本技术涉及一种光耦继电器，具体为大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器，属于光耦继电器。
背景技术：
1、光耦继电器属于固态继电器，没有触点，其工作原理与光耦有点类似，基本结构如下：发光二极管用来向光电元件放射光线，光电元件接受光线并控制输出场效应管导通或截止。光耦继电器还有另一种可控硅整流管(scr)输出，负载电流比场效应管更大，可达到几十安培。光耦继电器由于没有触点引起的磨损，使用寿命是无限的，同时也具有无震动、无切换声音等特性，可控制各种负载(灯泡、发光二极管、加热器、马达等)。
2、光耦继电器在使用时会泄露电流，光耦的漏电流是光敏元件在输入端产生的电流，即光敏元件接收到的光信号所产生的泄漏电流，通常在几十至几百纳安，而且市面上现有的光耦继电器的最大负载电压一般在1500v，难以满足实际生产中的使用需求，为此，提出一种大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器。
技术实现思路
1、有鉴于此，本实用新型提供一种大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器，以解决或缓解现有技术中存在的技术问题，至少提供一种有益的选择。
2、本实用新型实施例的技术方案是这样实现的：一种大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器，包括主体组件，所述主体组件包括第一金属电极、第二金属电极、导光柱、光电池传感器、两个碳化硅mos管、透明软胶、两个发光二极管和两个接收窗口；
3、所述第一金属电极位于所述第二金属电极的上方，两个所述发光二极管对称安装于所述第一金属电极的下表面，所述光电池传感器安装于所述第二金属电极的上表面，所述光电池传感器的位置与所述发光二极管的位置相对应，两个所述碳化硅mos管对称安装于所述第二金属电极的上表面，所述透明软胶固定连接于所述第一金属电极的下表面，两个所述接收窗口对称设置于所述光电池传感器的上表面，所述导光柱位于所述第一金属电极与所述第二金属电极之间。
4、进一步优选的，所述发光二极管的电性输入端与所述第一金属电极电性输出端电性连接，所述光电池传感器的电性输入端与所述第二金属电极的电性输出端电性连接。
5、进一步优选的，两个所述接收窗口的位置与两个所述发光二极管的位置相对应。
6、进一步优选的，所述导光柱的下表面贴合于所述光电池传感器的上表面，所述导光柱的上表面贴合于所述透明软胶的下表面。
7、进一步优选的，所述透明软胶包覆于两个所述发光二极管的外部。
8、进一步优选的，所述第一金属电极的一侧安装有引脚组件，所述引脚组件包括第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚、第六引脚和塑料封装外壳；
9、所述第四引脚、第五引脚和第六引脚均固定连接于所述第一金属电极的一侧并与所述塑料封装外壳固定连接。
10、进一步优选的，所述第一引脚、第二引脚和第三引脚均固定连接于所述第二金属电极的一侧并与所述塑料封装外壳固定连接。
11、进一步优选的，所述塑料封装外壳封装于所述主体组件的外部。
12、本实用新型实施例由于采用以上技术方案，其具有以下优点：本实用新型通过第一引脚、第二引脚和第三引脚的配合分别控制两个发光二极管，可以使两个发光二极管交错进行发光和关闭，以实现更高频的开关切换，使用碳化硅mos管能承受更高的工作温度，进而降低泄漏电流，使泄露电流低于10na，通过在光电池传感器上设置两个接收窗口，可以实现对光信号的接收，进而对外部负载进行控制，通过利用碳化硅mos管的特性，可以提高光耦继电器的最大负载电压达到2000vdc，以满足实际生产中的使用需求。
13、上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本实用新型进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
1.一种大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器，包括主体组件(101)，其特征在于：所述主体组件(101)包括第一金属电极(11)、第二金属电极(12)、导光柱(13)、光电池传感器(14)、两个碳化硅mos管(15)、透明软胶(16)、两个发光二极管(17)和两个接收窗口(18)；
2.根据权利要求1所述的一种大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器，其特征在于：所述发光二极管(17)的电性输入端与所述第一金属电极(11)电性输出端电性连接，所述光电池传感器(14)的电性输入端与所述第二金属电极(12)的电性输出端电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器，其特征在于：两个所述接收窗口(18)的位置与两个所述发光二极管(17)的位置相对应。
4.根据权利要求1所述的一种大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器，其特征在于：所述导光柱(13)的下表面贴合于所述光电池传感器(14)的上表面，所述导光柱(13)的上表面贴合于所述透明软胶(16)的下表面。
5.根据权利要求4所述的一种大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器，其特征在于：所述透明软胶(16)包覆于两个所述发光二极管(17)的外部。
6.根据权利要求2所述的一种大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器，其特征在于：所述第一金属电极(11)的一侧安装有引脚组件(301)，所述引脚组件(301)包括第一引脚(31)、第二引脚(32)、第三引脚(33)、第四引脚(34)、第五引脚(35)、第六引脚(36)和塑料封装外壳(37)；
7.根据权利要求6所述的一种大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器，其特征在于：所述第一引脚(31)、第二引脚(32)和第三引脚(33)均固定连接于所述第二金属电极(12)的一侧并与所述塑料封装外壳(37)固定连接。
8.根据权利要求7所述的一种大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器，其特征在于：所述塑料封装外壳(37)封装于所述主体组件(101)的外部。
