本发明属于电子封装，具体涉及一种结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法及封装器件。
背景技术：
1、htcc(高温共烧陶瓷基板)采用多层共烧基板的形式进行堆叠和布线，由于丝网印刷工艺制备的线条/线宽难以进一步缩小，目前常采用htcc结合薄膜光刻的方式降低表层线宽和线距，提高其表面布线密度。如图1所示，htcc基板下层采用高温共烧陶瓷，上层利用薄膜光刻工艺实现多层pi胶膜制备。
2、虽然htcc基板结合多层pi介质薄膜工艺能够提高布线密度和布线精度，但是该技术有以下四个缺点：
3、第一，htcc基板上层采用了薄膜光刻技术，该技术对基板的平面度和粗糙度有较高的要求，需要对htcc基板进行cmp化学机械抛光。
4、第二，pi胶膜的单层厚度较薄(通常低于10微米)，其绝缘性能较差。
5、第三，pi胶膜的层数较少(通常低于5层)，其布线容易受限。
6、第四，pi胶膜容易吸湿，会影响基板的可靠性。
技术实现思路
1、本发明实施例提供一种结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法及封装器件，旨在解决目前基于pi胶膜的htcc基板，对htcc基板的平面度和粗糙度要求高，以及pi胶膜单层薄膜较薄、绝缘性差、层数布线受限、容易吸湿而影响htcc基板可靠性的问题。
2、第一方面，为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法，其特征在于，包括：
3、步骤一，在htcc基板的表面压合有机胶膜增层，并进行固化；
4、步骤二，在固化的所述有机胶膜增层表面上加工盲孔；
5、步骤三，在所述有机胶膜增层表面、所述盲孔的底部及孔壁均匀沉积金属种子层；
6、步骤四，在所述有机胶膜增层表面贴合感光干膜，并经过曝光、显影实现所述感光干膜的图形化，露出需要电镀的图形；
7、步骤五，对需要电镀的图形上电镀填充铜层，构成金属化图形，所述铜层同时覆盖所述盲孔的底部和孔壁；
8、步骤六，去除表面的所述感光干膜，刻蚀掉沉积的所述金属种子层；
9、步骤七，棕化处理所述金属化图形表面；
10、步骤八，重复步骤一至步骤七，制作多层有机胶膜增层，实现有机胶膜增层增层htcc基板的制备。
11、第一方面，在一种可实现的方式中，所述步骤一中，所述有机胶膜增层的厚度＞30微米。
12、第一方面，在一种可实现的方式中，所述步骤一中，所述有机胶膜增层的固化温度为200℃±20℃。
13、第一方面，在一种可实现的方式中，所述步骤一中，利用真空压膜机将有机胶膜增层压合在htcc基板的表面。
14、第一方面，在一种可实现的方式中，所述步骤二中，利用激光钻孔设备在所述有机胶膜增层上加工盲孔。
15、第一方面，在一种可实现的方式中，所述步骤三中，利用磁控溅射先沉积铜层，再沉积钛层，形成所述金属种子层；所述步骤六中，利用湿法刻蚀工艺蚀刻掉沉积的所述金属种子层，先进行cu刻蚀液，后进行ti刻蚀液，最后清洗htcc基板。
16、第一方面，在一种可实现的方式中，所述步骤七中，棕化处理所述金属化图形表面，包括：碱性清洗、棕化预浸、棕化药水处理和清洗。
17、第一方面，在一种可实现的方式中，在所述步骤一之前，利用高温共烧陶瓷技术制备htcc基板，并对所述htcc基板进行清洁。
18、第一方面，在一种可实现的方式中，在所述步骤八之后，在所述htcc基板的背面焊盘及正面焊盘的周围设置有机胶膜增层阻焊层。
19、第二方面，本发明提供一种封装器件，包括所述的方法制作的有机胶膜增层增层htcc基板。
20、本发明提供的结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法，与现有技术相比，有益效果在于：第一，本发明基于有机胶膜增层材料特性、压膜固化成型及干膜图形化的制备方式，制备结合有机胶膜增层增层的htcc基板，由于有机胶膜增层呈现软膜状态，具有较好的流动性，对htcc基板的表面粗糙度要求较低，相对于原来pi胶膜制备技术，减少了cmp(化学机械抛光)过程，使得整体工艺得到简化；第二，由于htcc基板的粗糙度较高，使得有机胶膜增层与htcc基板的结合力更牢固；同时，由于压膜成型及良好的流动性特点，有机胶膜增层不仅可以填补htcc基板表面的缺陷位置，还能够保证有机胶膜增层整体的平整度；第三，有机胶膜增层厚度较厚(30微米以上)、具有较低的吸湿率、与金属有较高的粘附力并且可实现较多层数(叠加10层以上)的制备，不仅材料属性相对pi胶膜具备一定的优越性，整体基板的可靠性也会进一步提高，在多层金属化制备和基板可靠性上的表现更为优异。
21、因此利用本发明提供的结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法制作封装器件，具有制作工艺简化、绝缘性较好、可多层布线及可靠性好的特点。
1.一种结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法，其特征在于，所述步骤一中，所述有机胶膜增层(2)的厚度＞30微米。
3.如权利要求1所述的结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法，其特征在于，所述步骤一中，所述有机胶膜增层(2)的固化温度为200℃±20℃。
4.如权利要求1所述的结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法，其特征在于，所述步骤一中，利用真空压膜机将有机胶膜增层(2)压合在htcc基板(1)的表面。
5.如权利要求1所述的结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法，其特征在于，所述步骤二中，利用激光钻孔设备在所述有机胶膜增层(2)上加工盲孔(3)。
6.如权利要求1所述的结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法，其特征在于，所述步骤三中，利用磁控溅射先沉积铜层(6)，再沉积钛层，形成所述金属种子层(4)；所述步骤六中，利用湿法刻蚀工艺蚀刻掉沉积的所述金属种子层(4)，先进行cu刻蚀液，后进行ti刻蚀液，最后清洗htcc基板(1)。
7.如权利要求1所述的结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法，其特征在于，所述步骤七中，棕化处理所述金属化图形表面，包括：碱性清洗、棕化预浸、棕化药水处理和清洗。
8.如权利要求1所述的结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法，其特征在于，在所述步骤一之前，利用高温共烧陶瓷技术制备htcc基板(1)，并对所述htcc基板进行清洁。
9.如权利要求1所述的结合有机胶膜增层的htcc基板的制作方法，其特征在于，在所述步骤八之后，在所述htcc基板(1)的背面焊盘及正面焊盘的周围设置有机胶膜增层阻焊层。
10.一种封装器件，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的方法制作的有机胶膜增层htcc基板。
