是传统的红色荧光粉，例如y2o2s：eu
3
，相较于蓝色和绿色荧光粉表现出较低的发光效率，且物理及化学性质不稳定，易潮解释放出腐蚀性较强的h2s。因此探寻物理及化学性质稳定、荧光强度高、纯度高的红色光荧光粉是本领域技术人员需要解决的问题。
技术实现要素：
5.针对现有技术的不足，本发明的目的是提供一种eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉及其制备方法。
6.本发明采用以下技术方案：
7.一种eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉，所述红色光荧光粉的化学式为naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
，所用原料为baco3、na2co3、baf2、h3bo3、eu2o3、k2co3，所述原料的摩尔比为20
‑
x
‑
y:1:4:14:x:y，其中0<x<2，0<y<1.6。
8.优选地，eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉，所述原料摩尔比为17.6:1:4:14:1.4:1。
9.本发明的红色光荧光粉的化学式为naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
，其中naba
12
b7o
21
f4为基
质，eu
3
为激活离子、k
为电荷补偿离子。由于激活离子在不同的基质中，其占据格点的对称性、配位环境、晶体场等不同，会对其发光性能造成不同的影响。本发明的naba
12
b7o
21
f4基质，具有硼酸盐基质的特点，合成温度低，能耗小，基质中具有12种不同ba
2
配位格点，为eu
3
和k
的掺杂提供了更多的可能，使其有利于大浓度离子的掺杂，有利于高荧光强度的获得。
10.eu
3
、k
共掺杂荧光粉，其中eu
3
作为激活离子，k
作为电荷补偿离子，二者的共同掺杂，其一、增强了发光材料性能的稳定性；其二、增加了发光材料结构的稳定性。eu
3
掺杂入基质中会替代基质中的ba
2
，会造成基质中阳离子电价的升高，化合物稳定性差，k
的掺入也会占据基质中ba
2
的格点位，其与eu
3
对基质中阳离子电价的影响作用相反，平衡了eu
3
等量取代ba
2
造成的电量失衡，具有稳定化合物的作用，进而稳定材料的发光性能。同时，k
的掺入占据ba
2
格位后，在空间上抑制了eu
3
非辐射作用，增强了eu
3
单掺杂naba
12
b7o
21
f4荧光粉的荧光强度；此外，k2co3在合成过程中起到助溶剂的作用，提高了基质的结晶度。
11.另一方面，本发明还提供eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉的制备方法，具体制备步骤如下：
12.1)按原料的摩尔比称取baco3、na2co3、baf2、h3bo3、eu2o3、k2co3，将上述组分倒入研钵中研磨均匀，得到混合物a；
13.2)将混合物a放入氧化铝坩埚a中，将装有混合物a的氧化铝坩埚a放入另一个带盖的氧化铝坩埚b中，取nh4f放在氧化铝坩埚a的周围，将氧化铝坩埚b盖上盖子，备用；
14.3)将氧化铝坩埚b置于马弗炉中，煅烧使硼酸分解，取出冷却研磨，得到混合物b；
15.4)将混合物b置于马弗炉中，煅烧使碳酸盐分解，取出冷却研磨，得到混合物c；
16.5)将混合物c置于马弗炉中，煅烧，期间取出研磨3
‑
4次，每次研磨时间15
‑
30min，冷却，得到红色光荧光粉。
17.进一步地，naba
12
b7o
21
f4基质的制备方法，包括以下步骤：
18.1)称取baco3、na2co3、baf2、h3bo3，原料的摩尔比为20:1:4:14，将上述组分倒入研钵中研磨均匀；得到混合物d；
19.2)将研磨后混合物d放入氧化铝坩埚a中，将装有混合物d的氧化铝坩埚a放入另一个带盖的氧化铝坩埚b中，取1gnh4f放在氧化铝坩埚a的周围，将氧化铝坩埚b盖上盖子，备用；
20.3)将氧化铝坩埚b置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到400℃，恒温2
‑
4h后使硼酸分解，取出冷却研磨，得到混合物e；
21.4)将混合物e置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到800
‑
850℃，恒温6
‑
8h后使碳酸盐分解，取出冷却研磨，得到混合物f；
22.5)将混合物f置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到980℃，恒温10
‑
20h，期间取出研磨3
‑
4次，每次研磨时间15
‑
30min，冷却，得到naba
12
b7o
21
f4基质。
23.进一步地，所述步骤2)中加入nh4f的质量为1g。加入nh4f的目的是：制备的naba
12
b7o
21
f4基质，氟含量较高，当温度较高时氟挥发比较严重，而nh4f在制备过程中提供了富氟的制备环境，更有利于基质纯样粉体的制备。
24.进一步地，所述步骤4)
‑
5)马弗炉煅烧在空气气氛下进行。
25.进一步地，所述步骤3)煅烧温度为以5℃/min的升温速率升温到400℃，恒温2
‑
4h。
26.进一步地，所述步骤4)煅烧温度为以5℃/min的升温速率升温到800
‑
850℃，恒温
6
‑
8h。
27.进一步地，所述步骤(5)煅烧温度为以5℃/min的升温速率升温到980℃，恒温10
‑
20h。
28.本发明通过先升温至800
‑
850℃并恒温一段时间来实现碳酸盐分解，而非直接快速升温至980℃，确保了碳酸盐不会快速分解，避免类似融化状的爬料现象的发生或产物难以生成。
29.本发明的有益效果主要体现为：
30.1)本发明原料为baco3、na2co3、baf2、h3bo3、eu2o3、k2co3，原料的摩尔比为20
‑
x
‑
y:1:4:14:x:y，其中0<x<2，0<y<1.6，eu
3
作为激活离子，k
作为电荷补偿离子，二者共同掺杂，不仅增强了发光材料性能的稳定性；而且增加了发光材料结构的稳定性；
31.2)本发明eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉，其中氟硼酸钠钡基质，具有硼酸盐基质的特点，合成温度低，能耗小，基质中具有3种不同钡离子配位格点，为eu
3
和k
的掺杂提供了更多的可能，使其有利于大浓度的离子掺杂，有利于高荧光强度的获得；
32.3)本发明制备过程中加入nh4f，其中氟硼酸钠钡基质含氟量较高，当温度较高时氟挥发比较严重，nh4f在制备过程中提供了富氟的制备环境，更有利于基质纯样粉体的制备；
33.4)本发明制备过程中加入k2co3，k2co3在合成过程中起到助溶剂的作用，提高了基质的结晶度，而红色光荧光粉的结晶度则通过多步实验操作共同影响。
附图说明
34.为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。
35.图1为本发明实施例1中naba
12
b7o
21
f4基质、naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
红色光荧光粉的xrd谱图；
36.图2为本发明实施例1中naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
红色光荧光粉的扫描电镜图；
37.图3为本发明实施例1中naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
红色光荧光粉的发射光谱图；
38.图4为本发明实施例1中naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
红色光荧光粉的国际照明委员会色度图；
39.图5为本发明实施例1中naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
红色光荧光粉的绝对荧光量子效率图；
40.图6为本发明实施例2中naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
红色光荧光粉的发射光谱图；
41.图7为本发明对比例1中naba
12
b7o
21
f4:eu
3
荧光粉的发射光谱图；
42.图8为本发明对比例1中naba
12
b7o
21
f4:eu
3
荧光粉的国际照明委员会色度图。
具体实施方式
43.下面将结合本发明中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中
的实施例，本领域普通的技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明的保护范围。
44.实施例1
45.一种eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉，所用原料为baco3、na2co3、baf2、h3bo3、eu2o3、k2co3，原料的摩尔比为17.6:1:4:14:1.4:1；
46.本实施例eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉的制备方法，具体制备步骤如下：
47.1)按原料的摩尔比称取baco3、na2co3、baf2、h3bo3、eu2o3、k2co3，将上述组分倒入研钵中研磨均匀；得到混合物a；
48.2)将研磨后混合物a放入氧化铝坩埚a中，将装有混合物a的氧化铝坩埚a放入另一个带盖的氧化铝坩埚b中，称取1g nh4f放在氧化铝坩埚a的周围，将氧化铝坩埚b盖上盖子，备用；
49.3)将氧化铝坩埚b置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到400℃，恒温3h后使硼酸分解，取出冷却研磨，得到混合物b；
50.4)将混合物b置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到820℃，恒温7h后使碳酸盐分解，取出冷却研磨，得到混合物c；
51.5)将混合物c置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到980℃，恒温15h，期间取出研磨4次，每次研磨时间30min，最后随炉冷却，得到红色光荧光粉naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
。
52.步骤4)
‑
5)马弗炉煅烧在空气气氛下进行。
53.本实施例naba
12
b7o
21
f4基质的制备方法，包括以下步骤：
54.1)称取baco3、na2co3、baf2、h3bo3，原料的摩尔比为20:1:4:14，将上述组分倒入研钵中研磨均匀；得到混合物d；
55.2)将研磨后混合物d放入氧化铝坩埚a中，将装有混合物d的氧化铝坩埚a放入另一个带盖的氧化铝坩埚b中，称取1g nh4f放在氧化铝坩埚a的周围，将氧化铝坩埚b盖上盖子，备用；
56.3)将氧化铝坩埚b置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到400℃，恒温3h后使硼酸分解，取出冷却研磨，得到混合物e；
57.4)将混合物e置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到820℃，恒温7h后使碳酸盐分解，取出冷却研磨，得到混合物f；
58.5)将混合物f置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到980℃，恒温15h，期间取出研磨4次，每次研磨时间30min，最后随炉冷却，得到naba
12
b7o
21
f4基质。
59.步骤4)
‑
5)马弗炉煅烧在空气气氛下进行。
60.如图1所示，它是实施例1制备的naba
12
b7o
21
f4基质、naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
红色光荧光粉的x射线粉末衍射图谱，xrd测试结果显示，所制备的naba
12
b7o
21
f4基质、naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
红色荧光粉没有任何其他的杂质物相存在。
61.如图2所示，为本发明实施例1所制得的naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
红色光荧光粉的扫描电镜图，结晶度较好。
62.如图3所示，为本发明实施例1所制得的naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
红色光荧光粉的发射光谱图。在393nm波长的激发下，样品的发射光谱主要是由eu
3
发射峰组成的，主要在583nm、
596nm、620nm、656nm和704nm处有发射峰，分别归属于eu
3
的5d0‑7f
j
(j＝0,1,2,3,4)电子跃迁，其中位于620nm的eu
3 5
d0→7f2磁偶极跃迁产生的发射最强。
63.如图4和5所示，本实施例测试表征采用fls980荧光光谱仪测试naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
荧光粉的荧光量子产率为24％，并且所制备的红色荧光粉化学性质稳定，发光性能好，发光强度高，显色性好，可满足led照明领域的应用要求，适合近紫外激发，发射峰主要位于620nm，r/o比为1.25，色坐标位于红光区域(x＝0.643，y＝0.3566)，与近紫外芯片的发光二极管匹配，是一种发光性能优良的红色光荧光粉。
64.实施例2
65.一种eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉，所用原料为baco3、na2co3、baf2、h3bo3、eu2o3、k2co3，原料的摩尔比为17.5:1:4:14:1.5:1。
66.本实施例eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉的制备方法，具体制备步骤如下：
67.1)按原料的摩尔比称取baco3、na2co3、baf2、h3bo3、eu2o3、k2co3，将上述组分倒入研钵中研磨均匀；得到混合物a；
68.2)将研磨后混合物a放入氧化铝坩埚a中，将装有混合物a的氧化铝坩埚a放入另一个带盖的氧化铝坩埚b中，称取1g nh4f放在小坩埚的周围，将氧化铝坩埚b盖上盖子，备用；
69.3)将氧化铝坩埚b置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到400℃，恒温3h后使硼酸分解，取出氧化铝坩埚a，冷却研磨，得到混合物b；
70.4)将氧化铝坩埚b置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到850℃，恒温8h后使碳酸盐分解，取出氧化铝坩埚a，冷却研磨，得到混合物c；
71.5)将氧化铝坩埚b置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到980℃，恒温18h，期间取出研磨3次，每次研磨时间20min，最后随炉冷却，得到红色光荧光粉naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
。
72.步骤4)
‑
5)马弗炉煅烧在空气气氛下进行。
73.本实施例naba
12
b7o
21
f4基质的制备方法，包括以下步骤：
74.1)称取baco3、na2co3、baf2、h3bo3，原料的摩尔比为20:1:4:14，将上述组分倒入研钵中研磨均匀；得到混合物d；
75.2)将研磨后混合物d放入氧化铝坩埚a中，将装有混合物d的氧化铝坩埚a放入另一个带盖的氧化铝坩埚b中，称取1g nh4f放在氧化铝坩埚a的周围，将氧化铝坩埚b盖上盖子，备用；
76.3)将氧化铝坩埚b置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到400℃，恒温3h后使硼酸分解，取出冷却研磨，得到混合物e；
77.4)将混合物e置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到850℃，恒温8h后使碳酸盐分解，取出冷却研磨，得到混合物f；
78.5)将混合物f置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到980℃，恒温18h，期间取出研磨3次，每次研磨时间20min，最后随炉冷却，得到naba
12
b7o
21
f4基质。
79.步骤4)
‑
5)马弗炉煅烧在空气气氛下进行。
80.如图6所示，为本发明实施例2所制得的naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
红色光荧光粉的发射光谱图。在393nm波长的激发下，样品的发射光谱主要是由eu
3
发射峰组成的，主要在583nm、
596nm、620nm、656nm和704nm处有发射峰，分别归属于eu
3
的5d0‑7f
j
(j＝0,1,2,3,4)电子跃迁，其中位于620nm的eu
3 5
d0→7f2磁偶极跃迁产生的发射最强。发射峰主要位于620nm，r/o比为1.23，适合近紫外激发，能够与近紫外芯片的发光二极管匹配。
81.对比例1
82.一种eu
3
单掺杂氟硼酸钠钡基荧光粉，所用原料为baco3、na2co3、baf2、h3bo3、eu2o3，原料的摩尔比为18.6:1:4:14:1.4；
83.对比例eu
3
单掺杂氟硼酸钠钡基荧光粉的制备方法，具体制备步骤如下：
84.1)按原料的摩尔比称取baco3、na2co3、baf2、h3bo3、eu2o3，将上述组分倒入研钵中研磨均匀；得到混合物a；
85.2)将研磨后混合物a放入氧化铝坩埚a中，将装有混合物a的氧化铝坩埚a放入另一个带盖的氧化铝坩埚b中，称取1g nh4f放在氧化铝坩埚a的周围，将氧化铝坩埚b盖上盖子，备用；
86.3)将氧化铝坩埚b置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到400℃，恒温3h后使硼酸分解，取出冷却研磨，得到混合物b；
87.4)将混合物b置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到820℃，恒温7h后使碳酸盐分解，取出冷却研磨，得到混合物c；
88.5)将混合物c置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到980℃，恒温15h，期间取出研磨4次，每次研磨时间30min，最后随炉冷却，得到荧光粉naba
12
b7o
21
f4:eu
3
。
89.步骤4)
‑
5)马弗炉煅烧在空气气氛下进行。
90.如图7所示，位于596nm的eu
3 5
d0→7f1磁偶极跃迁产生的发射最强。根据宇称选择定则，若5d0→7f1的磁偶极跃迁占主导地位，eu
3
则处于反演对称中心位置，使样品主要呈现橙色；若5d0→7f2的电偶极跃迁占主导地位，则eu
3
处于非反演对称中心位置，使样品主要呈现红色。
91.如图8所示，荧光粉的色坐标是(x＝0.6388，y＝0.3608)。对比例1eu
3
单掺杂naba
12
b7o
21
f4基质制备荧光粉的色坐标x值与实施例1eu
3
/k
二者共同掺杂naba
12
b7o
21
f4基质制备荧光粉色坐标x值对比差别较大，对比例1eu
3
单掺杂naba
12
b7o
21
f4基质制备荧光粉呈现橙红色。
92.对比例2
93.一种k
单掺杂氟硼酸钠钡基荧光粉，所用原料为baco3、na2co3、baf2、h3bo3、k2co3，原料的摩尔比为19:1:4:14:1；
94.对比例k
单掺杂氟硼酸钠钡基荧光粉的制备方法，具体制备步骤如下：
95.1)按原料的摩尔比称取baco3、na2co3、baf2、h3bo3、k2co3，将上述组分倒入研钵中研磨均匀；得到混合物a；
96.2)将研磨后混合物a放入氧化铝坩埚a中，将装有混合物a的氧化铝坩埚a放入另一个带盖的氧化铝坩埚b中，称取1g nh4f放在氧化铝坩埚a的周围，将氧化铝坩埚b盖上盖子，备用；
97.3)将氧化铝坩埚b置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到400℃，恒温3h后使硼酸分解，取出冷却研磨，得到混合物b；
98.4)将混合物b置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到820℃，恒温7h后使碳酸
盐分解，取出冷却研磨，得到混合物c；
99.5)将混合物c置于马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温到980℃，恒温15h，期间取出研磨4次，每次研磨时间30min，最后随炉冷却，得到荧光粉naba
12
b7o
21
f4:k
。
100.步骤4)
‑
5)马弗炉煅烧在空气气氛下进行。
101.对比例2中k
单掺杂naba
12
b7o
21
f4基质所制备的粉体不发射可见荧光，k
的电子轨道能量差值较大，激发跃迁需要很大的能量，近紫外能量不能激发。
102.本发明对比例1eu
3
单掺杂naba
12
b7o
21
f4基质制备荧光粉，对比例2k
单掺杂naba
12
b7o
21
f4基质制备荧光粉，如图7所示，对比例1中eu
3
单掺杂naba
12
b7o
21
f4荧光粉是5d0→7f1跃迁峰较强，使样品主要呈现橙红色；如图3所示，实施例1荧光粉是位于620nm的eu
3 5
d0→7f2的电偶极跃迁占主导地位样品主要呈现红色，因此k
的加入，使eu
3
单掺杂荧光粉的橙红色向红色转变；对比例2相较于实施例1不具有荧光活性。
103.本发明原料为baco3、na2co3、baf2、h3bo3、eu2o3、k2co3，原料的摩尔比为20
‑
x
‑
y:1:4:14:x:y，其中0<x<2，0<y<1.6，当x＝1.4，y＝1时，荧光最强。eu
3
作为激活离子，k
作为电荷补偿离子，二者共同掺杂，不仅增强了发光性能的稳定性；而且增加了发光材料的稳定性。
104.以上借助具体实施例对本发明做了进一步描述，但是应该理解的是，这里具体的描述，不应理解为对本发明的实质和范围的限定，本领域内的普通技术人员在阅读本说明书后对上述实施例做出的各种修改，都属于本发明所保护的范围。
技术特征：
1.一种eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉，其特征在于，所述红色光荧光粉的化学式为naba
12
b7o
21
f4:eu
3
/k
，所用原料为baco3、na2co3、baf2、h3bo3、eu2o3、k2co3，所述原料的摩尔比为20
‑
x
‑
y:1:4:14:x:y，其中0<x<2，0<y<1.6。2.如权利要求1所述的eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉，其特征在于，所述原料摩尔比为17.6:1:4:14:1.4:1。3.权利要求1或2所述的eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉的制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：1)按原料的摩尔比称取baco3、na2co3、baf2、h3bo3、eu2o3、k2co3，将上述组分倒入研钵中研磨均匀，得到混合物a；2)将混合物a放入氧化铝坩埚a中，将装有混合物a的氧化铝坩埚a放入另一个带盖的氧化铝坩埚b中，取nh4f放在氧化铝坩埚a的周围，将氧化铝坩埚b盖上盖子，备用；3)将氧化铝坩埚b置于马弗炉中，煅烧使硼酸分解，取出冷却研磨，得到混合物b；4)将混合物b置于马弗炉中，煅烧使碳酸盐分解，取出冷却研磨，得到混合物c；5)将混合物c置于马弗炉中，煅烧，期间取出研磨3
‑
4次，每次研磨时间15
‑
30min，冷却，得到红色光荧光粉。4.如权利要求3所述的eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉的制备方法，其特征在于，所述步骤4)
‑
5)马弗炉煅烧在空气气氛下进行。5.如权利要求3所述的eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉的制备方法，其特征在于，所述步骤3)煅烧温度为以5℃/min的升温速率升温到400℃，恒温2
‑
4h。6.如权利要求3所述的eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉的制备方法，其特征在于，所述步骤4)煅烧温度为以5℃/min的升温速率升温到800
‑
850℃，恒温6
‑
8h。7.如权利要求3所述的eu
3
/k
共掺杂氟硼酸钠钡基红色光荧光粉的制备方法，其特征在于，所述步骤5)煅烧温度为以5℃/min的升温速率升温到980℃，恒温10
‑
20h。
技术总结
本发明涉及荧光粉制备技术领域，尤其涉及一种Eu
技术研发人员：郝斌 赵文武 郁建元 曹玉霞 刘剑
受保护的技术使用者：唐山学院
技术研发日：2021.03.18
技术公布日：2021/6/29
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