一种MIPLED发光单元及基板的制作方法

专利2025-02-10  35


本技术涉及led器件,具体涉及一种mipled发光单元及基板。


背景技术:

1、随着led芯片尺寸进一步缩小,市场对与小间距(像素间距<0.4 mm)led显示产品抱有极大的期待。

2、然而小间距led显示需要有能短时间内转移大量led芯片到基体上的技术(巨量转移技术)才能实现。基于目前巨量转移技术的困境,mip led 芯片技术应运而生,mip是一种芯片级的封装技术,具体制程是:在外延片上将micro led芯片巨量转移到载板上,然后直接封装,切割后再进行检测和混光,这一过程可以直接剔除不良灯珠,后续无需返修,由于mip通过多合一的方式封装在一起,这样就可将转移效率提升多倍,且由于是先将多个放在一个上面然后再进行封面,从而无需对单个小的led芯片封装在大的基板上,从而精度要求也随之减低。

3、同时由于mip led器件是放置在一个基板上,目前经常使用的led芯片为倒装芯片,其为多个面都能发光,但由于底面贴近基板,从而导致该面的光线损失。


技术实现思路

1、本实用新型提供一种mipled发光单元及基板,能够利用led芯片的多面发光性,使得芯片的底面发光的光也能够引导至表面,从而提高发光亮度。

2、为达到上述目的,本实用新型的技术方案是:一种mipled发光单元,包括基板,在基板的上方设有透明外壳,在透明外壳内的基板设有一个以上的led芯片;在基板上开设有凹槽,所述led芯片的焊盘位于凹槽两侧的基板上;所述凹槽位于led芯片的下方,在凹槽内设有反射层。

3、上述的结构,通过在led芯片的底部设置凹槽,且在凹槽内设置反射层,从而使得led芯片底部焊盘之间的发光区域发出的光能够被反射层反射回基板的表面,从而即可提高mipled发光单元的发光亮度。

4、进一步的,所述反射层包括一个以上的向上凸起的菱形反光件,由此设置,通过菱形反光件的设置,使得led芯片底部发出的光能够被反射会表面。

5、进一步的,所述菱形反光件为菱形反光玻璃,所述菱形反光件的壁面自菱形反光件的底端向上向内倾斜延伸至菱形反光件顶端的中心设置,由此设置,通过倾斜设置的壁面,从而便于将光线向上反射。

6、进一步的,所述led芯片包括两个以上不同发光颜色的led芯片。

7、以上设置,方便进行混光。

8、进一步的,所述菱形反光件沿着凹槽的长度方向设置。

9、以上设置,能使得led芯片从底面或侧面发出光在菱形反光件的反射下出射,增大发光效率。

10、进一步的,相邻两个led芯片之间设置一菱形反光件。

11、以上设置,使得led芯片发出的光能从菱形反光件的两个侧面进行反射。

12、进一步的,封装层为荧光胶层。

13、以上设置,通过荧光胶层设置,能实现多个蓝光芯片激发荧光胶层之后形成白光。

14、进一步的,封装层为透明盖板。

15、以上设置,方便对多色led芯片进行保护的同时增加出光效果。

16、进一步的,led芯片为倒装芯片。

17、以上设置,方便将led芯片固定在基板上。

18、本实用新型还提供一种mipled基板,包括基板,在所述基板上开设有凹槽,在凹槽顶端两侧的基板上设置有用于连接led芯片的焊盘;在凹槽内设有反射层。

19、以上设置,通过在基板上设置凹槽,且在凹槽内设置反射层,从而使得led芯片底部焊盘之间的发光区域发出的光能够被反射层反射回基板的表面,从而即可提高led发光单元的发光亮度。

20、进一步的,所述反射层包括一个以上的向上凸起的菱形反光件;所述菱形反光件沿着凹槽的长度方向设置;相邻两个led芯片之间设置一菱形反光件。

21、以上设置,通过菱形反光件的设置,使得led芯片底部发出的光能够被反射会表面。

22、进一步的,所述菱形反光件为菱形反光玻璃,所述菱形反光件的壁面自菱形反光件的底端向上向内倾斜延伸至菱形反光件顶端的中心设置,通过倾斜设置的壁面,从而便于将光线向上反射。



技术特征:

1.一种mipled发光单元,包括基板,其特征在于:在基板的上方设有封装层,在封装层内的基板设有一个以上的led芯片;在基板上开设有凹槽,所述led芯片的焊盘位于凹槽两侧的基板上;所述凹槽位于led芯片的下方,在凹槽内设有反射层。

2.根据权利要求1所述的一种mipled发光单元,其特征在于:所述反射层包括一个以上的向上凸起的菱形反光件;所述菱形反光件沿着凹槽的长度方向设置。

3.根据权利要求2所述的一种mipled发光单元,其特征在于:所述菱形反光件为菱形反光玻璃,所述菱形反光件的壁面自菱形反光件的底端向上向内倾斜延伸至菱形反光件顶端的中心设置。

4.根据权利要求1所述的一种mipled发光单元,其特征在于:led芯片为倒装芯片;所述led芯片包括两个以上不同发光颜色的led芯片。

5.根据权利要求2所述的一种mipled发光单元,其特征在于:相邻两个led芯片之间设置一菱形反光件。

6.根据权利要求1所述的一种mipled发光单元,其特征在于:封装层为荧光胶层。

7.根据权利要求1所述的一种mipled发光单元,其特征在于:封装层为透明盖板。

8.一种mipled基板,其特征在于:包括基板,在所述基板上开设有凹槽,在凹槽顶端两侧的基板上设置有用于连接led芯片的焊盘,所述凹槽位于led芯片的下方;在凹槽内设有反射层。

9.根据权利要求8所述的一种mipled基板,其特征在于:所述反射层包括一个以上的向上凸起的菱形反光件;所述菱形反光件沿着凹槽的长度方向设置;相邻两个led芯片之间设置一菱形反光件。

10.根据权利要求9所述的一种mipled基板,其特征在于:所述菱形反光件为菱形反光玻璃,所述菱形反光件的壁面自菱形反光件的底端向上向内倾斜延伸至菱形反光件顶端的中心设置。


技术总结
本技术提供一种MIPLED发光单元,包括基板,在基板的上方设有封装层,在封装层内的基板设有一个以上的LED芯片;在基板上开设有凹槽,所述LED芯片的焊盘位于凹槽两侧的基板上;所述凹槽位于LED芯片的下方,在凹槽内设有反射层;上述的结构,通过在MIPLED芯片的底部设置凹槽,且在凹槽内设置反射层,从而使得MIPLED芯片底部焊盘之间的发光区域发出的光能够被反射层反射回基板的表面,从而即可提高MIPLED发光单元的发光亮度。

技术研发人员:满乾才,马飞飞,桑建,陈永铭
受保护的技术使用者:广州市鸿利显示电子有限公司
技术研发日:20231109
技术公布日:2024/6/26
转载请注明原文地址:https://doc.8miu.com/read-1816029.html

最新回复(0)