提供目标至极紫外光源的目标区域的方法与流程

提供目标至极紫外光源的目标区域的方法
1.本技术是申请日为2017年4月4日、申请号为201780025548.3、发明名称为“提供目标至极紫外光源的目标区域的方法”的发明专利申请的分案申请。
2.相关申请的交叉引用
3.本技术要求于2016年4月25日提交的题为“reducing the effect of plasma on an object in an extreme ultraviolet light source”的美国实用新型申请no.15/137,933的权益，该申请通过引用整体并入本文。
技术领域
4.本公开涉及减小等离子体对极紫外(euv)光源中的物体的影响。


背景技术：

5.在光学光刻工艺中，可以使用极紫外(“euv”)光(例如，具有波长为约50nm或更小的电磁辐射(有时也称为软x射线)，并且包括波长为约13nm的光)以在衬底中产生极小的特征，例如硅晶片。
6.产生euv光的方法包括但不必限于转换在等离子体状态中具有发射线在euv范围中的元素(例如，氙、锂或锡)的材料。在一种这样的方法中，通常称为激光产生的等离子体(“lpp”)的所需要的等离子体可以通过利用可以称为驱动激光的光束照射目标材料来产生(例如以微滴、板、带、流或材料簇形式)。对于该过程，等离子体典型地在密封容器(例如，真空室)中产生，并且使用各种类型的量测设备进行监测。


技术实现要素：

7.在一个一般方面，向真空室的内部提供第一目标，第一目标包括在等离子体状态下发射极紫外(euv)光的目标材料；朝向第一目标引导第一光束以从第一目标的目标材料形成第一等离子体，第一等离子体与沿着第一发射方向从第一目标被发射的粒子和辐射的方向通量相关联，第一发射方向由第一目标的定位确定；向真空室的内部提供第二目标，第二目标包括在等离子体状态下发射极紫外光的目标材料；以及朝向第二目标引导第二光束以从第二目标的目标材料形成第二等离子体，第二等离子体与沿着第二发射方向从第二目标发射的粒子和辐射的方向通量相关联，第二发射方向由第二目标的定位确定，第二发射方向不同于第一发射方向。
8.实现可以包括以下特征中的一个或多个。第一目标的目标材料可以呈第一几何分布布置，第一几何分布可以具有沿着相对于真空室中的单独且不同的物体以第一角度定向的轴线的范围，第二目标的目标材料可以呈第二几何分布布置，第二几何分布可以具有沿着相对于真空室中的单独且不同的物体以第二角度定向的轴线的范围，第二角度可以不同于第一角度，第一发射方向可以由第一角度确定，并且第二发射可以由第二角度确定。
9.在一些实现中，向真空室的内部提供第一目标包括：向真空室的内部提供第一初始目标，第一初始目标包括呈初始几何分布的目标材料；并且朝向第一初始目标引导光学
脉冲以形成第一目标，第一目标的几何分布不同于第一初始目标的几何分布，并且向真空室的内部提供第二目标包括：向真空室的内部提供第二初始目标，第二初始目标包括呈第二初始几何分布的目标材料；并且朝向第二初始目标引导光学脉冲以形成第二目标，第二目标的几何分布不同于第二初始目标的几何分布。
10.第一初始目标和第二初始目标可以是基本上球形的，并且第一目标和第二目标可以是盘形的。第一初始目标和第二初始目标可以是沿着轨迹行进的多个初始目标中的两个初始目标，并且真空室中的单独且不同的物体可以是多个初始目标中除了第一初始目标和第二初始目标之外的一个初始目标。
11.可以向真空室的内部提供流体，流体占据真空室中的体积，并且真空室中的单独且不同的物体可以包括流体的部分。流体可以是流动气体。在接收目标的目标区中，在传播方向上，第一光束可以朝向第一目标传播并且第二光束可以朝向第二目标传播，并且流动气体可以在平行于传播方向的方向上流动。
12.真空室中的单独且不同的物体可以包括光学元件。光学元件可以是反射元件。
13.真空室中的单独且不同的物体可以是光学元件的反射表面的一部分，并且该一部分小于整个反射表面。
14.可以基于流动配置向真空室的内部提供流体，并且在这些实现中，流体基于流动配置在真空室中流动。第一光束和第二光束可以是被配置为提供euv突发持续时间的脉冲光束中的光学脉冲，并且可以确定euv突发持续时间。可以确定与euv突发持续时间相关联的流体的性质，该性质包括流体的最小流速、密度和压力中的一个或多个，并且可以基于所确定的性质来调节流体的流动配置。流动配置可以包括流体的流速和流动方向中的一个或多个，并且调节流体的流动配置可以包括调节流速和流动方向中的一个或多个。
15.在一些实现中，第一目标在第一时间形成等离子体，第二等离子体在第二时间形成目标，第一时间与第二时间之间的时间是逝去时间，并且光束包括被配置为提供euv突发持续时间的脉冲光束。可以确定euv突发持续时间，可以确定与euv突发持续时间相关联的最小流速，并且可以基于所确定的流体的最小流速来调节流体的逝去时间和流速中的一个或多个。
16.第一光束可以具有轴线，并且第一光束的强度可以在轴线处最大。第二光束可以具有轴线，并且第二光束的强度可以在第二光束的轴线处最大。第一发射方向可以由第一目标相对于第一光束的轴线的位置确定，并且第二发射方向可以由第二目标相对于第二光束的轴线的位置确定。
17.第一光束的轴线和第二光束的轴线可以沿着相同的方向，第一目标位于第一光束的轴线的第一侧上的位置处，并且第二目标位于第一光束的轴线的第二侧上的位置处。
18.第一光束的轴线和第二光束的轴线可以沿着不同的方向，并且第一目标和第二目标可以在不同时间处于真空室中的基本上相同的位置处。
19.第一目标和第二目标可以是基本上球形的。
20.在另一一般方面，可以减小等离子体对极紫外(euv)光源的真空室中的物体的影响。在真空室中修改初始目标以形成经修改的目标，初始目标包括呈初始几何分布的目标材料，并且经修改的目标包括呈不同的经修改的几何分布的目标材料。朝向经修改的目标引导光束，该光束具有足以将经修改的目标中的至少一些目标材料转换成发射euv光的等
离子体的能量，该等离子体与粒子和辐射的方向相关通量相关联，方向相关通量具有相对于经修改的目标的角度分布，角度分布取决于经修改的目标的定位使得将经修改的目标定位在真空室中减小了等离子体对物体的影响。
21.实现可以包括以下特征中的一个或多个。经修改的几何分布可以具有在第一方向上的第一范围和在第二方向上的第二范围，第二范围可以大于第一范围，并且可以通过相对于物体以一定角度定向第二范围来定位经修改的目标。也可以向真空室的内部提供第二初始目标，初始目标和第二初始目标沿着轨迹行进。单独且不同的物体可以是第二初始目标。第二初始目标可以是在轨迹上行进的目标的流中的一个目标。第二初始目标可以是流中距初始目标的距离最近的目标。在一些实现中，修改第二初始目标以形成第二经修改的目标，第二经修改的目标具有目标材料的经修改的几何分布，并且第二经修改的目标的第二范围以第二范围相对于单独且不同的物体以不同的第二角度被定向而被定位。单独且不同的物体可以是在真空室中流动的一定体积的流体的部分和真空室中的光学元件中的一个或多个。
22.可以通过引导初始目标处的光的脉冲远离初始目标的中心使得初始目标的目标材料沿着第二范围扩张并且沿着第一范围减小来定位经修改的目标，并且第二范围相对于单独且不同的物体倾斜。
23.可以向真空室的内部提供流体，流体占据真空室中的体积，并且真空室中的单独且不同的物体可以包括该体积的流体的部分。
24.在另一一般方面，一种用于极紫外(euv)光源的控制系统包括一个或多个电子处理器；存储指令的电子存储器，当这些指令被执行时引起一个或多个电子处理器：在第一时间声明第一初始目标的存在，第一初始目标具有在等离子体状态下发射euv光的目标材料的分布；在第二时间基于所声明的第一初始目标的存在朝向第一初始目标引导第一光束，第一时间与第二时间之间的差值是第一逝去时间；在第三时间声明第二初始目标的存在，第三时间在第一时间之后发生，第二初始目标包括在等离子体状态下发射euv光的目标材料；在第四时间基于所声明的第二初始目标的存在朝向第二初始目标引导第一光束，第四时间在第二时间之后发生，第三时间与第四时间之间的差值是第二逝去时间，其中第一逝去时间不同于第二逝去时间，使得第一初始目标和第二初始目标沿着不同方向扩张并且在目标区中具有不同定向，目标区是接收具有足以将目标材料转换成发射euv光的等离子体的能量的第二光束的区。
25.上述任何技术的实现可以包括装置、方法或过程、euv光源、光学光刻系统、用于光学源的控制系统或存储在计算机可读介质上的指令。
26.在附图和以下描述中阐述了一个或多个实现的细节。根据说明书和附图以及权利要求，其他特征将是清楚的。
附图说明
27.图1是包括euv光源的示例性光学光刻系统的框图。
28.图2a是示例性目标的侧横截面视图。
29.图2b是图2a的目标的正横截面视图。
30.图2c和图2d是图2a的目标的不同示例性定位的图示。
31.图3a是从示例性目标形成的等离子体发射的能量的图示。
32.图3b和图3c是在两个不同定位中的示例性目标的框图。
33.图3d是光束的强度轮廓的示例。
34.图3e和3f是与在两个不同定位的示例性目标交互的光束的框图。
35.图4是包括用于控制目标的定位的控制系统的示例性系统的框图。
36.图5是用于生成euv光的示例性过程的流程图。
37.图6a示出了转换成目标的示例性初始目标。
38.图6b是用于生成图6a的目标的示例性波形的曲线图，示出为能量对时间的曲线。
39.图6c示出了图6a的初始目标和目标的侧视图。
40.图7a和7b是示例性真空室的框图。
41.图7c是图7a和图7b的真空室中的示例性光学元件的框图。
42.图8是用于改变目标的定位的示例性过程的流程图。
43.图9a
‑
图9c是包括具有随时间变化的定位的目标的示例性真空室的框图。
44.图10a和图10b是包括具有随时间变化的定位的目标的示例性真空室的框图。
45.图10c是光学元件和由方向相关能量轮廓的峰值被扫过的路径的框图。
46.图11是关于最小流体流速和euv突发持续时间的示例性数据的图。
47.图12是用于保护真空室中的物体的示例性过程的流程图。
48.图13a
‑
图13c是包括具有随时间变化的定位和/或目标路径的目标的示例性真空室的框图。
49.图14是包括euv光源的示例性光学光刻系统的框图。
50.图15a是包括euv光源的示例性光学光刻系统的框图。
51.图15b是可以在图15a的euv光源中使用的光学放大器系统的框图。
52.图16是图1的euv光源的另一实现的框图。
53.图17是可以在euv光源中使用的示例性目标材料供应装置的框图。
具体实施方式
54.公开了用于减小等离子体对极紫外(euv)光源的真空室中的物体的影响的技术。为了产生euv光，euv光源将目标中的目标材料转换成发射euv光的等离子体。通过改变各种目标的空间定向或定位使得目标不都具有相同的定位或定向，可以减小等离子体的影响。所描述的技术可以用于例如保护euv光源的真空容器的内部的物体。
55.参考图1，示出了示例性光学光刻系统100的框图。系统100包括向光刻工具103提供euv光162的极紫外(euv)光源101。euv光源101包括光学源102和流体传递系统104。光学源102发射光束110，光束110通过光学透明开口114进入真空容器140并且在目标区130处在方向z(112)中传播，目标区130接收目标120。光束110可以是放大的光束。
56.流体传递系统104将缓冲流体108传递到容器140中。缓冲流体108可以在光学元件155与目标区130之间流动。缓冲流体108可以在方向z中或在任何其他方向上流动，并且缓冲流体108可以在多个方向中流动。目标区130从目标供应系统116接收目标120。目标120包括当在等离子体状态下发射euv光162的目标材料，并且目标材料与在目标区130处的光束110之间的交互将至少一些目标材料转换成等离子体。光学元件155朝向光刻工具103引导
euv光162。控制系统170可以接收并且向流体传递系统104、光源102和/或光刻工具103提供电子信号以允许控制任何或所有这些部件。下面参考图4讨论控制系统170的示例。
57.目标120的目标材料呈几何或空间分布布置，该几何或空间分布具有接收(并且与之交互)光束110的侧或区129。如上所述，目标材料当在等离子体状态下时发射euv光162。附加地，除了euv光之外，等离子体还发射粒子(诸如目标材料的离子、中性原子和/或簇)和/或辐射。由等离子体发射的能量(包括除了euv光之外的粒子和/或辐射)相对于目标材料的几何分布是非各向同性的。由等离子体发射的能量可以被认为是具有相对于目标120的角度相关分布的方向相关的能量的通量。因此，等离子体可以朝向容器140中的一些区而不是其他区引导更大量的能量。从等离子体发射的能量例如在其所指向的区中引起局部加热。
58.图1示出了一个时刻的真空容器140。在所示的示例中，目标120在目标定位130中。在图1的时间之前和/或之后的时间，目标120的其他实例在目标区130中。如下所述，目标120的其他实例类似于目标120，除了与目标120相比，目标120的先前和/或后续实例具有目标材料的不同的几何分布、在真空容器140中的不同定位、和/或目标材料的几何分布相对于真空容器140中的物体的不同定向。换言之，存在于目标区130中的目标的几何分布、定位和/或定向在实例之间变化，并且可以被认为随时间变化。以这种方式，沿方向相关通量的峰值(最大值)延伸的方向可以随时间改变。因此，方向相关通量的峰值可以被引导远离特定物体、物体的特定部分和/或容器140的区，从而减小等离子体对该物体、部分或区的影响。
59.在实例之间或随时间改变目标材料的定位、几何分布和/或定向增加了等离子体朝向其引导能量的区域的总量。因此，随着时间改变目标的定位和/或目标定向允许来自等离子体的能量更接近于相对于目标120的各向同性能量轮廓，使得与其他地区相比，容器140中的特定区不被过度暴露(例如，加热)。这允许目标区130附近的一个或多个物体(诸如容器140中的光学元件(例如，光学元件155))和容器140中的其他物体(诸如除了目标120之外的目标(例如，后续或先前的目标，诸如目标121a，目标121b))和/或缓冲流体108能够被保护而免受等离子体的影响。保护物体免受等离子体的影响可以增加物体的使用寿命，和/或使光源101更有效和/或可靠地工作。
60.图2a
‑
2d讨论了可以用作目标120以产生发射euv光162的等离子体的示例目标。图3a
‑
图3c、图3e和图3f讨论了可以与等离子体相关联的方向通量的示例。
61.参考图2a，示出了示例性目标220的侧横截面视图(沿着x方向观察)。目标220可以在系统100中用作目标120。目标220在接收光束210的目标区230内部。目标220包括当被转换成等离子体时发出euv光的目标材料(诸如例如，锡、锂、和/或氙)。光束210具有足以将目标220中的至少部分目标材料转换成等离子体的能量。
62.示例性目标220是椭圆体(三维椭圆)。换言之，目标220占据的体积近似限定为作为椭圆的三维模拟的表面的内部。然而，目标220可以具有其他形式。例如，目标220可以占据具有全部或部分球形形状的体积，或者目标220可以占据任意形状的体积，诸如不具有明确限定的边缘的云状形式。对于缺少明确限定的边缘的目标220，可以将包含例如90％、95％或更多目标材料的体积视为目标220。目标220可以是不对称的或对称的。
63.附加地，目标220可以具有目标材料的任何空间分布，并且可以包括非目标材料
(在等离子体状态下不发射euv光的材料)。目标220可以是粒子和/或碎片的系统、基本上是连续且均匀的材料的延伸的物体、粒子集合(包括离子和/或电子)、包括熔融金属的连续段的材料的空间分布、预等离子体和粒子、和/或熔融金属的段。目标220的内容可以具有任何空间分布。例如，目标220可以在一个或多个方向上是均匀的。在一些实现中，目标220的内容集中在目标220的特定部分中，并且目标220具有不均匀的质量分布。
64.目标材料可以是包括目标物质和诸如非目标粒子的杂质的目标混合物。目标物质是当在等离子体状态下具有在euv范围中的发射线的物质。例如，目标物质可以是液体或熔融金属的微滴、液体流的部分、固体粒子或簇、液体微滴中包含的固体粒子、目标材料的泡沫物、或包含在液体流的部分内的固体粒子。例如，目标物质可以是水、锡、锂、氙或当转换成等离子体状态时具有在euv范围中的发射线的任何材料。例如，目标物质可以是元素锡，其可以用作纯锡(sn)；用作锡化合物，例如，snbr4、snbr2、snh4；用作锡合金，例如，锡镓合金、锡铟合金、锡铟镓合金或这些合金的任何组合。此外，在没有杂质的情况下，目标材料仅包括目标物质。
65.图2a所示的目标220的侧横截面是具有主要轴线和次要轴线的椭圆，主要轴线的长度等于跨越整个椭圆的最大距离，次要轴线垂直于主要轴线。目标220具有沿着方向221延伸的第一范围222和沿着垂直于方向221的方向223延伸的第二范围224。对于示例性目标220，范围222和方向221分别是次要轴线的长度和方向，范围224和方向223分别是主要轴线的长度和方向。
66.还参考图2b，示出了沿着方向221观察的目标220的正横截面视图。目标220具有椭圆形的正横截面，其主要轴线在方向223上延伸并且具有范围224。目标220的正横截面在方向225中在第三维度具有范围226。方向225垂直于方向221和方向223。
67.参考图2a，目标220的范围224相对于光束210的传播的方向212倾斜。还参考图2c，范围224的方向223与光束210的传播的方向212形成角度227。角度227在光束210沿着方向212行进并且撞击目标220时相对于光束210测量。角度227可以是0
‑
180度。在图2a和图2c中，目标220以相对于方向212小于90度的方向223倾斜。图2d示出了其中角度227在90度到180度之间的示例。
68.如上所述，除了椭圆体之外，目标220可以具有其他形式。对于占据体积的目标，目标的形状可以被认为是三维形式。该形式可以利用分别沿着三个相互正交的方向221、方向223、方向225延伸的三个范围222、范围224、范围226描述。在与方向221、方向223、方向225中的一个方向相对应的特定方向上，从形式的一个边缘到形式的另一侧的边缘，范围222、范围224、范围226的长度可以是跨形式的最长长度。范围222、范围224、范围226及其相应方向221、方向223、方向225可以从目标220的视觉检查来确定或估计。例如，目标220可以用作系统100中的目标120。在这些实现中，目标220的视觉检查可以通过例如在目标220离开目标材料供应装置116并且行进到目标区130(图1)时对目标220进行成像来发生。
69.在一些实现中，方向221、方向223、方向225可以被认为是穿过目标220的质心并且对应于用于目标220的惯性主轴线的相互正交的轴线。目标220的质心是目标220的质量的相对的定位为零的空间中的点。换言之，质心是构成目标220的材料的平均定位。质心不必与目标220的几何中心重合，但是当目标是均匀且对称的体积时可以与目标220的几何中心重合。
70.目标220的质心可以根据惯性积表达，惯性积是目标220中的质量空间分布的不平衡的量度。惯性积可以表达为矩阵或张量。对于三维物体，存在穿过质心的惯性积为零的三个相互正交的轴线。也就是说，惯性积沿着特定方向，在该方向上，质量在沿着该方向延伸的矢量的任一侧被同样地平衡。惯性积的方向可以被称为三维物体的惯性的主轴线。方向221、方向223、方向225可以是用于目标220的惯性的主轴线。在该实现中，方向221、方向223、方向225是用于目标220的惯性张量的本征矢量或惯性积的矩阵。范围222、范围224、范围226可以从惯性张量的本征矢量或惯性积的矩阵来确定。
71.在一些实现中，目标220可以被视为近似二维物体。当目标220是二维时，目标220可以利用两个正交的主轴线和沿着主轴线的方向的两个范围来建模。备选地或附加地，对于三维目标，可以通过视觉检查来确定用于二维目标的范围和方向。
72.从由诸如目标220的目标的目标材料形成的等离子体发射的能量的空间分布取决于目标的定位或定向和/或目标材料在目标中的空间分布。目标的定位是目标相对于照射光束和/或目标附近的物体的位置、布置和/或定向。目标的定向可以被认为是目标相对于照射光束和/或目标附近的物体的布置和/或角度。目标的空间分布是目标的目标材料的几何布置。
73.参考图3a，示出了示例性能量分布364a。在图3a的示例中，实线描绘了能量分布364a。能量分布364a是从目标320a中的目标材料形成的等离子体发射的能量的角度分布。从等离子体发射的能量在沿着轴线363的方向中具有峰值或最大值。轴线363沿着其延伸的方向(以及因此主要发射能量的方向)取决于目标320a的定位和/或目标材料在目标320a中的空间分布。目标320a可以定位成使得在一个方向中目标的范围相对于光束的传播的方向形成角度。在另一示例中，目标320a可以相对于光束的最强部分定位，或者目标320a利用相对于真空室中的物体成一定角度的目标的范围定位。提供能量分布364a作为示例，并且其他能量分布可以具有不同的空间特性。图3b、图3c、图3e和图3f示出了空间能量分布的附加示例。
74.参考图3b和图3c，分别示出了具有相应峰值(或最大值)365b、365c的示例性能量分布364b和能量分布364c。能量分布364b、能量分布364c分别表示从由在目标区330处沿着z方向传播的光束310与目标320b、目标320c中的目标材料之间的交互而形成的等离子体发射的能量的空间分布。该交互将目标320中的至少一些目标材料转换成等离子体。能量的空间分布364b和364c可以表示从等离子体发射的平均能量或总能量的角度空间分布。
75.目标320b、目标320c的目标材料被布置成盘状形状，诸如在x
‑
y平面中具有椭圆形横截面的椭圆体(类似于图2a和图2b的目标220)。目标320b在y方向中具有范围324，并且在z方向中具有范围322。范围324大于范围322。在图3b的示例中，范围322平行于光束310的传播的方向，并且目标320没有相对于光束310倾斜。在图3c的示例中，目标320c相对于光束310的传播的方向倾斜。对于目标320c，范围324沿着方向321，方向321从光束310的传播方向倾斜角度327。范围322沿着方向323。因此，图3b和图3c的示例示出了以两种不同方式定位的目标，并且能量分布364b和364c示出了如何通过改变目标定位来移动峰值365b、365c。
76.通过目标材料与光束310之间的交互而形成的等离子体发射能量，包括euv光、粒子和除了euv光之外的辐射。粒子和辐射可以包括例如从光束310与目标材料之间的交互形成的离子(带电粒子)。离子可以是目标材料的离子。例如，当目标材料是锡时，从等离子体
发射的离子可以是锡离子。离子可以包括从目标120行进相对长距离的高能离子和从目标120行进较短距离的相对低能离子。高能离子将其动能作为热量传递到接收它们的材料中并且创建在材料中的热量的局部区。高能离子可以是能量等于或大于例如500电子伏特(ev)的离子。低能离子可以是能量小于500ev的离子。
77.如上所述，可以认为图3b和图3c的示例分布364b和示例分布364c分别示出了从等离子体发射的离子的总能量或平均能量的空间分布。在图3b的示例中，由离子发射引起的能量在y
‑
z平面中具有分布364b。分布364b表示根据相对于目标320b的中心的角度从等离子体发射的能量的相对的量。在图3b的示例中，范围324垂直于在目标区330处的光束310的传播的方向，并且最大量的能量在峰值365b的方向中传递。在图3b的示例中，峰值365b在
‑
z方向中，
‑
z方向平行于范围322并且垂直于范围324。在方向z中发射最低量的能量，并且低能离子可以在方向z中优先地发射。
78.相对于图3b，目标320c(图3c)的定位是不同的。在图3c的示例中，范围324相对于光束310的传播的方向以角度327倾斜。在图3c的示例中，总离子能量或平均离子能量的轮廓364b也是不同的，其中最大量的能量朝向峰值365c被发射。与图3b的示例一样，在图3c的示例中，离子可以沿着远离接收光束310的目标320的侧329延伸并且垂直于范围324的方向优先地发射。侧329是在目标320的任何其他部分之前接收光束310的目标320的部分或侧或者从光束310接收最多辐射的目标320c的部分或侧。侧329也称为“经加热的侧”。
79.从等离子体发射的其他粒子和辐射可以在y
‑
z平面中具有不同的轮廓。例如，轮廓可以表示高能离子或低能离子的轮廓。低能离子可以在与优先地发射高能离子的方向相反的方向上优先地发射。
80.由目标320b、目标320c和光束310的交互创建的等离子体因此发射辐射和/或粒子的方向相关通量。发射辐射和/或粒子的最高部分的方向取决于目标320b目标、320c的定位。通过调节或改变目标320的定位或定向，也改变了发射最大量的辐射和/或粒子的方向，以允许最小化或消除方向相关通量对其他物体的加热效应。
81.也可以通过改变目标和光束310的相对的定位来改变从等离子体发射的能量的空间分布。
82.图3d示出了用于光束310的示例强度轮廓。强度轮廓350表示根据x
‑
y平面中的定位的光束310的强度，x
‑
y平面垂直于在目标区330处的传播的方向(方向z)。强度轮廓在沿着轴线352的x
‑
y平面中具有最大值351。强度在最大值351的两侧减小。
83.图3e和图3f分别示出了与光束310交互的目标320e和目标320f。目标320e和320f是基本上球形的并且包含当在等离子体状态下时发射euv光的目标材料。目标320e(图3e)在位置328e处，位置328e在x方向中从轴线352位移。目标320f(图3f)在位置328f处，位置328f在
‑
x方向中从轴线352位移。因此，目标320e和目标320f位于轴线352的不同侧。目标320e、目标320f的最靠近轴线352的部分(轴线352是光束310的最强部分)在目标320e、目标320f的剩余部分之前蒸发并且转换成等离子体。从目标320e生成的等离子体的能量主要从目标320e的最靠近轴线352的部分并且在朝向轴线352的方向中发射。在所示的示例中，从目标320e生成的等离子体发射的能量主要沿着方向363e发射，并且从目标320f生成的等离子体发射的能量主要沿着方向363f发射。方向363e、目标363f彼此不同。这样，目标和光束的相对位置也可以用于在特定方向上引导从等离子体发射的能量。附加地，尽管目标320e、
目标320f被示出为球形，但是其他形状的目标基于它们相对于光束310的位置而方向性地发射等离子体。
84.图3a
‑
图3c分别示出了在y
‑
z平面和在两个维度中的轮廓364a
‑
364c。然而，可以想到，轮廓364a
‑
364c可以占据三个维度并且可以在三个维度中扫过(sweep out)体积。类似地，从目标320e和目标320f发射的能量可以占据三维体积。
85.图4是可以在euv光源的使用期间控制目标的定位的系统400的框图。图5是用于在euv光源的使用期间控制目标的定位的示例性过程500的流程图。图6a
‑
6c图示了用于目标的过程500的示例。
86.控制系统470用于减小或消除在真空室440中生成的等离子体442对真空室440中的物体444的影响。等离子体442从真空室中的目标区处的光束与目标材料之间的交互产生。目标材料从目标源释放到真空室440中，并且目标材料沿着轨迹从目标源(诸如图1的目标材料供应装置116)行进到目标区。物体444可以是真空室440中暴露于等离子体442的任何物体。例如，物体444可以是用于产生附加等离子体的另一目标、真空室440中的光学元件和/或在真空室440中流动的流体408。
87.系统400还包括观察真空室440的内部的传感器448。传感器448可以位于真空室440中或真空室440的外部。例如，传感器448可以放置在真空室的外部在观察口窗口处，观察口窗口允许视觉观察真空室440的内部。传感器448能够感测真空室中目标材料的存在。在一些实现中，系统400包括产生与目标材料的轨迹相交的光束或光片的附加光源。光束或光片的光由目标材料散射，并且传感器448检测散射光。散射光的检测可以用于确定或估计目标材料在真空室440中的位置。例如，散射光的检测指示目标材料处于光束或光片与预期的目标材料轨迹相交的位置。附加地或备选地，传感器448可以被定位以检测光片或光束，并且由目标材料对光片或光束的临时阻挡可以用作目标材料处于其中光束或光片与预期的目标材料轨迹相交的位置的指示。
88.传感器448可以是相机、光电探测器或对与目标材料的轨迹相交的光束或光片中的波长敏感的其他类型的光学传感器。传感器448产生真空室440内部的表示(例如，指示散射光的检测或光被阻挡的指示的表示)，并且将该表示提供给控制系统470。从该表示，控制系统470可以确定或估计目标材料在真空室440内的位置，并且声明目标材料位于真空室440的某部分中。光束或光片与预期的目标材料轨迹相交的位置可以位于轨迹的任何部分处。此外，在一些实现中，可以使用用于确定目标材料位于真空室440的特定部分中的其他技术。
89.系统400包括与光生成模块480通信以向真空室440提供一个或多个光束的控制系统470。在所示的示例中，光生成模块480向真空室440提供第一光束410a和第二光束410b。在其他示例中，光生成模块480可以提供更多或更少的光束。
90.控制系统470控制从光生成模块480发射的光的脉冲的传播的定时和/或方向，使得目标在真空室440中的定位可以从目标到目标发生改变。控制系统470从传感器448接收真空室440的内部的表示。从该表示，控制系统470可以确定目标材料是否存在于真空室440中和/或存在于目标材料在真空室440中的定位。例如，控制系统470可以确定目标材料位于真空室440的特定位置或真空室440中的特定位置。当确定目标材料位于真空室440中时或者在真空室440中的特定位置时，可以认为目标材料被检测到。控制系统470可以基于目标
材料的检测引起从光生成模块480发射脉冲。目标材料的检测可以用于对来自光生成模块480的脉冲的发射进行定时。例如，脉冲的发射可以基于在真空室470的特定部分中检测目标材料来延迟或提前。在另一示例中，脉冲的传播的方向可以基于目标材料的检测来确定。
91.控制系统470包括光束控制模块471、流动控制模块472、电子存储装置473、电子处理器474和输入/输出接口475。电子处理器474包括适合于计算机程序(诸如通用或专用目的微处理器)的执行的一个或多个处理器，以及任何类型的数字计算机的任何一个或多个处理器。通常，电子处理器从只读存储器或随机存取存储器或两者接收指令和数据。电子处理器474可以是任何类型的电子处理器。
92.电子存储装置473可以是易失性存储器(诸如ram)或非易失性存储器。在一些实现中，并且电子存储装置473可以包括非易失性和易失性部分或部件。电子存储装置473可以存储在控制系统470和/或控制系统470的部件的操作中使用的数据和信息。例如，电子存储装置473可以存储指定第一光束410a和第二光束410b何时被预期以传播到真空室440中的指定位置的定时信息、用于第一光束410a和/或第二光束410b的脉冲重复比率(在其中第一光束410a和/或第二光束410b是脉冲光束的实现中)和/或指定用于第一光束410a和第二光束410b在目标附近(例如，在诸如目标区330的目标区中)的传播的方向的信息。
93.电子存储装置473还可以存储可能作为计算机程序的指令，这些指令当被执行时引起处理器474与控制系统470、光生成模块480和/或真空室440中的部件通信。例如，指令可以是引起电子处理器474在由存储在电子存储装置473上的定时信息指定的某些时间处向光生成模块480提供触发信号的指令。触发信号可以引起光生成模块480发射光束。存储在电子存储装置473上的定时信息可以基于从传感器448接收的信息，或者定时信息可以是当控制系统470最初投入使用时存储在电子存储装置473上的预定的定时信息，或者是通过人类操作员的动作预定的定时信息。
94.i/o接口475是允许控制系统470与操作员、光生成模块480、真空室440和/或在另一电子设备上运行的自动化过程接收和/或提供数据和信号的任何类型的电子接口。例如，i/o接口475可以包括视觉显示器、键盘或通信接口中的一个或多个。
95.光束控制模块471与光生成模块480、电子存储装置473和/或电子处理器474通信以将光的脉冲引导到真空室440中。
96.光生成模块480是能够产生脉冲光束的任何设备或光源，其中至少一些脉冲光束具有足以将目标材料转换成发射euv光的等离子体的能量。附加地，光生成模块480可以产生不必将目标材料变换成等离子体的其他光束，诸如用于将初始目标成形、定位、定向、扩张或其他方式调节成被转换成发射euv光的等离子体的目标的光束。
97.在图4的示例中，光生成模块480包括分别产生第一光束410a和第二光束410b的两个光学子系统481a、481b。在图4的示例中，第一光束410a由实线表示，并且第二光束410b由虚线表示。例如，光学子系统481a、光学子系统481b可以是两个激光器。例如，光学子系统481a、光学子系统481b可以是两个二氧化碳(co2)激光器。在其他实现中，光学子系统481a、光学子系统481b可以是不同类型的激光器。例如，光学子系统481a可以是固态激光器，并且光学子系统481b可以是co2激光器。第一光束410a和第二光束410b中的任一个或两个可以是脉冲的。
98.第一光束481a和第二光束481b可以具有不同的波长。例如，在光学子系统481a、光
学子系统481b包括两个co2激光器的实现中，第一光束410a的波长可以是约10.26微米(μm)，并且第二光束410b的波长可以在10.18μm到10.26μm之间。第二光束410b的波长可以是约10.59μm。在这些实现中，光束410a、410b从co2激光器的不同线生成，导致光束410a、410b具有不同的波长，即使两个光束都是从相同类型的源生成的。光束410a、光束410b也可以具有不同的能量。
99.光生成模块480还包括将第一光束410a和第二光束410b引导到光束路径484上的光束组合器482。光束组合器482可以是能够将第一光束410a和第二光束410b引导到光束路径484上的任何光学元件或光学元件的集合。例如，光束组合器482可以是镜的集合，其中一些镜被定位成将第一光束410a引导到光束路径484上，并且其他镜被定位成将第二光束410b引导到光束路径484上。光生成模块480还可以包括放大光生成模块480内的第一光束410a和第二光束410b的前置放大器483。
100.第一光束410a和第二光束410b可以在不同的时间在路径484上传播。在图4所示的示例中，第一光束410a和第二光束410b遵循光生成模块480中的路径484，并且两个光束410a、光束410b通过光学放大器483基本上穿过相同的空间区。在其他示例中，光束410a和光束410b可以沿着不同的路径行进，包括通过两个不同的光学放大器。
101.第一光束410a和第二光束410b被引导到真空室440。第一光束410a和第二光束410b由光束传递系统485成角度地分配，使得第一光束410a朝向初始目标区被引导，并且第二光束410b朝向目标区(诸如图1的目标区130)被引导。初始目标区是真空室440中接收第一光束410a和由第一光束410a调节的初始目标材料的空间的体积。目标区是真空室440中接收第二光束410b和被转换成等离子体的目标的空间的体积。初始目标区和目标区位于真空室440内的不同位置。例如，并且参考图1，初始目标区可以相对于目标区130在
‑
y方向中位移，使得初始目标区在目标区130与目标材料供应116之间。初始目标区和目标区可以部分地空间地交叠，或者初始目标区和目标区可以空间地不同而没有任何交叠。图14包括在真空室内彼此位移的第一光束和第二光束的示例。在一些实现中，光束传递系统485还将第一光束410a和第二光束410b分别聚焦到初始和经修改的目标区内或附近的位置处。
102.在其他实现中，光生成模块480包括生成第一光束410a和第二光束410b两者的单个光学子系统。在这些实现中，第一光束410a和第二光束410b由相同的光源或设备生成。然而，第一光束410a和第二光束410b可以具有相同的波长或不同的波长。例如，单个光学子系统可以是二氧化碳(co2)激光器，并且第一光束410a和第二光束410b可以由co2激光器的不同线生成，并且可以是不同的波长。
103.在一些实现中，光生成模块480不发射第一光束410a并且不存在初始目标区。在这些实现中，目标是在目标区中被接收的而没有被第一光束410a预调节。图17中示出了这样的实现的示例。
104.流体408可以在真空室440中流动。控制系统470还可以控制流体408在真空室440中的流动。例如，流体408可以是氢气和/或其他气体。流体408可以是物体444(或者在要保护真空室440中的多个物体免受等离子体442的影响的情况下是物体444之一)。在这些实现中，控制系统470还可以包括控制流体408的流动配置的流动控制模块472。例如，流动控制模块472可以设置流体408的流速和/或流动方向。
105.光束控制模块471控制光生成模块480并且确定何时从光生成模块480发射第一光
束410a(并且因此，第一光束410a何时到达初始目标区和目标区)。光束控制模块471还可以确定第一光束410a的传播的方向。通过控制第一光束410a的定时和/或方向，光束控制模块471还可以控制目标的定位和主要发射粒子和/或辐射的方向。
106.图5和图6a
‑
图6c讨论了用于使用预脉冲或者在将目标材料转换成发射euv光的等离子体的辐射脉冲之前到达目标的光的脉冲来定位目标的技术。
107.参考图5，示出了用于生成euv光的示例性过程500的流程图。过程500还可以用于倾斜目标(诸如图1的目标120、图2a的目标220或图3a和图3b的目标320)。在目标区处提供目标(510)。目标具有沿着第一方向的第一范围和沿着第二方向的第二范围。目标包括当转换成等离子体时发射euv光的目标材料。朝向目标区引导放大的光束(520)。
108.图6a
‑
图6c示出了过程500的示例。如下所述，向目标区630提供目标620(图6c)，并且朝向目标区630引导放大的光束610。
109.参考图6a和图6b，示例性波形602将初始目标618变换成目标620。初始目标618和目标620包括当通过利用放大的光束610照射而转换成等离子体时发射euv光660的目标材料(图6c)。下面的讨论提供了一个示例，其中初始目标618是由熔融金属制成的微滴。例如，初始目标618可以是基本上球形的并且具有30
‑
35μm的直径。然而，初始目标618可以采用其他形式。
110.图6a和图6c示出了时间段601，在该时间段期间，初始目标618物理地变换成目标620并且然后发射euv光660。初始目标618通过与根据波形602在时间上传递的辐射的交互而进行变换。图6b是在图6a的时间段601内根据时间的波形602中的能量的图。与初始目标618相比，目标620具有侧横截面，侧横截面具有在z方向中较小的范围。附加地，目标620相对于z方向(将目标620的至少部分转换成等离子体的放大的光束610的传播的方向612)倾斜。
111.波形602包括辐射的脉冲606(预脉冲606)的表示。例如，预脉冲606可以是第一光束410a的脉冲(图4)。预脉冲606可以是具有足够能量以作用于初始目标618的任何类型的脉冲辐射，但是预脉冲606不会将大量目标材料转换成发射euv光的等离子体。第一预脉冲606和初始目标618的交互可以使初始目标618变形为更接近盘的形状。在约1
‑
3微秒(μs)之后，该变形后的形状扩张成盘形件或熔融金属的形式。放大的光束610可以称为主光束或主脉冲。放大的光束610具有足够的能量以将目标620中的目标材料转换成发射euv光的等离子体。
112.预脉冲606和放大的光束610上由延迟时间611在时间分开，其中放大的光束610在时间t2发生，该时间t2在预脉冲606之后。预脉冲606在时间t＝t1发生并且具有脉冲持续时间615。脉冲持续时间615可以由半全宽表示，即脉冲具有强度至少是脉冲的最大强度的一半的时间量。然而，可以使用其他指标来确定脉冲持续时间615。
113.在讨论向目标区630提供目标620的技术之前，提供了包括预脉冲606的辐射脉冲与初始目标618的交互的讨论。
114.当激光脉冲撞击(打击)金属目标材料微滴时，脉冲的前沿看到(与之交互)作为反射金属的微滴的表面。脉冲的前沿是在脉冲的任何其他部分之前首先与目标材料交互的脉冲的一部分。初始目标618反射脉冲前沿中的大部分能量并且吸收很少。被吸收的少量光加热微滴的表面，以蒸发和烧蚀表面。从微滴的表面蒸发的目标材料形成靠近表面的电子和
离子云。随着辐射的脉冲继续撞击目标材料微滴，激光脉冲的电场可以引起云中的电子移动。移动的电子与附近的离子碰撞，以通过动能的传递加热离子，该传递的速率大致与云中的电子的密度和离子的密度的乘积成比例。通过移动的电子撞击离子和离子的加热的组合，云吸收了脉冲。
115.当云暴露于激光脉冲的更后的部分时，云中的电子继续移动并且与离子碰撞，并且云中的离子继续加热。电子散布开并且将热量传递到目标材料微滴(或位于云下的大块材料)的表面，以进一步蒸发目标材料微滴的表面。云中的电子密度在云的最接近目标材料微滴的表面的部分中增加。云可以达到电子的密度增加使得云的部分反射激光脉冲而不是吸收它的点。
116.还参考图6c，在初始目标区631处提供初始目标618。可以通过例如从目标材料供应装置116(图1)释放目标材料来在初始目标区631处提供初始目标618。在所示的示例中，预脉冲606打击初始目标618，变换初始目标618，并且变换后的初始目标随时间漂移或移动到目标区630中。
117.初始目标618上的预脉冲606的力引起初始目标618物理地变换成目标材料的几何分布652。几何分布652可以包括未电离的材料(不是等离子体的材料)。例如，几何分布652可以是液体或熔融金属盘、不具有空隙或基本间隙的目标材料的连续段、微米或纳米粒子的雾、或原子蒸气的云。几何分布652在延迟时间611期间进一步扩张并且变为目标620。散布初始目标618可以具有三种效果。
118.第一，与初始目标618相比，通过与预脉冲606的交互生成的目标620具有对即将到来的辐射的脉冲(诸如放大的光束610)呈现更大区域的形式。目标620在y方向中的横截面直径大于在初始目标618的y方向中的横截面直径。附加地，与放大的光束610在初始目标618处的传播方向相比，在放大的光束610在目标620处的传播方向(612或z)中，目标620的厚度可以更薄。目标620在方向z中的相对较薄允许放大的光束610照射目标618中的更多目标材料。
119.第二，将初始目标618散布在空间中可以最小化或减小在由放大的光束610加热等离子体期间材料密度过高的区的出现。这样的材料密度过高的区可以阻挡所生成的euv光。如果贯穿在利用激光脉冲照射的区的等离子体密度很高，则激光脉冲的吸收限于首先接收激光脉冲的区的部分。由这种吸收生成的热量可能与大块目标材料相距太远以置于不能维持目标材料表面的蒸发和加热的过程足够长以在放大的光束610的有限持续时间期间利用(例如，蒸发和/或电离)有意义量的大块目标材料。
120.在该区具有高电子密度的情况下，光脉冲仅在到达“临界表面”之前穿透进入该区的路径的一部分，在“临界表面”中电子密度太高以至于光脉冲被反射。光脉冲不能进入该区的那些部分，并且在那些区中从目标材料生成很少的euv光。高等离子体密度的区还可以阻挡从该区的发射euv光的部分发射的euv光。因此，从该区发射的euv光的总量小于如果该区缺少高等离子体密度部分时的euv光的总量。这样，将初始目标618散布到目标620的较大体积中意味着入射光束在被反射之前到达目标620中的更多材料。这可以增加所产生的euv光的量。
121.第三，预脉冲606和初始目标618的交互引起目标620到达目标区630处，该目标区630相对于放大的光束610的传播的方向612以角度627倾斜。初始目标618具有质心619，并
且预脉冲606打击初始目标618使得预脉冲606中的多数能量落在质心619的一侧。预脉冲606向初始目标618施加力，并且，因为力位于质心619的一侧，所以如果预脉冲606在质心619处打击初始目标618，则初始目标618沿着与目标不同的一组轴线扩张。初始目标618沿着从被预脉冲606碰撞的方向变平。因此，偏离中心或远离质心619打击初始目标618产生倾斜。例如，当预脉冲606远离质心619与初始目标618交互时，初始目标618不沿着y轴扩张而是沿着轴线y'扩张，该轴线y'相对于y轴以角度641倾斜，同时朝向目标区630移动。因此，在经过了该时间段之后，初始目标618已经变换成目标620，目标620占据扩张的体积并且相对于放大的光束610的传播的方向612以角度627倾斜。
122.图6c示出了目标620的侧横截面。目标620具有沿着方向621的范围622和沿着方向623的范围624，方向623与方向621正交。范围624大于范围622，并且范围624与放大的光束610的传播的方向612形成角度627。可以放置目标620，使得目标620的部分位于放大的光束610的焦平面中，或者目标620可以远离焦平面放置。在一些实现中，放大的光束610可近似为高斯光束，并且目标620可以放置在放大的光束610的焦深之外。
123.在图6c所示的示例中，预脉冲606的多数强度在质心619上方(在
‑
y方向上偏移)打击初始目标618，引起初始目标618中的目标材料沿着y'轴线扩张。然而，在其他示例中，预脉冲606可以在质心619下方(在y方向中偏移)施加，引起目标620沿着与y'轴线相比逆时针方向的轴线(未示出)扩张。在图6c所示的示例中，初始目标618在沿着y方向行进的同时漂移通过初始目标区631。因此，可以利用预脉冲606的定时来控制预脉冲606在其上入射的初始目标618的部分。例如，在比图6c所示的示例更早的时间释放预脉冲606(即，增加图6b的延迟时间611)，引起预脉冲606打击初始目标618的下部部分。
124.预脉冲606可以是可以作用于初始目标618上以形成目标620的任何类型的辐射。例如，预脉冲606可以是由激光生成的脉冲光学束。预脉冲606可以具有1
‑
10μm的波长。例如，预脉冲606的持续时间612可以是20
‑
70纳秒(ns)，小于1ns、300皮秒(ps)，在100
‑
300ps之间，在10
‑
50ps之间或在10
‑
100ps之间。例如，预脉冲606的能量可以是15
‑
60毫焦耳(mj)、90
‑
110mj或20
‑
125mj。当预脉冲606具有1ns或更短的持续时间时，预脉冲606的能量可以是2mj。例如，延迟时间611可以是1
‑
3微秒(μs)。
125.例如，目标620可以具有200
‑
600μm、250
‑
500μm或300
‑
350μm的直径。初始目标618可以以例如70
‑
120米/秒(m/s)的速度朝向初始目标区631行进。初始目标618可以以70m/s或80m/s的速度行进。目标620可以以比初始目标610更高或更低的速度行进。例如，目标620可以以比初始目标610快或慢20m/s的速度朝向目标区630行进。在一些实现中。目标620以与初始目标610相同的速度行进。影响目标620的速度的因素包括目标620的大小、形状和/或角度。光束610在y方向中在目标区630处的宽度可以是200
‑
600μm。在一些实现中，光束610在y方向上的宽度与目标620在y方向中在目标区630处的宽度大致相同。
126.尽管波形602被示出为根据时间的单个波形，但是波形602的各钟部分可以由不同的源产生。此外，尽管预脉冲606被示出为沿着方向612传播，但不一定是这种情况。预脉冲606可以在另一方向中传播并且仍然引起初始目标618倾斜。例如，预脉冲606可以在相对于z方向成角度627的方向中传播。当预脉冲606在该方向上行进并且在质心619处碰撞初始目标618时，初始目标618沿着y'轴线扩张并且倾斜。因此，在一些实现中，初始目标618可以通过在中心或质心619处打击初始目标618而相对于放大的光束610的传播方向倾斜。以这种
方式打击初始目标618引起初始目标618沿着垂直于预脉冲606传播的方向的方向变平或扩张，从而使初始目标618相对于z轴成角度或倾斜。附加地，在其他示例中，预脉冲606可以在其他方向中传播(例如，在图6c的页面之外并且沿着x轴)并且引起初始目标618相对于z轴变平和倾斜。
127.如上所述，预脉冲606对初始目标618的碰撞使初始目标618变形。在初始目标618是熔融金属的微滴的实现中，碰撞将初始目标618变换成类似于盘的形状，盘在延迟611的时间内扩张到目标620中。目标620到达目标区630中。
128.虽然图6c示出了其中初始目标618在延迟611上扩张到目标620中的实现，在其他实现中，通过调节预脉冲606和初始目标618相对于彼此的空间定位并且不必使用延迟611来使目标620沿着与预脉冲606的传播的方向正交的方向倾斜和扩张。在该实现中，预脉冲606和初始目标618的空间定位相对于彼此进行调节。由于该空间偏移，预脉冲606与初始目标618之间的交互引起初始目标618在与预脉冲606的传播的方向正交的方向中倾斜。例如，预脉冲606可以传播到图6c的页面中，以使初始目标618相对于放大的光束610的传播的方向扩张和倾斜。
129.图8讨论了引起微滴的流中的至少两个目标的定位不同的示例。在转向图8之前，图7a和图7b提供了系统的示例，其中目标的定位随时间保持相同(即，到达目标区的每个目标在真空室中具有基本上相同的定向和/或定位)。
130.参考图7a和7b，示出了在两个时间的示例性真空室740的内部。图7a和7b的示例示出了当进入目标区的目标的定位不随时间由控制系统变化或改变时与等离子体相关联的粒子和/或辐射的方向相关通量对真空室740中的物体的影响。在图7a和7b的示例中，物体是流722中的流体708和目标720。
131.流体708位于目标区730与光学元件755之间，并且旨在用作保护光学元件755免受等离子体影响的缓冲器。流体708可以是气体，诸如例如氢气。流体708可以通过流体传递系统704被引入真空室740中。流体708具有流动配置，流动配置描述流体708的预期特征。有意地选择流动配置使得流体708保护光学元件755。例如，流动配置可以由流体708的流速、流动方向、流动位置和/或压力或密度限定。在图7a的示例中，流动配置导致流体708流过目标区730与光学元件755之间的区，并且在目标区730与光学元件755之间形成均匀的气体体积。流体708可以在任何方向中流动。在图7a的示例中，流体708基于流动配置在y方向中流动。
132.还参考图7b，目标720与光束710之间的交互产生粒子和/或辐射的方向相关通量。粒子和/或辐射的分布由轮廓764(图7b)表示。分布轮廓764对于在目标区730中被转换成等离子体的每个目标720具有基本上相同的形状和定位。从等离子体发射的粒子和/或辐射进入流体708并且可以改变流动配置。这些变化可能导致光学元件755的损坏和/或轨迹723的变化。
133.例如，如上所述，对于图7a和7b的示例，粒子和/或辐射的方向相关通量可以包括主要在由目标720的定位确定的方向上发射的高能离子，该定位对于进入目标区730的所有目标保持恒定。从等离子体释放的高能离子在流体708中行进，并且可以在到达光学元件755之前被流体708阻止。在流体中被阻止的离子将动能作为热量传递到流体708中。因为多数高能离子在相同的方向上发射并且行进到流体708中约相同的距离，所以高能离子可以
在流体708内形成比其余部分更热的经加热的局部体积757。流体708的粘度随温度而增加。因此，经加热的局部体积757中的流体的粘度大于周围流体708的粘度。由于较高的粘度，流向体积757的流体在体积757中经历比周围区更大的阻力。结果，流体倾向于围绕体积757流动，偏离流体708的预期流动配置。
134.附加地，在经加热的局部体积757由金属离子沉积物产生的情况下，体积757可以包括含有产生离子的大量金属材料的气体。在这些情况下，如果轮廓764的方向随时间保持恒定，则体积757中的金属材料的量可以变得很高，使得流动的流体708不再能够将金属材料带离体积757。当流体708不再能够将金属材料带离体积757时，金属材料可以从体积757漏出并且碰撞光学元件755的区756，导致光学元件755的区756的污染。区756可以称为“污染区”。
135.还参考图7c，示出了光学元件755。光学元件755包括反射表面759和光束710传播通过其的孔758。污染区756形成在反射表面759的部分上。污染区756可以是任何形状并且可以覆盖反射表面759的任何部分，但是污染区756在反射表面759上的位置取决于粒子和/或辐射的方向通量的分布。
136.参考图7b，经加热的局部体积757的存在还可以通过改变在轨迹723上行进的目标上的拖拽的量来改变轨迹723的位置和/或形状。如图7b所示，在存在经加热的局部体积757的情况下，目标720可以在轨迹723b上行进，轨迹723b与预期轨迹723不同。通过在改变后的轨迹723b上行进，目标720可以在错误的时间到达目标区730(例如，当光束710或光束710的脉冲不在目标区730中时)和/或根本不到达目标区730，导致减小或没有euv光的产生。
137.因此，需要空间地分布由粒子和/或辐射的方向通量引起的加热。参考图8，示出了与到达目标区的其他目标的定位相比，用于改变到达目标区的目标的定位的示例性过程800。以这种方式，目标定位被认为随时间变化，并且目标的任何定位可以与其他目标的定位不同。通过改变各种目标的定位，由等离子体产生的热量在空间中散布开，从而保护真空室中的物体免受等离子体的影响。该过程可以由控制系统470(图4)执行。过程800可以用于减小等离子体对形成等离子体的真空室(诸如euv光源的真空室)中的一个或多个物体的影响。例如，过程800可以用于保护真空容器140(图1)、440(图4)或740(图7)中的物体。
138.图9a
‑
图9c是使用过程800来通过改变目标720的定位来保护流体708(通过确保流体708保持其预期的流动配置)和光学元件755的示例。尽管过程800可以用于保护真空室中的任何物体免受等离子体的影响，但是为了说明的目的，关于图9a
‑
图9c讨论过程800。
139.向真空室的内部提供第一目标(810)。还参考图9a，在时间t1，向目标区730提供目标720a。目标720a是目标720的实例(图7a)。目标720a是第一目标的示例。目标720a包括呈几何分布布置的目标材料。目标材料当在等离子体状态下时发射euv光，并且还发射除了euv光之外的粒子和/或辐射。目标材料在目标720a中的几何分布具有在第一方向上的第一范围和在第二方向上的第二范围，第二方向垂直于第一方向。第一范围和第二范围可以不同。参考图9a，目标720a在y
‑
z平面中具有椭圆形横截面，并且第一范围和第二范围中的较大范围沿着方向923a。如下所述，目标720在t2和t3中的较晚时间的实例720b和720c(分别为图9b和图9c)具有与时间t1处的实例720a(图9a)不同的定位。目标720b和720c具有与目标720a基本上相同的目标材料几何分布。然而，目标720a、目标720b、目标720c的定位是不同的。如图9b所示，在时间t2，目标720b沿着方向923b具有更大的范围，方向923b不同于方
向923a。在时间t3(图9c)，目标720c沿着方向923c具有更大的范围，方向923c不同于方向923a和方向923b。
140.向目标区730提供目标720a、目标720b、目标720c中的任何目标可以包括在目标到达目标区730之前对目标进行整形、定位和/或定向。例如，并且还参考图10a和图10b，目标材料供应装置716可以向初始目标区1031提供初始目标1018。在图10a和图10b的示例中，初始目标区1031位于目标区730与目标材料供应装置716之间。在图10a的示例中，形成目标920a。在图10b的示例中，形成目标920b。目标920a和目标920b是相似的，但是在真空室中的定位不同，如下所述。
141.参考图10a，控制系统470引起第一光束410a的脉冲朝向初始目标区1031传播。控制系统470引起第一光学束410a的脉冲在一时间发射使得当初始目标1018处于初始目标区1031中时第一光学束410a到达初始目标区1031，但是被定位成使得第一光束410a在质心1019上方(在
‑
y方向中位移)打击初始目标。例如，控制系统470可以从传感器448(图4)接收真空室740的内部的表示，并且检测初始目标1018在初始目标区1031附近或在初始目标区1031中并且然后基于检测引起第一光束410a的脉冲的发射，使得第一光束410a相对于质心1019在
‑
y方向上位移。初始目标1018扩张以沿着竖直方向形成第一范围和第二范围，并且这两个范围中较大者在方向1023a中延伸。
142.参考图10b，为了改变下一目标(稍后到达初始目标区1031的目标)的定位，控制系统400引起第一光束410a的另一脉冲在一时间从光生成模块480发射，使得当下一初始目标1018位于区1031中并且定位在区1031内时第一光束410a到达初始目标区1031，使得第一光束410a在质心1019下方(在y方向上位移)打击初始目标1018。例如，控制系统470可以从传感器448(图4)接收真空室740的内部的表示，并且检测下一初始目标1018在初始目标区1031附近或在初始目标区1031中并且然后基于检测引起第一光束410a的脉冲的发射，使得第一光束410a相对于质心1019在y方向上位移。下一初始目标1018扩张以沿着竖直方向形成第一范围和第二范围，并且这两个范围中的较大者在方向1023b中延伸，方向1023b不同于方向1023a。
143.与在质心1019处打击初始目标1018的光束相比，控制系统470引起光束410a或光束410a的脉冲更早到达，以沿着方向1023a(图10a)定向目标920a的较大范围，以及引起光束410a或光束410a的脉冲更晚到达，以沿着方向1023b(图10b)定向目标920b的较大范围。
144.因此，可以通过在目标到达目标区730之前利用控制系统470控制的定时用光束照射初始目标来定位目标。在其他实现中，可以通过改变第一光束410a的传播的方向来定位目标。附加地，在一些实现中，可以在不使用初始目标的情况下以特定定向向目标区730提供目标(并且定向可以从目标到目标进行变化)。例如，可以通过操纵目标材料供应装置716来定向目标和/或在从目标材料供应装置716释放目标之前形成目标。
145.返回图8和图9a，向目标区730引导光束710(820)。光束710具有足以将目标720a中的至少一些目标材料转换成等离子体的能量。等离子体发射euv光并且还发射粒子和/或辐射。粒子和/或辐射非各向同性地发射并且主要在特定方向上朝向第一峰值965a发射(图9a)。
146.第一目标的第一范围和第二范围相对于真空室中的单独且不同的物体定位。例如，图9a的目标720a在y
‑
z平面中具有椭圆形横截面并且在y
‑
z平面中在方向923a中具有最
大范围。方向923a(以及垂直于方向923a的方向)相对于窗口714的表面法线形成一定的角度。以这种方式，可以认为目标720a相对于窗口714定位或成角度。在另一示例中，方向923a相对于流体408中用标签909标记的空间形成角度。在又一示例中，方向923a在光学元件755上的区(用标签956标记)处与表面法线形成角度。
147.如上所述，峰值965a的位置取决于目标920的定位。因此，可以通过改变目标920的定位来改变峰值965b的位置。
148.向真空室740的内部提供第二目标(830)。第二目标的定位与第一目标的定位不同。参考图9b，在时间t2，目标720b在y
‑
z平面中具有椭圆形横截面，其中椭圆具有主要轴线。在y
‑
z平面中的第二目标的最大范围在方向923b中沿着主要轴线。方向923b不同于方向923a。因此，与第一目标相比，第二目标相对于窗口714和真空室740中的其他物体不同地定位。在该示例中，方向923b垂直于z方向。通过例如控制光束控制模块471以在一时间发射第一光束410a使得第一光束410a在其质心处打击初始目标(诸如图10a和图10b的初始目标1018)，可以将目标720b定位以在方向923b中具有较大范围。
149.朝向目标区730引导光束710以从第二目标形成第二等离子体(840)。因为第二目标的定位不同于第一目标的定位，所以第二等离子体主要朝向峰值965b发射粒子和/或辐射，峰值965b位于与峰值965a不同的位置。
150.因此，通过利用控制系统470随时间控制目标的定位，也可以控制从等离子体发射粒子和辐射的方向。
151.过程800可以应用于两个以上的目标，并且过程800可以应用于确定在真空室740的操作期间进入目标区730的任何或所有目标的定位。例如，如图9c所示，在时间t3，目标区730中的目标720c具有与目标720a和目标720b不同的定位。在时间t3从目标720c形成的等离子体主要朝向峰值965c发射粒子和/或辐射。峰值965c位于真空室740中与峰值965a和965b不同的位置。因此，随时间继续改变目标定向或定位可以进一步散布开等离子体的加热效果。例如，峰值965a指向标记为909的流体708的区，但是峰值965b和峰值965c不是。在其他示例中，峰值965c指向光学元件755上的区956，但是峰值965a和峰值965b不是。以这种方式，区956可以避免被污染。
152.过程800可以用于连续地改变进入目标区730的目标的定位。例如，目标区730中的任何目标的定位可以与紧接在前和/或紧接在后的目标的定位不同。在其他示例中，到达目标区730的每个目标的定位不一定是不同的。在这些示例中，目标区730中的任何目标的定位可以与目标区730中的至少一个其他目标的定位不同。此外，定位的变化可以是增量的，其中相对于特定物体的角度随着每次改变而增加或减小，直到达到最大和/或最小角度。在其他实现中，到达目标区730的各种目标之间的定位变化可以是随机或伪随机的角度变化量。
153.此外，并且参考图10c，可以改变目标的定位，使得沿其发射峰值方向通量的方向扫过真空容器740中的三维区。图10c示出了从目标区730(在
‑
z方向上看)观察的光学元件755的视图，其中随时间沿其发射峰值方向通量的方向由路径1065表示。尽管方向通量不一定到达光学元件755，路径1065示出了随时间进入目标区730的目标可以具有彼此不同的定位，并且不同的定位可以导致峰值发射方向扫过真空容器740中的三维区。
154.附加地，过程800可以改变以不一定导致任何目标的定位不同于紧接在前和/或紧
接在后的目标的定位的速率进入目标区730的目标的定位，但是其改变以基于操作条件或期望的操作参数来防止对真空室中的物体的损坏的速率进入目标区730的目标的定位。
155.例如，保护光学元件755免受高能离子沉积物的影响所需要的流体708的量和流体708的流速取决于真空室中等离子体生成的持续时间。图11是最小可接受流体流速与euv发射持续时间之间的关系的示例性图1100。euv发射持续时间也可以称为euv突发持续时间，并且euv突发可以通过将多个连续目标转换成等离子体来形成。图1100的y轴是流体流速，并且图1100的x轴是在真空室740中生成的euv光突发的持续时间。图1100的x轴是对数标尺。
156.将最小流速与euv发射持续时间相关的数据(诸如形成诸如图1100的图的数据)可以存储在控制系统470的电子存储装置473上并且由控制系统470使用以确定应当改变目标720的定位以最小化流体708的消耗同时仍然保护真空室740中的物体的频率。例如，用于图1100的数据指示最小流速以防止使用具有各种持续时间的euv突发的系统中的污染。通过相对于用于产生euv突发的其他目标的定位改变用于产生euv突发的一个或多个目标的定位，可以减小所需要的最小流速。图1100可以用于确定应当重新定位目标区中的目标以实现所需的最小流速的频率。例如，如果所需的最小流速对应于比源操作时更低的euv突发持续时间，则可以重新定位到达目标区的目标，使得由任何单个目标或目标集合产生的粒子和/或辐射的方向通量被引导到真空室的特定区持续一时间量，该时间量与较低的euv突发持续时间相同。以这种方式，可以减小真空室的任何特定区所经历的euv突发持续时间，并且还可以减小流体708的最小流速。
157.图11示出了流体708的流速与euv突发持续时间之间的示例关系。流体708的其他性质(诸如例如，压力和/或密度)可以随euv突发持续时间而变化。以这种方式，过程800还可以用于减小保护光学元件755所需要的流体708的量。
158.参考图12，示出了示例过程1200的流程图。过程1200将目标定位在真空室中使得能够减小或消除等离子体对真空室中的物体的影响。过程1200可以由控制系统470执行。
159.修改初始目标以形成经修改的目标(1210)。经修改的目标和初始目标包括目标材料，但目标材料的几何分布不同于经修改的目标的几何分布。例如，初始目标可以是诸如初始目标618(图6c)或1018(图10a和10b)的初始目标。经修改的目标可以是通过利用预脉冲(诸如图6a
‑
图6b的预脉冲606)或利用诸如图4的第一光束410a的光束照射初始目标而形成的盘形目标，这不一定将初始目标中的目标材料转换成发射euv的等离子体但是确实调节初始目标。
160.经修改的目标可以相对于单独且不同的物体定位。初始目标与光束之间的交互可以确定经修改的目标的定位。例如，如上面关于图6a
‑
图6c、图8以及图10a和图10b所讨论的，可以通过将光束引导到初始目标的特定部分来形成具有特定定位的盘形目标。单独且不同的物体是真空室中的任何物体。例如，单独且不同的物体可以是缓冲流体、目标的流中的目标和/或光学元件。
161.朝向经修改的目标引导光束(1220)。光束可以是放大的光束，诸如第二光束410b(图4)。光束具有足以将经修改的目标中的至少一些目标材料转换成发射euv光的等离子体的能量。等离子体还与粒子和/或辐射的方向相关通量相关联，并且方向相关通量具有最大值(粒子和/或辐射的最高部分流入的位置、区或方向)。最大值被称为峰值方向，并且峰值
方向取决于经修改的目标的定位。粒子和辐射可以优先从经修改的目标的经加热的侧发射，该经加热的侧是首先接收光束的一侧。因此，对于在盘的平面中的一个平面上接收光束的盘形目标，峰值方向在垂直于接收光束的盘面的方向中。可以定位经修改的目标，使得等离子体对物体的影响减小。例如，将经修改的目标定向为使得目标的经加热的侧指向远离待保护的物体将导致最少可能的高能离子朝向物体被引导。
162.可以针对单个目标或重复地执行过程1200。对于其中重复执行过程1200的实现，用于过程1200的任何特定实例的经修改的目标的定位可以与先前或后续的经修改的目标的定位不同。
163.参考图13a
‑
13c，过程1200可以用于保护目标的流中的目标免受等离子体的影响。作为真空室1340内部的框图的图13a
‑
13b示出了如何保护真空室中的目标免受等离子体的影响。图13a示出了在真空室中在y方向上朝向目标区1330行进的目标的流1322。流1322沿其行进的方向可以被称为目标轨迹或目标路径。光束1310在方向z中朝向目标区1330传播。目标1320是目标区1330中的流1322中的目标。光束1310与目标1320之间的交互将目标1320中的目标材料转换成发射euv光的等离子体。
164.附加地，等离子体发射由轮廓1364表示的粒子和/或辐射的方向相关通量。在图13a的示例中，轮廓1364示出了粒子和/或辐射主要在与z方向相反的方向中发射，并且等离子体的最大影响是在该方向中。然而，等离子体还对在y方向上位移的物体具有影响，包括目标1322a，目标1322a是在形成等离子体时最接近(但在其之外)目标区1330的流1322中的目标。换言之，在图13a的示例中，目标1322a是下一进入的目标或是在目标1320被消耗以产生等离子体之后将在目标区1330中的目标。
165.等离子体对目标1322a的影响可以是直接的，诸如目标1322a经历从方向相关通量中的辐射的消融。这样的消融可以减慢目标和/或改变目标的形状。来自等离子体的辐射可以向目标1322a施加力，导致目标1322a比预期晚到达目标区1330。光束1310可以是脉冲光束。因此，如果目标1322a比预期晚到达目标区1330，则光束1310和目标可能彼此错过并且不产生等离子体。附加地，等离子体辐射的力可能非预期地改变目标1322a的形状并且可能干扰在到达目标区1330之前调节流1322中的目标以增加等离子体产生的有意的形状变化。
166.等离子体对目标1322a的影响也可以是间接的。例如，缓冲流体可以在真空室1340中流动，并且方向相关通量可以加热流体，并且流体的加热可以改变目标的轨迹(诸如关于图7a和7b所讨论的)。间接影响也可能干扰光源的正常操作。
167.通过定向目标1320的经加热的侧1329远离目标1322a，可以减小等离子体对目标1322a的影响。目标1320的井加热的侧1329是目标1320的最初接收光束1310的一侧，并且粒子和/或辐射主要从经加热的侧1329并且在垂直于目标材料分布的方向中在经加热的侧1329处发射。由等离子体以相对于目标1320的特定角度发射的辐射的部分p可以近似等式1的关系：
168.p(θ)＝1
‑
cos
n
(θ)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)，
169.其中n是整数，并且θ是经加热的侧1329上的目标的法线与目标1320和目标1322a的质心之间的目标轨迹的方向之间的角度。辐射的其他角度分布是可能的。
170.参考图13b，与图13a中的定位相比，目标1320的定位改变，使得经加热的侧1329指向远离目标1322a。作为这种定位的结果，粒子和/或辐射在方向1351中远离目标1322a发
射。参考图13c，通过将目标1320的经加热的侧1329定位成远离目标1322a并且定位目标流1322的路径使得目标1322a位于具有来自等离子体的最少粒子和/或最小辐射的区中来进一步减小对目标1322a的影响。在图13c的示例中，该区是在与方向1351相反(在目标1320后面)的方向中的区，并且目标流1322中的目标沿着方向1351行进。
171.因此，可以通过定向目标和/或定位目标路径来减小等离子体对真空室中的其他目标的影响。
172.图14、图15a和图15b是其中可以执行过程800和过程1200的系统的附加示例。
173.参考图14，示出了示例性光学成像系统1400的框图。光学成像系统1400包括向光刻工具1470提供euv光的lpp euv光源1402。光源1402可以与图1的光源101类似，和/或包括图1的光源101的一些或全部部件。
174.系统1400包括光学源，诸如驱动激光器系统1405、光学元件1422、预脉冲源1443、聚焦组件1442和真空室1440。驱动激光器系统1405产生放大的光束1410。放大的光束1410具有足以将目标1420中的目标材料转换成发射euv光的等离子体的能量。上面讨论的任何目标都可以用作目标1420。
175.预脉冲源1443发射辐射的脉冲1417。辐射的脉冲可以用作预脉冲606(图6a
‑
6c)。例如，预脉冲源1443可以是以50khz重复比率操作的q切换nd:yag激光器，并且辐射的脉冲1417可以是来自波长为1.06μm的nd:yag激光器的脉冲。预脉冲源1443的重复比率指示预脉冲源1443产生辐射的脉冲的频率。对于预脉冲源1443具有50khz重复比率的示例，每20微秒(μs)发射辐射的脉冲1417。
176.其他源可以用作预脉冲源1443。例如，预脉冲源1443可以是除了nd:yag之外的任何稀土掺杂的固态激光器，诸如掺铒光纤(er:glass)激光器。在另一示例中，预脉冲源可以是产生具有波长为10.6μm的脉冲的二氧化碳激光器。预脉冲源1443可以是产生具有用于上述预脉冲的能量和波长的光脉冲的任何其他辐射或光源。
177.光学元件1422将放大的光束1410和辐射的脉冲1417从预脉冲源1443引导到室1440。光学元件1422是可以沿着类似或相同的路径引导放大的光束1410和辐射的脉冲1417的任何元件。在图14所示的示例中，光学元件1422是接收放大的光束1410并且将其反射向室1440的二向色分光镜。光学元件1422接收辐射的脉冲1417并且朝向室1440传输脉冲。二向色分光镜具有反射放大的光束1410的波长并且传输辐射的脉冲1417的波长的涂层。二向色分光镜可以由例如金刚石制成。
178.在其他实现中，光学元件1422是限定孔(未示出)的镜。在该实现中，放大的光束1410从镜表面被反射并且朝向室1440被引导，并且辐射的脉冲穿过孔并且朝向室1440传播。
179.在其他实现中，可以使用楔形光学元件(例如，棱镜)以根据它们的波长将主脉冲1410和预脉冲1417分开不同的角度。除了光学元件1422之外，还可以使用楔形光学元件，或者楔形光学元件可以用作光学元件1422。楔形光学元件可以恰好定位在聚焦组件1442的上游(在
‑
z方向中)。
180.附加地，脉冲1417可以以其他方式传递到室1440。例如，脉冲1417可以行进通过光纤，该光纤将脉冲1417传递到室1440和/或聚焦组件1442，而无需使用光学元件1422或其他引导元件。在这些实现中，纤维通过形成在室1440的壁中的开口将辐射的脉冲1417直接带
到室1440的内部。
181.放大的光束1410从光学元件1422被反射并且传播通过聚焦组件1442。聚焦组件1442将放大的光束1410聚焦在焦平面1446上，焦平面1446可以与目标区1430重合或不重合。辐射的脉冲1417穿过光学元件1422并且被引导通过聚焦组件1442到达室1440。放大的光束1410和辐射的脉冲1417沿着y方向被引导到室1440中的不同位置并且在不同时间到达室1440。
182.在图14所示的示例中，单个块表示预脉冲源1443。然而，预脉冲源1443可以是单个光源或多个光源。例如，可以使用两个单独的源以生成多个预脉冲。两个单独的源可以是产生具有不同波长和能量的辐射的脉冲的不同类型的源。例如，其中预脉冲中的一个预脉冲可以具有10.6μm的波长并且可以通过co2激光器生成，并且其他预脉冲可以具有1.06μm的波长并且可以通过稀土掺杂的固态激光器生成。
183.在一些实现中，预脉冲1417和放大的光束1410可以由相同的源生成。例如，辐射的预脉冲1417可以由驱动激光器系统1405生成。在该示例中，驱动激光器系统可以包括两个co2种子激光器子系统和一个放大器。种子激光器子系统中的一个种子激光器子系统可以产生具有波长为10.26μm的放大的光束，并且其他种子激光器子系统可以具有产生波长为10.59μm的放大的光束。这两个波长可以来自co2激光器的不同的线。在其他示例中，co2激光器的其他线可以用于生成两个放大的光束。来自两个种子激光器子系统的两个放大的光束在相同的功率放大器链中被放大，并且然后成角度地散布以到达室1440内的不同位置。波长为10.26μm的放大的光束可以用作预脉冲1417，并且波长为10.59μm的放大的光束可以用作放大的光束1410。在采用多个预脉冲的实现中，可以使用三个种子激光器，其中一个用于生成放大的光束1410、第一预脉冲和单独的第二预脉冲中的每个。
184.放大的光束1410和辐射的预脉冲1417都可以在相同的光放大器中放大。例如，三个或更多个功率放大器可以用于放大放大的光束1410和预脉冲1417。
185.参考图15a，示出了lpp euv光源1500。euv光源1500可以与上面讨论的光源、过程和真空室一起使用。lpp euv光源1500通过用沿着束路径朝向目标混合物1514行进的放大的光束1510在目标区1505处照射目标混合物1514而形成。也称为照射部位的目标区1505在真空室1530的内部1507内。当放大的光束1510打击目标混合物1514时，目标混合物1514内的目标材料被转换成具有在euv范围中的发射线的元素的等离子体状态。所创建的等离子体具有某些特征，这些特征取决于目标混合物1514内的目标材料的组成。这些特征可以包括由等离子体产生的euv光的波长以及从等离子体释放的碎片的类型和数量。
186.光源1500还包括以液体微滴、液体流、固体粒子或簇、液体微滴中包含的固体粒子或液体流内包含的固体粒子的形式传递、控制和引导目标混合物1514的目标材料传递系统1525。目标混合物1514包括目标材料，诸如例如水、锡、锂、氙、或当转换成等离子体状态时具有在euv范围中的发射线的任何材料。例如，元素锡可以用作纯锡(sn)；用作锡化合物，例如snbr4、snbr2、snh4；用作锡合金，例如锡镓合金、锡铟合金、锡铟镓合金或这些合金的任何组合。目标混合物1514还可以包括杂质，诸如非目标粒子。因此，在没有杂质的情况下，目标混合物1514仅由目标材料构成。目标混合物1514由目标材料传递系统1525传递到室1530的内部1507中并且传递到目标区1505。
187.光源1500包括由于激光器系统1515的增益介质或介质内的粒子数反转而产生放
大的光束1510的驱动激光器系统1515。光源1500包括在激光器系统1515与目标区1505之间的光束传递系统，光束传递系统包括光束传输系统1520和聚焦组件1522。光束传输系统1520从激光器系统1515接收放大的光束1510，并且根据需要引导和修改放大的光束1510并且向聚焦组件1522输出放大的光束1510。聚焦组件1522接收放大的光束1510并且将光束1510聚焦到目标区1505。
188.在一些实现中，激光器系统1515可以包括一个或多个光学放大器、激光器和/或灯，用于提供一个或多个主脉冲，并且在一些情况下，提供一个或多个预脉冲。每个光学放大器包括能够以高增益光学地放大期望波长的增益介质、激发源和内部光学元件。光学放大器可以具有或不具有形成激光腔的激光镜或其他反馈设备。因此，即使没有激光腔，激光器系统1515也会由于激光放大器的增益介质中的粒子数反转而产生放大的光束1510。此外，激光器系统1515可以产生放大的光束1510，如果存在激光腔以向激光器系统1515提供足够的反馈，则该放大的光束1510是相干激光束。术语“放大的光束”包括以下中的一个或多个：来自激光器系统1515的仅被放大但不一定是相干激光振荡的光和来自激光器系统1515的被放大并且也是相干激光振荡的光。
189.激光器系统1515中的光学放大器可以包括作为增益介质的填充气体，填充气体包括co2，并且可以以大于或等于1500的增益放大波长在约9100到约11000nm之间并且特别是约10600nm的光。用于在激光器系统1515中使用的合适的放大器和激光器可以包括脉冲激光设备，例如，产生约9300nm或约10600nm的辐射的脉冲气体放电co2激光器设备，例如，具有dc或rf激励，以相对高的功率(例如，10kw或更高)和高的脉冲重复比率(例如，40khz或更高)操作。激光器系统1515中的光学放大器还可以包括诸如水的冷却系统，冷却系统可以当以更高功率操作激光器系统1515时使用。
190.图15b示出了示例驱动激光器系统1580的框图。驱动激光器系统1580可以用作源1500中的驱动激光器系统1515的一部分。驱动激光器系统1580包括三个功率放大器1581、1582和1583。功率放大器1581、功率放大器1582和功率放大器1583中的任何一个或全部可以包括内部光学元件(未示出)。
191.光1584通过输出窗口1585从功率放大器1581射出并且从曲面镜1586反射。在反射之后，光1584穿过空间滤波器1587，被曲面镜1588反射，并且通过输入窗口1589进入功率放大器1582。光1584在功率放大器1582中被放大，并且通过输出窗口1590重定向到功率放大器1582之外作为光1591。光1591利用折叠镜1592朝向放大器1583被引导并且通过输入窗口1593进入放大器1583。放大器1583放大光1591并且将光1591通过输出窗口1594引导出放大器1583作为输出光束1595。折叠镜1596向上(离开页面)并且朝向光束传输系统1520(图15a)引导输出光束1595。
192.再次参考图15b，空间滤波器1587限定孔1597，孔1597可以是例如直径在约2.2mm到3mm之间的圆。曲面镜1586和曲面镜1588可以是例如焦距分别为约1.7米和2.3米的离轴抛物线镜。空间滤波器1587可以被定位成使得孔1597与驱动激光器系统1580的焦点重合。
193.再次参考图15a，光源1500包括具有孔1540的收集器镜1535，以允许放大的光束1510穿过并且到达目标区1505。收集器镜1535可以是例如在目标区1505处具有主焦点和在中间位置1545处具有次级焦点(也称为中间焦点)的椭圆镜，其中euv光可以从光源1500输出并且可以输入到例如集成电路光刻工具(未示出)。光源1500还可以包括开放式中空圆锥
形护罩1550(例如，气锥)，护罩1550从收集器镜1535朝向目标区1505成锥形以减小进入焦点组件1522和/或光束传输系统1520的等离子体生成的碎片的量，同时允许放大的光束1510到达目标区1505。为此目的，可以在护罩中提供朝向目标区1505被引导的气流。
194.光源1500还可以包括连接到微滴定位检测反馈系统1556、激光控制系统1557和光束控制系统1558的主控制器1555。光源1500可以包括一个或多个目标或微滴成像器1560，成像器1560提供指示微滴例如相对于目标区1505定位的输出并且将该输出提供给微滴定位检测反馈系统1556，微滴定位检测反馈系统1556可以例如计算微滴定位和轨迹，微滴定位误差可以在逐微滴的基础上或平均地从微滴定位和轨迹来计算。因此，微滴定位检测反馈系统1556将微滴定位误差作为输入提供给主控制器1555。因此，主控制器1555可以将激光定位、方向和定时校正信号提供给例如激光控制系统1557，激光控制系统1557例如可以用于控制激光定时电路，和/或提供给光束控制系统1558以控制放大的光束定位和光束传输系统1520的成形以改变光束焦斑在腔室1530内的位置和/或焦点功率。
195.目标材料传递系统1525包括目标材料传递控制系统1526，目标材料传递控制系统1526响应于来自主控制器1555的信号而可操作，例如以修改由目标材料供应装置1527释放的微滴的释放点以校正到达期望目标区1505的微滴中的误差。
196.附加地，光源1500可以包括光源检测器1565和光源检测器1570，光源检测器1565和光源检测器1570测量一个或多个euv光参数，包括但不限于脉冲能量、根据波长的能量分布、特定波长带内的能量、特定波长带外的能量以及euv强度和/或平均功率的角度分布。光源检测器1565生成供主控制器1555使用的反馈信号。反馈信号可以例如指示诸如激光脉冲的定时和焦点的参数中的误差，以在正确的地点和时间正确地拦截微滴以用于有效和高效的euv光产生。
197.光源1500还可以包括向导激光器1575，向导激光器1575可以用于对准光源1500的各种部分或者协助将放大的光束1510引导到目标区1505。与向导激光器1575相关联，光源1500包括量测系统1524，量测系统1524放置在聚焦组件1522内以对来自向导激光器1575的光的部分和放大的光束1510进行采样。在其他实现中，量测系统1524放置在光束传输系统1520内。量测系统1524可以包括对光的子集进行采样或重定向的光学元件，这样的光学元件由能够承受向导激光束和放大的光束1510的功率的任何材料制成。光束分析系统由量测系统1524和主控制器1555形成，因为主控制器1555分析来自向导激光器1575的经采样的光并且使用该信息通过光束控制系统1558调节聚焦组件1522内的部件。
198.因此，总之，光源1500产生放大的光束1510，放大的光束1510沿着光束路径被引导以在目标区1505处照射目标混合物1514，以将混合物1514内的目标材料转换成在euv范围中发射光的等离子体。放大的光束1510以基于激光器系统1515的设计和性质而确定的特定波长(也称为驱动激光波长)操作。附加地，放大的光束1510可以是当目标材料将足够的反馈提供回激光器系统1515以产生相干激光时或者在驱动激光器系统1515包括合适的光学反馈以形成激光腔的情况下的激光束。
199.其他实现在权利要求的范围内。例如，流体108和流体708被示出为在y方向中流动并且垂直于将目标材料转换成等离子体的光束的传播的方向。然而，流体108和流体708可以在由与一组操作条件相关联的流动配置确定的任何方向上流动。例如，参考图16，示出了光源101的备选实现，其中真空室的流体108在z方向上流动。附加地，作为流动配置的部分
的流动的任何特性(包括流动的方向)可以在光源101的操作期间有意地改变。
200.附加地，如上所述，尽管图6a
‑
图6c和图10a和图10b的示例包括示出了使用预脉冲来启动初始目标的倾斜，但是倾斜目标可以利用不采用预脉冲的其他技术传递到目标区130、目标区730和/或目标区1330。例如，如图17所示，当转换成等离子体时包括发射euv光的目标材料的盘形目标1720被预形成，并且通过利用力释放盘目标1720而提供给目标区1730，该力使得盘目标1720移动通过相对于在目标区1730中接收的放大的光束1710倾斜的目标区1730。图7a和图7b在y
‑
z平面和两个维度中示出了真空室。然而，可以想到，轮廓764(图7b)可以占据三个维度并且可以在三个维度中扫过体积。类似地，图9a、图9c、图10a、图10b和图13a
‑
13c在y
‑
z平面和两个维度中示出了真空室。然而，可以想到，真空室中的目标可以在三个维度中在任何方向上倾斜，并且粒子和/或辐射的方向通量可以在三个维度中扫过空间。