本技术涉及芯片制作设备，特别涉及一种晶圆载盘。
背景技术：
1、高压led芯片深刻蚀工序是指通过i cp刻蚀gan至pss层，做出隔离沟道，将芯粒分成多个晶胞。后续制作电极覆盖在沟道处实现串联各个晶胞制成高压led芯片的一道工序。
2、一般的，在wafer(晶圆)表面匀涂一层光刻胶，通过曝光、显影、坚膜在wafer表面形成光阻图形；后将wafer放置在对应的载盘上，将载盘放入i cp机台进行刻蚀作业；然而icp刻蚀过程中因为离子轰击会产生大量热量，作为掩膜层的光刻胶受热会形变，为了降温，载盘底部通入氦气，通过载盘孔洞与wafer接触。如图1所示，在wafer、密封圈、载盘三者合围的密闭空间内进行热交换导走热量。但是wafer直径大于密封圈，密封圈接触之外的外围区域与氦气无接触，导致外围区域热量过高，光刻胶出现形变影响刻蚀形貌。
技术实现思路
1、有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种晶圆载盘，旨在解决现有技术中的晶圆在进行刻蚀时由于外围区域热量高光刻胶出现形变影响刻蚀形貌的问题。
2、本实用新型提出的晶圆载盘包括：
3、底座、分布设置于所述底座上多个承载板，所述承载板用于承载晶圆，所述承载板的一端的边缘设有环形热交换通道，所述环形热交换通道上设置环形密封垫圈，当所述晶圆置于所述承载板上时，所述环形热交换通道的开口正对所述晶圆的边缘。
4、上述晶圆载盘，通过在承载板的一端的边缘设置环形热交换通道，并且设置环形密封垫圈，使得环形热交换通道的开口正对晶圆的边缘，使密封圈下区域有可以进行热交换的气体流通进行热交换，从而使晶圆边缘区域得到冷却，边缘光刻胶不会因温度过高出现形变，避免了晶圆在进行刻蚀时由于外围区域热量高影响刻蚀形貌。解决了现有技术中的晶圆在进行刻蚀时由于外围区域热量高光刻胶出现形变影响刻蚀形貌的问题。
5、另外，根据本实用新型提出的晶圆载盘，至少还具有如下附加技术特征：
6、进一步的，上述晶圆载盘，其中，所述承载板的外边缘向外延伸出承载台阶，所述承载台阶用于承载晶圆，且所述环形热交换通道贯穿所述承载台阶连通至所述晶圆。
7、进一步的，上述晶圆载盘，其中，所述承载板包括承载部以及由所述承载部向外延伸出的连接部，所述承载台阶设于所述承载部上。
8、进一步的，上述晶圆载盘，其中，所述晶圆载盘还包括与所述承载板相扣合的盖板，所述盖板的末端抵靠至所述连接部上。
9、进一步的，上述晶圆载盘，其中，所述承载板的中部设有多个热交换孔，多个所述热交换孔沿所述承载板均匀分布。
10、进一步的，上述晶圆载盘，其中，所述承载台阶将所述晶圆与所述承载板进行隔离形成隔离区域，多个所述热交换孔与所述隔离区域连通。
11、进一步的，上述晶圆载盘，其中，所述环形密封垫圈嵌设于所述承载台阶上。
12、进一步的，上述晶圆载盘，其中，所述密封垫圈采用导热硅胶、人工硅胶或者硅橡胶内嵌金属材质制成。
13、进一步的，上述晶圆载盘，其中，所述底座与所述盖板通过螺钉固定连接。
14、进一步的，上述晶圆载盘，其中，多个所述承载板沿所述底座均匀分布。
1.一种晶圆载盘，其特征在于，包括底座、分布设置于所述底座上多个承载板，所述承载板用于承载晶圆，所述承载板的一端的边缘设有环形热交换通道，所述环形热交换通道上设置环形密封垫圈，当所述晶圆置于所述承载板上时，所述环形热交换通道的开口正对所述晶圆的边缘。
2.根据权利要求1所述的晶圆载盘，其特征在于，所述承载板的外边缘向外延伸出承载台阶，所述承载台阶用于承载晶圆，且所述环形热交换通道贯穿所述承载台阶连通至所述晶圆。
3.根据权利要求2所述的晶圆载盘，其特征在于，所述承载板包括承载部以及由所述承载部向外延伸出的连接部，所述承载台阶设于所述承载部上。
4.根据权利要求3所述的晶圆载盘，其特征在于，所述晶圆载盘还包括与所述承载板相扣合的盖板，所述盖板的末端抵靠至所述连接部上。
5.根据权利要求2所述的晶圆载盘，其特征在于，所述承载板的中部设有多个热交换孔，多个所述热交换孔沿所述承载板均匀分布。
6.根据权利要求5所述的晶圆载盘，其特征在于，所述承载台阶将所述晶圆与所述承载板进行隔离形成隔离区域，多个所述热交换孔与所述隔离区域连通。
7.根据权利要求2所述的晶圆载盘，其特征在于，所述环形密封垫圈嵌设于所述承载台阶上。
8.根据权利要求7所述的晶圆载盘，其特征在于，所述密封垫圈采用导热硅胶、人工硅胶或者硅橡胶内嵌金属材质制成。
9.根据权利要求4所述的晶圆载盘，其特征在于，所述底座与所述盖板通过螺钉固定连接。
10.根据权利要求1所述的晶圆载盘，其特征在于，多个所述承载板沿所述底座均匀分布。
