本发明涉及掩膜版，更具体地说，本发明涉及掩膜版用invar原材的表面控制方法。
背景技术：
1、光刻掩膜版简称掩膜版，是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。
2、光刻工艺是制作半导体器件和集成电路微图形结构的关键性工艺，因此光刻工艺质量直接影响着半导体器件成品率、可靠性、器件性能以及使用寿命等参数指标的稳定和提高。
3、掩膜版是用来将芯片设计的图形定义至晶圆上的装置，掩膜版的质量的好坏直接影响晶圆质量，甚至是最后半导体器件成品的良率。随着微电子加工工艺技术的不断发展，掩模版图形越来越复杂，图形面积越做越大，线条要求越来越细，掩模版性能和精度要求越来越高。
4、金属掩膜版成品检验时，需对掩膜版进行光学检测，判断开孔尺寸及外观是否合格，由于原材表面存在较多的轧制流线、划伤、黑点、脏污等缺陷，造成检出缺陷爆量，导致产品报废，故需要对生产掩膜版的invar原材表面进行控制。
5、为了解决上述问题，现提供一种技术方案。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的上述缺陷，本发明的实施例提供，通过控制轧制invar原材表面粗糙度＜0.1um并配合进一步化学刻蚀工艺，可以有效减少原材表面缺陷，同时通过控制轧程总变形量和初轧道次变形量，可以有效改善表面光泽度，以解决上述背景技术中提出的问题。
2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
3、掩膜版用invar原材的表面控制方法，包括如下步骤：
4、步骤s1：对invar原材进行称重，在invar原材表面涂上光刻胶后进行曝光显影后形成光刻图案；
5、步骤s2：轧制invar原材表面粗糙度；
6、步骤s3：控制invar原材成品轧程变形量；
7、步骤s4：将含有光刻图案的invar原材加入到蚀刻液进行蚀刻处理，对invar原材进行减薄处理；
8、步骤s5：调节相应的蚀刻速率。
9、在一个优选的实施方式中，在步骤s1中，光刻胶的厚度设置为7-9um，曝光时间设置为40-60s，曝光完成后将invar原材浸入到纯水中进行显影操作，纯水的温度设置为15-30℃，浸入的时间设置为4-8min；
10、光刻胶涂在invar原材表面后，需要对光刻涂胶进行烘干处理，烘干步骤为：
11、步骤s11，在温度为30-45℃的环境下烘干8-10min；
12、步骤s12，在温度为50-65℃的环境下烘干14-18min；
13、步骤s13，在温度为70-85℃的环境下烘干16-20min；
14、步骤s14，在温度为90-115℃的环境下烘干10-14min；
15、步骤s15，在温度为110-135℃的环境下烘干20-28min；
16、步骤s16，将烘干后的invar原材冷却到20-30℃后，对invar原材进行曝光处理。
17、在一个优选的实施方式中，在步骤s2中，在对invar原材进行轧制时，控制轧制invar原材表面粗糙度＜0.1um。
18、在一个优选的实施方式中，在步骤s3中，invar原材成品轧程总变形量≥75％，初轧道次变形量≥30％，且不少于5个道次。
19、在一个优选的实施方式中，在步骤s3中，nvar原材成品轧程工作选用的工作辊在前面道次使用粗糙度ra为0.3-0.5um，成品道次使用ra＜0.1um的工作辊，且变形量≥10％。
20、在一个优选的实施方式中，在步骤s4中，蚀刻液是由fecl3和hcl配制而成，invar原材减薄的厚度≥3um。
21、在一个优选的实施方式中，在步骤s5中，调节相应的蚀刻速率具体包括以下步骤：
22、步骤s51，记录形成光刻图案的面积大小，标记为s；
23、步骤s52，记录将含有光刻图案的invar原材加入到蚀刻液进行蚀刻的蚀刻时间，标记为t；
24、步骤s53，将经过蚀刻处理后的invar原材进行脱胶处理，称取invar原材的重量，将其与invar原材在蚀刻前进行称重的重量进行对比，得到蚀刻量，标记为f；
25、步骤s54，将蚀刻速率标记为v；
26、步骤s55，蚀刻速率的表达式为v＝f/(s*t)；
27、步骤s56，在需要调节蚀刻速率时，通过改变光刻图案的面积大小s、蚀刻时间t和蚀刻量f。
28、在一个优选的实施方式中，在步骤s5中，蚀刻完成后得到掩膜版，并将掩膜版取出进行清洗操作，清洗完成后对掩膜版进行干燥处理，接着对掩膜版进行检测。
29、本发明掩膜版用invar原材的表面控制方法的技术效果和优点：
30、1、本发明通过控制轧制invar原材表面粗糙度＜0.1um，及进一步化学刻蚀工艺，达到减少原材表面缺陷的目的；
31、2、本发明在invar原材成品轧程时，为保证强度，轧程总变形量≥75％，初轧道次变形量≥30％，且不少于5个道次，为保证变形量能够达成，工作辊在前面道次使用粗糙度ra设置为0.3-0.5um，成品道次使用ra＜0.1μm的工作辊，且变形量≥10％，用以改善表面光泽度；
32、3、本发明单纯控制轧制只能改善原材表面的轧制流线，无法解决后工序的划伤、脏污和黑点等缺陷，故对原材进行进一步的化学刻蚀工艺，通过fecl3+hcl药液对原材进行≥3μm的减薄；
33、4、本发明为使原材表面形貌趋于一致，又保持一定的干膜附着力，需要调节相应的蚀刻速率，以控制刻蚀后的表面粗糙度及光泽度。
1.掩膜版用invar原材的表面控制方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的掩膜版用invar原材的表面控制方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的掩膜版用invar原材的表面控制方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的掩膜版用invar原材的表面控制方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的掩膜版用invar原材的表面控制方法，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的掩膜版用invar原材的表面控制方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的掩膜版用invar原材的表面控制方法，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的掩膜版用invar原材的表面控制方法，其特征在于：
