本实用新型涉及过压保护技术领域，尤其涉及一种过压保护电路。
背景技术：
由于部分产品的输入电源要求有过压保护并且有一定精度要求，使用稳压管虽然价格便宜但是精度不高，满足不了要求。因此，针对上述问题，有必要提出进一步地解决方案。
技术实现要素：
本实用新型旨在提供一种过压保护电路，以克服现有技术中存在的不足。
为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：
一种过压保护电路，包括电阻r1、电阻r2、电阻r3和三端并联稳压器u1，所述电阻r1的一端与电源连接，另一端与所述三端并联稳压器u1的参考极连接，所述电阻r2的一端与所述三端并联稳压器u1的参考极连接，另一端接地，所述电阻r3的一端与电源连接，另一端与所述三端并联稳压器u1的阴极连接，所述三端并联稳压器u1的阳极接地，所述三端并联稳压器u1的阴极连接有电阻r4，所述电阻r4的另一端并联mos管q1的栅极和电阻r5，所述电阻r5的另一端接地。
本实用新型的一个较佳实施例中，所述三端并联稳压器u1的型号为tlv431。
本实用新型的一个较佳实施例中，所述mos管q1为nmos管。
本实用新型的一个较佳实施例中，所述电阻r1和电阻r3之间连接有电容c4。
本实用新型的一个较佳实施例中，还包括稳压二极管d1，所述稳压二极管d1的负极与所述三端并联稳压器u1的参考极连接，正极接地。
本实用新型的一个较佳实施例中，还包括稳压二极管d2，所述稳压二极管d2的负极连接所述三端并联稳压器u1的阴极和所述电阻r4，正极接地。
本实用新型的一个较佳实施例中，还包括mos管q2，所述mos管q2的源极和栅极与mos管q1的漏极连接，所述mos管q2的漏极接地。
本实用新型的一个较佳实施例中，所述三端并联稳压器u1的型号为tlv431b。
本实用新型的一个较佳实施例中，所述mos管q2的源极与所述mos管q1的漏极之间串联有电阻r7和电阻r6。
本实用新型的一个较佳实施例中，所述mos管q2的栅极与所述mos管q1的漏极之间串联有电阻r8和电阻r9。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
本实用新型通过三端并联稳压器的电压基准比较功能，被监控电压与其基准电压比较后，三端并联稳压器产生一个高低电平，通过这个高低电平来空载被监控电压的通断，采用通用电子器件，运行稳定，精度高，成本低。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明所指示的技术特征的数量。因此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型创造的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
如图1所示，一种过压保护电路，包括电阻r1、电阻r2、电阻r3和三端并联稳压器u1。电阻r1的一端与电源连接，另一端与三端并联稳压器u1的参考极连接，电阻r2的一端与三端并联稳压器u1的参考极连接，另一端接地，电阻r3的一端与电源连接，另一端与三端并联稳压器u1的阴极连接，三端并联稳压器u1的阳极接地，三端并联稳压器u1的阴极连接有电阻r4，电阻r4的另一端并联mos管q1的栅极和电阻r5，电阻r5的另一端接地。三端并联稳压器u1的型号为tlv431，进一步优选采用tlv431b，其控制精度进一步提高为0.5％。
mos管q1优选为nmos管。电阻r1和电阻r3之间连接有电容c4，以起到干扰泄放作用。
本过压保护电路还包括稳压二极管d1，稳压二极管d1的负极与三端并联稳压器u1的参考极连接，正极接地。电路还包括稳压二极管d2，稳压二极管d2的负极连接三端并联稳压器u1的阴极和电阻r4，正极接地。稳压二极管d1、d2起到稳压作用。
电路还可以包括mos管q2，mos管q2的源极和栅极与mos管q1的漏极连接，mos管q2的漏极接地。通过mos管q1的通断控制mos管q2的通断。mos管q2的源极与mos管q1的漏极之间串联有电阻r7和电阻r6。mos管q2的栅极与mos管q1的漏极之间串联有电阻r8和电阻r9。mos管q2优选为pmos管。mos管q1只起到开关作用,mos管q2在主路上，不但起到开关作用，上面还通大电流。因而两个型号选的不同。
本实用新型可具体用于控制输入电源12v的过压保护，通过分压电阻r1、r2产生一个电压与tlv431b基准电压做比较，可具体设定过压保护点为12.91v,当输入电压12v_in低于12.91v，tlv431b(u1)的阴极产生一个6v的高电平，这个高电平再通过r4、r5的一个分压控制mos管q1导通，q1导通后再进而控制mos管q2的导通，这样输入电源12v_in导通。当输入电源12v_in高于12.91v时，tlv431b(u1)的阴极产生一个1v的低电平，1v的低电平再通过r4与r5的分压，产生一个0.6的分压，这个低电压使mos管q1关闭，进而控制了mos管q2的关闭，最终完成输入电源12v_in的过压保护功能。本实用新型尤其适用于路由器设备。
综上所述，本实用新型通过三端并联稳压器的电压基准比较功能，被监控电压与其基准电压比较后，三端并联稳压器产生一个高低电平，通过这个高低电平来空载被监控电压的通断，采用通用电子器件，运行稳定，精度高，成本低。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
1.一种过压保护电路，其特征在于，包括电阻r1、电阻r2、电阻r3和三端并联稳压器u1，所述电阻r1的一端与电源连接，另一端与所述三端并联稳压器u1的参考极连接，所述电阻r2的一端与所述三端并联稳压器u1的参考极连接，另一端接地，所述电阻r3的一端与电源连接，另一端与所述三端并联稳压器u1的阴极连接，所述三端并联稳压器u1的阳极接地，所述三端并联稳压器u1的阴极连接有电阻r4，所述电阻r4的另一端并联mos管q1的栅极和电阻r5，所述电阻r5的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述三端并联稳压器u1的型号为tlv431。
3.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述mos管q1为nmos管。
4.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述电阻r1和电阻r3之间连接有电容c4。
5.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，还包括稳压二极管d1，所述稳压二极管d1的负极与所述三端并联稳压器u1的参考极连接，正极接地。
6.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，还包括稳压二极管d2，所述稳压二极管d2的负极连接所述三端并联稳压器u1的阴极和所述电阻r4，正极接地。
7.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，还包括mos管q2，所述mos管q2的源极和栅极与mos管q1的漏极连接，所述mos管q2的漏极接地。
8.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述三端并联稳压器u1的型号为tlv431b。
9.根据权利要求7所述的过压保护电路，其特征在于，所述mos管q2的源极与所述mos管q1的漏极之间串联有电阻r7和电阻r6。
10.根据权利要求7所述的过压保护电路，其特征在于，所述mos管q2的栅极与所述mos管q1的漏极之间串联有电阻r8和电阻r9。
技术总结