一种半导体器件的金连接线及其生产方法与流程

1.本发明涉及一种金连接线及其生产方法，涉及半导体器件设备技术领域，特别是涉及一种半导体器件的金连接线及其生产方法。


背景技术：

2.目前，由高纯4n型金(纯度〉99.99质量％)制成且线直径为约20至约50微米的连接线被用来连接半导体元件上的电极与外部引线。通常使用结合超声波的热压接系统作为连接线的技术，为了进行连接所述技术需要常用的连接装置和用来插入连接线的毛细管夹具。通过电弧供热来加热并融化连接线的一端，从而利用表面张力形成球，所述球被压接到在150至300c加热的半导体元件的电极上，然后，通过超声波压接将连接线直接楔形接合到外部引线侧。为了将器件用作半导体器件(例如晶体管或ic)，在连接线被连接之后，用环氧树脂密封器件，从而保护硅芯片、连接线和组装硅芯片的引线框架部分。除了改进它们的性质外，改进它们与周围元件的关系，以及改进诸如使用和可靠性的整体性能已经日益重要。针对现有技术存在以下问题：
3.1、现有技术中，存在现有的金连接线在进行长时间使用后，容易受到外界的空气造成氧化，使内部的铜芯受到损害的问题；
4.2、现有技术中，对一些金连接线来说现有的金连接线一般在使用时，容易受到电流产生电磁造成干扰，影响设备运行，无法使半导体器件正常运行的问题，进而达不到金连接线的使用初衷，该金连接线的适用性变差，因此需要进行结构创新来解决具体问题。


技术实现要素：

5.本发明需要解决的技术问题是提供一种半导体器件的金连接线及其生产方法，其中一种目的是为了具备抗氧化外层、铜线保护层，解决现有的金连接线在进行长时间使用后，容易受到外界的空气造成氧化，使内部的铜芯受到损害的问题；其中另一种目的是为了解决现有的金连接线一般在使用时，容易受到电流产生电磁造成干扰，影响设备运行，无法使半导体器件正常运行的问题，以达到使金连接线在进行使用时，可以防止电流在流动时不会产生电磁，避免电磁影响设备运行，使半导体器件可以正常运行，其中再一种目的是为了具备连接线保护端、连接线固定环、连接线固定卡齿，方便解决现有的金连接线在长时间的使用过程中，连接线的端头容易发生断裂，容易内部的铜线受到损坏的问题，通过以上结构结合以达到使金连接线在长时间的使用过程中，避免连接线的端头发生断裂，防止内部的铜线受到损坏。
6.为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：
7.一种半导体器件的金连接线及其生产方法，包括连接线主体、固定连接端、半导器连接器和半导器端，所述连接线主体的左侧固定连接有固定连接端，所述固定连接端的左侧固定安装有半导器连接器，所述半导器连接器的左侧固定安装有半导器端，所述连接线主体的表面上设置有连接线保护端，所述连接线保护端用于对连接线主体的端头进行保
护，防止发生断裂。
8.所述连接线主体的右侧设置有电磁消减器，所述电磁消减器用于对连接线主体输出的电流进行电磁消减。
9.本发明技术方案的进一步改进在于：所述连接线保护端的内壁上设置有连接线固定环，且所述连接线保护端的左侧固定安装在固定连接端的右侧上，所述连接线固定环的外侧固定安装在连接线保护端的内壁上，且所述连接线固定环的内壁上固定安装有连接线固定卡齿，所述连接线固定卡齿的内侧搭接在连接线主体的表面上。
10.采用上述技术方案，该方案中的连接线保护端内部的连接线固定环与连接线固定卡齿结合在一起能够将连接线主体进行固定，并且在固定的同时可以避免连接线的端头发生断裂，防止内部的铜线受到损坏。
11.本发明技术方案的进一步改进在于：所述连接线主体的内部设置有抗氧化外层，所述抗氧化外层的表面固定安装在连接线主体的内壁上，且所述抗氧化外层的左右两端固定安装在连接线主体的内壁上。
12.采用上述技术方案，该方案中的抗氧化外层可以使金连接线在进行使用时，提高表面对空气的抗氧化能力。
13.本发明技术方案的进一步改进在于：所述连接线主体的内部且位于抗氧化外层的内侧设置有防电磁层，所述防电磁层的表面固定安装在抗氧化外层的内壁上，且所述防电磁层的左右两端固定安装在连接线主体的内壁上。
14.采用上述技术方案，该方案中的防电磁层能够使电流在连接线主体内部流动时不会产生电磁，避免电磁影响到连接线的使用。
15.本发明技术方案的进一步改进在于：所述。连接线主体的内部且位于防电磁层的内侧设置有铜线保护层，所述铜线保护层的表面固定安装在防电磁层的内壁上，且所述铜线保护层的左右两端固定安装在连接线主体的内壁上。
16.本发明技术方案的进一步改进在于：所述铜线保护层的内部设置有铜丝线，所述铜丝线的表面固定安装在铜线保护层的内壁上，且所述铜丝线的左右两端固定安装在连接线主体的内壁上。
17.采用上述技术方案，该方案中的铜线保护层可以对铜丝线进行保护效果，防止铜丝线在使用时受到损害。
18.本发明技术方案的进一步改进在于：所述电磁消减器的右侧固定安装有电流元件端子，且所述电磁消减器的内部固定安装有电流元件，所述电流元件的顶部固定安装有电磁吸收端子，所述电磁吸收端子的表面上固定安装有电磁吸收元件，所述电磁吸收元件的底部固定安装在电流元件的顶部，所述电流元件的左右两侧固定安装有电磁吸收器。
19.采用上述技术方案，该方案中的电磁消减器内部的电流元件、电磁吸收元件、电磁吸收端子组合在一起，可以对电磁进行吸收，并且可以将电磁进行消除。
20.一种半导体器件金连接线的生产方法，包括以下方法：
21.s1、材料预备：将连接线所需要的材料进行准备；
22.s2、连接端组装：将连接线的材料进行组装拼接；
23.s3、端头连接：将连接线的两端与相对应的端头进行连接；
24.s4、端头固定：将连接线两端与对应的端头进行固定；
25.s5、效果检测：将组装好的连接线进行通电，对其进行检测。
26.本发明技术方案的进一步改进在于：所述效果检测：包括电流检测、漏电检测。
27.电流检测是对连接线的电流进行检测，防止电流在使用产生不稳定因素。
28.漏电检测是将连接线进行通电，在通电过程中查看连接线在通电情况下是否会发生漏电现象。
29.由于采用了上述技术方案，本发明相对现有技术来说，取得的技术进步是：
30.1、本发明提供一种半导体器件的金连接线及其生产方法，通过设计精妙，采用抗氧化外层、铜线保护层结合，方便解决现有的金连接线在进行长时间使用后，容易受到外界的空气造成氧化，使内部的铜芯受到损害的问题，通过以上结构结合以达到使金连接线在进行使用时，可以提高表面对空气的抗氧化能力，避免内部的铜芯受到损害。
31.2、本发明提供一种半导体器件的金连接线及其生产方法，通过采用电磁消减器、防电磁层、电流元件、电磁吸收元件、电磁吸收端子、电磁吸收器组合设置，可以实现解决现有的金连接线一般在使用时，容易受到电流产生电磁造成干扰，影响设备运行，无法使半导体器件正常运行的问题，通过以上结构结合以达到使金连接线在进行使用时，可以防止电流在流动时不会产生电磁，避免电磁影响设备运行，使半导体器件可以正常运行。
32.3、本发明提供一种半导体器件的金连接线及其生产方法，通过具备连接线保护端、连接线固定环、连接线固定卡齿，方便解决现有的金连接线在长时间的使用过程中，连接线的端头容易发生断裂，容易内部的铜线受到损坏的问题，通过以上结构结合以达到使金连接线在长时间的使用过程中，避免连接线的端头发生断裂，防止内部的铜线受到损坏。
33.4、本发明提供一种半导体器件的金连接线及其生产方法，通过具备效果检测方法、电流检测方法、漏电检测方法，可以解决现有的金连接线在使用过程中，容易产生漏电的现象，导致连接线在使用时发生故障的问题，通过以上的方法以达到在制作时能对连接线进行检修，避免在使用过程中产生漏电的现象，防止连接线在使用时发生故障。
附图说明
34.图1为本发明的立体结构示意图；
35.图2为本发明的连接线保护端剖视结构示意图；
36.图3为本发明的连接线主体剖视结构示意图；
37.图4为本发明的电磁消减器展开结构示意图；
38.图5为本发明的方法流程结构示意图；
39.图6为本发明的效果检测流程结构示意图；
40.其中，1、连接线主体；2、连接线保护端；3、固定连接端；4、半导器连接器；5、半导器端；6、电磁消减器；7、电流元件端子；8、连接线固定环；9、连接线固定卡齿；10、抗氧化外层；11、防电磁层；12、铜丝线；13、铜线保护层；14、电流元件；15、电磁吸收元件；16、电磁吸收端子；17、电磁吸收器。
具体实施方式
41.下面结合实施例对本发明做进一步详细说明：
42.实施例1
43.第一方面，如图1－图4所示，本发明提供了一种半导体器件的金连接线，包括连接线主体1、固定连接端3、半导器连接器4和半导器端5，连接线主体1的左侧固定连接有固定连接端3，固定连接端3的左侧固定安装有半导器连接器4，半导器连接器4的左侧固定安装有半导器端5，连接线主体1的表面上设置有连接线保护端2，连接线保护端2用于对连接线主体1的端头进行保护，防止发生断裂，连接线主体1的右侧设置有电磁消减器6，电磁消减器6用于对连接线主体1输出的电流进行电磁消减，连接线保护端2的内壁上设置有连接线固定环8，且连接线保护端2的左侧固定安装在固定连接端3的右侧上，连接线固定环8的外侧固定安装在连接线保护端2的内壁上，且连接线固定环8的内壁上固定安装有连接线固定卡齿9，连接线固定卡齿9的内侧搭接在连接线主体1的表面上，连接线保护端2内部的连接线固定环8与连接线固定卡齿9结合在一起能够将连接线主体1进行固定，并且在固定的同时可以避免连接线的端头发生断裂，防止内部的铜线受到损坏，连接线主体1的内部设置有抗氧化外层10，抗氧化外层10的表面固定安装在连接线主体1的内壁上，抗氧化外层10可以使金连接线在进行使用时，提高表面对空气的抗氧化能力，且抗氧化外层10的左右两端固定安装在连接线主体1的内壁上，连接线主体1的内部且位于抗氧化外层10的内侧设置有防电磁层11，防电磁层11能够使电流在连接线主体1内部流动时不会产生电磁，避免电磁影响到连接线的使用，防电磁层11的表面固定安装在抗氧化外层10的内壁上，且防电磁层11的左右两端固定安装在连接线主体1的内壁上。
44.实施例2
45.如图1
‑
4所示，在实施例1的基础上，本发明提供一种技术方案：连接线主体1的内部且位于防电磁层11的内侧设置有铜线保护层13，铜线保护层13的表面固定安装在防电磁层11的内壁上，且铜线保护层13的左右两端固定安装在连接线主体1的内壁上，铜线保护层13的内部设置有铜丝线12，铜线保护层13可以对铜丝线12进行保护效果，防止铜丝线12在使用时受到损害，铜丝线12的表面固定安装在铜线保护层13的内壁上，且铜丝线12的左右两端固定安装在连接线主体1的内壁上，电磁消减器6的右侧固定安装有电流元件端子7，且电磁消减器6的内部固定安装有电流元件14，电流元件14的顶部固定安装有电磁吸收端子16，电磁吸收端子16的表面上固定安装有电磁吸收元件15，电磁吸收元件15的底部固定安装在电流元件14的顶部，电磁消减器6内部的电流元件14、电磁吸收元件15、电磁吸收端子16组合在一起，可以对电磁进行吸收，并且可以将电磁进行消除，电流元件14的左右两侧固定安装有电磁吸收器17，电磁吸收器17可以对电磁进行吸收，防止电磁对连接线造成影响。
46.下面具体说一下该半导体器件的金连接线及其生产方法的工作原理。
47.如图1
‑
6所示，在使用时通过连接线保护端2内部的连接线固定环8与连接线固定卡齿9结合在一起对连接线主体1进行固定，然后通过电磁消减器6内部的电流元件14、电磁吸收元件15、电磁吸收端子16、电磁吸收器17组合在一起对电磁进行吸收，将电磁进行消除。
48.第二方面，本方面提供一种技术方案，一种半导体器件金连接线的生产方法，包括以下方法：s1、材料预备：将连接线所需要的材料进行准备；
49.s2、连接端组装：将连接线的材料进行组装拼接；
50.s3、端头连接：将连接线的两端与相对应的端头进行连接；
51.s4、端头固定：将连接线两端与对应的端头进行固定；
52.s5、效果检测：将组装好的连接线进行通电，对其进行检测。
53.效果检测：包括电流检测、漏电检测；
54.电流检测是对连接线的电流进行检测，防止电流在使用产生不稳定因素；
55.漏电检测是将连接线进行通电，在通电过程中查看连接线在通电情况下是否会发生漏电现象。
56.上文一般性的对本发明做了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之做一些修改或改进，这对于技术领域的一般技术人员是显而易见的。因此，在不脱离本发明思想精神的修改或改进，均在本发明的保护范围之内。