本实用新型涉及一种中频电源铜排结构，特别涉及一种igbt中频电源用直流pn导电铜排结构。
背景技术：
igbt中频电源是一种静止变频装置，将三相工频电源变换成单相电源，主要应用于各种金属的熔炼、保温、烧结、焊接、淬火、回火、透热、金属液净化、热处理、弯管、以及晶体生长等。
igbt中频电源的工作原理为：采用三相桥式全控整流电路将交流电整流为直流电，经电抗器平波后，成为一个恒定的直流电流源，再经单相逆变桥，把直流电流逆变成一定频率(一般为200hz至8000hz)的单相中频电流。负载由感应线圈和补偿电容器组成，连接成并联谐振电路。
现有技术中，导电铜排存在散热效果不佳，使用寿命短的问题。
基于此，有必要设计一种igbt中频电源用直流pn导电铜排结构，以解决上述问题。
技术实现要素：
为克服上述现有技术中的不足，本实用新型目的在于提供一种igbt中频电源用直流pn导电铜排结构。
为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供的技术方案是：一种igbt中频电源用直流pn导电铜排结构，所述igbt中频电源包括两个直流滤波电容、两个直流pn铜排组和一个igbt单元组，所述igbt单元组分左右两半，左侧半边与左侧下方的直流滤波电容通过直流pn铜排组连接，右侧半边与右侧上方的直流滤波电容通过直流pn铜排组连接，所述直流pn铜排组包括p向铜排和n向铜排，所述p向铜排和所述n向铜排的一端间隔、绝缘设置，构成和所述igbt单元组连接的igbt连接部，所述p向铜排和所述n向铜排的另一端底侧朝外弯折90°，构成和所述直流滤波电容连接的电容连接部，所述p向铜排和所述n向铜排上的电容连接部镜像对应设置。
优选的技术方案为：所述p向铜排和所述n向铜排上均配置有冷却铜管，使用时所述冷却铜管内通低电导率的工业用蒸馏水。
优选的技术方案为：所述p向铜排和所述n向铜排与所述igbt单元组连接的一端相互交错间隔设置，构成供绝缘板插入的缺口，所述绝缘板采用双层特氟龙制成。
优选的技术方案为：所述n向铜排上的电容连接部通过螺栓固定在所述直流滤波电容的左排输出连接柱上，所述p向铜排上的电容连接部通过螺栓固定在所述直流滤波电容的右排输出连接柱上，所述电容连接部上于每个接线柱之间设有切口。
优选的技术方案为：所述直流滤波电容为自冷式电容。
由于上述技术方案运用，本实用新型具有的有益效果为：
本实用新型通过增设冷却铜管，提高了铜排散热性能；通过在电容连接部上于每个接线柱之间设置切口，确保电容连接部在受热膨胀过程中有足够的伸缩间隙，延长其使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图2为本实用新型直流pn铜排组结构示意图。
以上附图中，1、直流滤波电容；2、igbt单元组；3、直流pn铜排组；31、p向铜排；32、n向铜排；33、电容连接部；34、切口；4、冷却铜管；5、绝缘板。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
请参阅图1-图2。须知，在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，可以是机械连接，也可以是电连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
实施例：
如图1所示，为本实用新型公开的一种新型igbt中频电源用直流pn导电铜排的结构。
igbt中频电源包括两个直流滤波电容1（自冷式电容）、两个直流pn铜排组3和一个igbt单元组2。其中，igbt单元组2为模组型功率元件配置，igbt单元组2分左右两半，左侧半边与左侧下方的直流滤波电容1通过直流pn铜排组3连接，右侧半边与右侧上方的直流滤波电容1通过直流pn铜排组3连接。
直流pn铜排组3包括p向铜排31和n向铜排32，p向铜排31和n向铜排32的一端间隔、绝缘设置，构成和igbt单元组2连接的igbt连接部（未标出）。
具体的，p向铜排31和n向铜排32与igbt单元组2连接的一端相互交错间隔设置，构成供绝缘板5插入的缺口，绝缘板5采用双层特氟龙制成，起绝缘作用（p向铜排31和n向铜排32之间用特质耐高压等级比较高的双层特氟龙进行隔离，隔离间隙5mm）。
p向铜排31和n向铜排32的另一端底侧朝外弯折90°，构成和直流滤波电容1连接的电容连接部33，p向铜排31和n向铜排32上的电容连接部33镜像对应设置。
具体的，n向铜排32上的电容连接部通过螺栓固定在直流滤波电容1的左排输出连接柱上，p向铜排31上的电容连接部通过螺栓固定在直流滤波电容1的右排输出连接柱上。并且，电容连接部上于每个接线柱之间都设有切口34，确保电容连接部在受热膨胀过程中有足够的伸缩间隙。
进一步的，p向铜排31和n向铜排32上均配置有冷却铜管4，使用时冷却铜管4内通低电导率的工业用蒸馏水，用于铜排散热。
所以，本实用新型具有以下优点：
本实用新型通过增设冷却铜管，提高了铜排散热性能；通过在电容连接部上于每个接线柱之间设置切口，确保电容连接部在受热膨胀过程中有足够的伸缩间隙，延长其使用寿命。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神和技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
1.一种igbt中频电源用直流pn导电铜排结构，所述igbt中频电源包括两个直流滤波电容、两个直流pn铜排组和一个igbt单元组，所述igbt单元组分左右两半，左侧半边与左侧下方的直流滤波电容通过直流pn铜排组连接，右侧半边与右侧上方的直流滤波电容通过直流pn铜排组连接，其特征在于：所述直流pn铜排组包括p向铜排和n向铜排，所述p向铜排和所述n向铜排的一端间隔、绝缘设置，构成和所述igbt单元组连接的igbt连接部，所述p向铜排和所述n向铜排的另一端底侧朝外弯折90°，构成和所述直流滤波电容连接的电容连接部，所述p向铜排和所述n向铜排上的电容连接部镜像对应设置。
2.根据权利要求1所述的一种igbt中频电源用直流pn导电铜排结构，其特征在于：所述p向铜排和所述n向铜排上均配置有冷却铜管，使用时所述冷却铜管内通低电导率的工业用蒸馏水。
3.根据权利要求1所述的一种igbt中频电源用直流pn导电铜排结构，其特征在于：所述p向铜排和所述n向铜排与所述igbt单元组连接的一端相互交错间隔设置，构成供绝缘板插入的缺口，所述绝缘板采用双层特氟龙制成。
4.根据权利要求1所述的一种igbt中频电源用直流pn导电铜排结构，其特征在于：所述n向铜排上的电容连接部通过螺栓固定在所述直流滤波电容的左排输出连接柱上，所述p向铜排上的电容连接部通过螺栓固定在所述直流滤波电容的右排输出连接柱上，所述电容连接部上于每个接线柱之间设有切口。
5.根据权利要求1所述的一种igbt中频电源用直流pn导电铜排结构，其特征在于：所述直流滤波电容为自冷式电容。
技术总结