本实用新型涉及一种全桥软开关逆变桥体结构，特别是涉及基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构，属于全桥软开关逆变桥体结构技术领域。
背景技术：
传统的全桥软开关逆变桥体结构中，三相整流桥、滤波电容、全桥软开关功率管、二次整流二极管等各个组件之间是相对分离的，没有集成在一起，组装不方便，且占用空间。
常见全桥软开关逆变桥体功率管吸收参数固定，当应用在大功率场合时，电流大小参数差异大，无法根据电流大小调整。
电源高压母线产生的磁场会对弱电控制电路产生较强的辐射干扰，为此设计一种基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构来优化上述问题。
技术实现要素：
本实用新型的主要目的是为了提供基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构，此结构元器件分布在桥体四周，最大化利用了散热片一和散热片二的散热面积，在大功率工作条件下，更好的为元器件散热，降低由于元器件温度升高带来的损耗，提高效率，同时也能够有效延长元器件的使用寿命。
此结构通过布局使元件连接线更短，减小电气连接回路之间电感，尽量避免线路电感过大产生的干扰。
本实用新型的目的可以通过采用如下技术方案达到：
基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构，包括散热片一和散热片二，所述散热片一和散热片二散热齿朝向内部，呈现对称式布局，所述散热片一和散热片二通过上部前后电木板连接，所述散热片一和散热片二的上下中间处连接有滤波功率板，所述散热片一和散热片二前后固定有绝缘材质底脚，所述散热片一和散热片二周围分布元器件，中间构成通风风道，所述散热片一和散热片二表面安装有igbt模块一、igbt模块二和吸收电容切换功率管散热铝块，散热铝块表面安装有两只软吸收电容切换mos管并通过压片固定。
优选的，所述散热片二上表面中间位置安装有温度开关。
优选的，igbt模块一与igbt模块二上端焊接有驱动板，所述igbt模块一与igbt模块二的上方安装有功率板并通过功率板连接构成桥式结构。
优选的，功率板上方igbt模块一与igbt模块二中间焊接有多个高频滤波电容，功率板前方焊接有多个软吸收电容。
优选的，散热片二前方固定有取样板，散热片二上方安装有三相整流桥，散热片二底部安装有假负载。
优选的，散热片一一表面固定有多只整流二极管。
本实用新型的有益技术效果：
本实用新型提供的基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构，此结构元器件分布在桥体四周，最大化利用了散热片一和散热片二的散热面积，在大功率工作条件下，更好的为元器件散热，降低由于元器件温度升高带来的损耗，提高效率，同时也能够有效延长元器件的使用寿命。
此结构通过布局使元件连接线更短，减小电气连接回路之间电感，尽量避免线路电感过大产生的干扰。
附图说明
图1为按照本实用新型的基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构的一优选实施例的装置整体立体结构图；
图2为按照本实用新型的基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构的一优选实施例的第一视角侧视图；
图3为按照本实用新型的基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构的一优选实施例的第二视角侧视图；
图4为按照本实用新型的基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构的一优选实施例的第三视角侧视图。
图中：1-三相整流桥，2-温度开关，3-igbt驱动板，4-软吸收电容，5-取样板，6-高频滤波电容，7-功率板，8-igbt模块一，9-igbt模块二，10-绝缘底脚，11-滤波电容，12-软吸收电容切换mos管，13-饱和谐振电感，14-假负载，15-二极管模块，16-输出正极连接孔，17-滤波功率板，18-电木板，19-散热片一，20-散热片二，21-压片，22-散热铝块，23-高压输入连接铜板。
具体实施方式
为使本领域技术人员更加清楚和明确本实用新型的技术方案，下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
如图1-图4所示，本实施例提供的基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构，包括散热片一19和散热片二20，散热片一19和散热片二20散热齿朝向内部，呈现对称式布局，散热片一19和散热片二20通过上部前后电木板18连接，散热片一19和散热片二20的上下中间处连接有滤波功率板17，散热片一19和散热片二20前后固定有绝缘材质底脚10，散热片一19和散热片二20周围分布元器件，中间构成通风风道，散热片一19和散热片二20表面安装有igbt模块一8、igbt模块二9和吸收电容切换功率管散热铝块22，散热铝块22表面安装有两只软吸收电容切换mos管12并通过压片21固定。
此结构元器件分布在桥体四周，最大化利用了散热片一19和散热片二20的散热面积，在大功率工作条件下，更好的为元器件散热，降低由于元器件温度升高带来的损耗，提高效率，同时也能够有效延长元器件的使用寿命。
此结构通过布局使元件连接线更短，减小电气连接回路之间电感，尽量避免线路电感过大产生的干扰。
在本实施例中，散热片二20上表面中间位置安装有温度开关2。
在本实施例中，igbt模块一8与igbt模块二9上端焊接有驱动板3，igbt模块一8与igbt模块二9的上方安装有功率板7并通过功率板7连接构成桥式结构。
在本实施例中，功率板7上方igbt模块一8与igbt模块二9中间焊接有多个高频滤波电容6，功率板7前方焊接有多个软吸收电容4。
在本实施例中，散热片二20前方固定有取样板5，散热片二20上方安装有三相整流桥1，散热片二20底部安装有假负载14。
在本实施例中，散热片一19一表面固定有多只整流二极管15，足大功率需求，且整流二极管呈上下交错排布，充分利用散热面积。饱和谐振电感通过电木固定在桥体正前方风道处，保证电感良好散热条件。
以上，仅为本实用新型进一步的实施例，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型所公开的范围内，根据本实用新型的技术方案及其构思加以等同替换或改变，都属于本实用新型的保护范围。
1.基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构，其特征在于：包括散热片一(19)和散热片二(20)，所述散热片一(19)和散热片二(20)散热齿朝向内部，呈现对称式布局，所述散热片一(19)和散热片二(20)通过上部前后电木板(18)连接，所述散热片一(19)和散热片二(20)的上下中间处连接有滤波功率板(17)，所述散热片一(19)和散热片二(20)前后固定有绝缘材质底脚(10)，所述散热片一(19)和散热片二(20)周围分布元器件，中间构成通风风道，所述散热片一(19)和散热片二(20)表面安装有igbt模块一(8)、igbt模块二(9)和吸收电容切换功率管散热铝块(22)，散热铝块(22)表面安装有两只软吸收电容切换mos管(12)并通过压片(21)固定。
2.根据权利要求1所述的基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构，其特征在于：所述散热片二(20)上表面中间位置安装有温度开关(2)。
3.根据权利要求2所述的基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构，其特征在于：igbt模块一(8)与igbt模块二(9)上端焊接有驱动板(3)，所述igbt模块一(8)与igbt模块二(9)的上方安装有功率板(7)并通过功率板(7)连接构成桥式结构。
4.根据权利要求3所述的基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构，其特征在于：功率板(7)上方igbt模块一(8)与igbt模块二(9)中间焊接有多个高频滤波电容(6)，功率板(7)前方焊接有多个软吸收电容(4)。
5.根据权利要求4所述的基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构，其特征在于：散热片二(20)前方固定有取样板(5)，散热片二(20)上方安装有三相整流桥(1)，散热片二(20)底部安装有假负载(14)。
6.根据权利要求1所述的基于锁孔效应焊接的大功率新型全桥软开关逆变桥体结构，其特征在于：散热片一(19)一表面固定有多只整流二极管(15)。
技术总结