本申请涉及集成led照明，尤其是涉及一种高显色指数的窄带rgby光源模组及照明装置。
背景技术：
1、根据cri指数的计算原理，半波宽较窄的彩光混合出的白光显色指数通常较低，这导致长期以来，彩光灯具不能同时拥有高色域与高显色指数的能力。为提升rgb混白光的光效和显色指数，通常做法是增加至少两组白光进行混光。然而，该方案存在多个缺点，包括复杂的混光过程、成本高昂、空间限制和中间色温的色容差无法满足ansi或iec标准等问题。
技术实现思路
1、为达到上述目的，本申请采用下述技术方案：
2、在本申请的第一个方面提供了一种高显色指数的窄带rgby光源模组，包括：蓝光发光元件、绿光发光元件、红光发光元件和黄光发光元件；蓝光发光元件发出的蓝光的峰值波长为400～480nm，半波宽为5～50nm，在cie1931色空间内的色点分布为x：0.1483±0.100、y：0.036±0.100；绿光发光元件发出的绿光的峰值波长为500～550nm，半波宽为5～50nm，在cie 1931色空间内的色点分布为x：0.1300±0.150、y：0.6600±0.150；红光发光元件发出的红光的峰值波长为600～700nm，半波宽为5～50nm，在cie1931色空间内的色点分布为x：0.6900±0.100、y：0.5000±0.100；黄光发光元件发出的黄光的峰值波长为510～600nm，半波宽为5～50nm，在cie1931色空间内的色点分布为x：0.4800±0.100、y：0.5000±0.100。
3、造成彩光灯具混光显色指数较低的原因，是红光与绿光之间缺少了黄光光谱，导致了光谱缺失，本申请通过在rgb组合中添加合适的窄带黄光光谱，以达到四路混光的高显色指数。
4、具体的，蓝光发光元件包括：380～480nm的蓝光led芯片、380～480nm的紫光led芯片、由光能或电能激发的发射蓝光的量子点材料和由光能或电能激发的发射蓝光的常规色转换材料。
5、具体的，绿光发光元件包括：500～550nm的绿光led芯片、由光能或电能激发的发射绿光的量子点材料和由光能或电能激发的发射绿光的常规色转换材料。
6、具体的，红光发光元件包括：600～700nm的红光led芯片、由光能或电能激发的发射红光的量子点材料和由光能或电能激发的发射红光的常规色转换材料。
7、具体的，黄光发光元件包括：由光能或电能激发的发射黄光或绿光的量子点材料和由光能或电能激发的发射黄光或绿光的常规色转换材料。
8、具体的，红光led芯片包括：衬底和芯片；衬底选自单晶硅、碳化硅、蓝宝石、氮化镓、砷化镓、氮化铝、氧化锌中至少一种；芯片选自砷化镓、磷化镓、磷砷化镓、镓铝砷中至少一种。
9、具体的，绿光led芯片包括：衬底和芯片；衬底选自单晶硅、碳化硅、蓝宝石、氮化镓、砷化镓、氮化铝、氧化锌中至少一种；芯片选自氮化镓、磷化镓中至少一种。
10、具体的，蓝光led芯片包括：衬底和芯片；衬底选自单晶硅、碳化硅、蓝宝石、氮化镓、砷化镓、氮化铝、氧化锌中至少一种；芯片选自氮化镓、铟镓氮中至少一种。
11、具体的，黄光发光元件包括：衬底和芯片；衬底选自单晶硅、碳化硅、蓝宝石、氮化镓、砷化镓、氮化铝、氧化锌中至少一种；芯片选自氮化镓、磷化镓、镓铝砷、铝镓铟磷中至少一种。
12、具体的，发射蓝光的材料选自硫代镓盐、金属卤磷酸、硅酸盐、钨酸盐中至少一种。
13、具体的，发射绿光的材料选自钇铝石榴石体系、硫代镓盐、硫化物、铝酸盐、金属卤磷酸盐、硅酸盐、氮化物、氮氧化物中至少一种。
14、具体的，发射红光的材料选自硫化物、氟砷酸镁、氮化物、氮氧化物中至少一种。
15、具体的，发射黄光的材料选自钇铝石榴石体系、铝酸盐、硅酸盐、氮化物、氮氧化物中至少一种。
16、在本申请的第二个方面提供了一种照明装置，包括前述高显色指数的窄带rgby光源模组。
17、本申请的有益效果如下：
18、利用特殊的rgby四路窄带光谱同时混光以达到高显指白光，同时白光质量的同时保持高色域能力；以同时满足氛围照明和日常白光照明的需求，这种技术可以有效降低产品成本，并提高彩光灯具混光产品的使用价值。
1.一种高显色指数的窄带rgby光源模组，其特征在于，包括：蓝光发光元件、绿光发光元件、红光发光元件和黄光发光元件；所述蓝光发光元件发出的蓝光的峰值波长为400～480nm，半波宽为5～50nm，在cie1931色空间内的色点分布为x：0.1483±0.100、y：0.036±0.100；所述绿光发光元件发出的绿光的峰值波长为500～550nm，半波宽为5～50nm，在cie1931色空间内的色点分布为x：0.1300±0.150、y：0.6600±0.150；所述红光发光元件发出的红光的峰值波长为600～700nm，半波宽为5～50nm，在cie1931色空间内的色点分布为x：0.6900±0.100、y：0.5000±0.100；所述黄光发光元件发出的黄光的峰值波长为510～600nm，半波宽为5～50nm，在cie 1931色空间内的色点分布为x：0.4800±0.100、y：0.5000±0.100。
2.根据权利要求1所述的一种高显色指数的窄带rgby光源模组，其特征在于，所述蓝光发光元件包括：380～480nm的蓝光led芯片、380～480nm的紫光led芯片、由光能或电能激发的发射蓝光的量子点材料和由光能或电能激发的发射蓝光的常规色转换材料。
3.根据权利要求1所述的一种高显色指数的窄带rgby光源模组，其特征在于，所述绿光发光元件包括：500～550nm的绿光led芯片、由光能或电能激发的发射绿光的量子点材料和由光能或电能激发的发射绿光的常规色转换材料。
4.根据权利要求1所述的一种高显色指数的窄带rgby光源模组，其特征在于，所述红光发光元件包括：600～700nm的红光led芯片、由光能或电能激发的发射红光的量子点材料和由光能或电能激发的发射红光的常规色转换材料。
5.根据权利要求1所述的一种高显色指数的窄带rgby光源模组，其特征在于，所述黄光发光元件包括：由光能或电能激发的发射黄光或绿光的量子点材料和由光能或电能激发的发射黄光或绿光的常规色转换材料。
6.根据权利要求4所述的一种高显色指数的窄带rgby光源模组，其特征在于，所述红光led芯片包括：衬底和芯片；所述衬底选自单晶硅、碳化硅、蓝宝石、氮化镓、砷化镓、氮化铝、氧化锌中至少一种；所述芯片选自砷化镓、磷化镓、磷砷化镓、镓铝砷中至少一种。
7.根据权利要求3所述的一种高显色指数的窄带rgby光源模组，其特征在于，所述绿光led芯片包括：衬底和芯片；所述衬底选自单晶硅、碳化硅、蓝宝石、氮化镓、砷化镓、氮化铝、氧化锌中至少一种；所述芯片选自氮化镓、磷化镓中至少一种。
8.根据权利要求2所述的一种高显色指数的窄带rgby光源模组，其特征在于，所述蓝光led芯片包括：衬底和芯片；所述衬底选自单晶硅、碳化硅、蓝宝石、氮化镓、砷化镓、氮化铝、氧化锌中至少一种；所述芯片选自氮化镓、铟镓氮中至少一种。
9.根据权利要求5所述的一种高显色指数的窄带rgby光源模组，其特征在于，所述黄光发光元件包括：衬底和芯片；所述衬底选自单晶硅、碳化硅、蓝宝石、氮化镓、砷化镓、氮化铝、氧化锌中至少一种；所述芯片选自氮化镓、磷化镓、镓铝砷、铝镓铟磷中至少一种。
10.根据权利要求2所述的一种高显色指数的窄带rgby光源模组，其特征在于，发射蓝光的材料选自硫代镓盐、金属卤磷酸、硅酸盐、钨酸盐中至少一种。
11.根据权利要求3所述的一种高显色指数的窄带rgby光源模组，其特征在于，发射绿光的材料选自钇铝石榴石体系、硫代镓盐、硫化物、铝酸盐、金属卤磷酸盐、硅酸盐、氮化物、氮氧化物中至少一种。
12.根据权利要求4所述的一种高显色指数的窄带rgby光源模组，其特征在于，发射红光的材料选自硫化物、氟砷酸镁、氮化物、氮氧化物中至少一种。
13.根据权利要求5所述的一种高显色指数的窄带rgby光源模组，其特征在于，发射黄光的材料选自钇铝石榴石体系、铝酸盐、硅酸盐、氮化物、氮氧化物中至少一种。
14.一种照明装置，其中特征在于：包括权利要求1至13任一项所述的高显色指数的窄带rgby光源模组。
