一种神经电刺激组件

专利2025-05-18  8


本发明属于医疗,具体涉及一种神经电刺激组件。


背景技术:

1、迷走神经刺激术(vagus nerve stimulation, vns)是将电极绑在迷走神经上,由安放在胸前部皮下的脉冲发生器通过绑在神经上的电极来刺激迷走神经,通过迷走神经,电刺激到达脑内的各个部位。临床上迷走神经刺激术已用于治疗不宜手术切除病灶的难治性癫痫。

2、手术时取颈前胸锁乳突肌内侧直切口并暴露其深部的颈动脉鞘,解剖并游离迷走神经,然后将电极置于迷走神经处,通过导线引出,并连接脉冲发生器,在上述过程中,需在患者的颈部进行全麻开放手术,会留下较大的手术切口,不利于患者快速康复。


技术实现思路

1、有鉴于此,本发明提供了一种神经电刺激组件,通过穿刺针的方式将电片植入到迷走神经处,无需再行开放手术解剖游离迷走神经,降低了患者的创伤,避免全麻手术以及较大的手术切口,便于快速后期康复,并给无法承受全麻手术的患者提供迷走神经电刺激治疗的机会。

2、本发明所采用的技术方案为:

3、一种神经电刺激组件,用于刺激迷走神经,包括穿刺针、电片、导线和顶杆,所述穿刺针内形成穿插通道,所述穿刺针内设有止挡结构,所述止挡结构包括第一止挡块和第二止挡块,在所述穿刺针的径向上,所述第一止挡块与所述第二止挡块相对间隔设置,所述第一止挡块与所述第二止挡块之间留有间隔,在所述穿刺针的轴向上,所述止挡结构将所述穿插通道分为第一通道和第二通道,其中,所述第一通道位于所述第二通道的远端侧,所述第一通道的长度小于所述电片的长度;

4、所述导线的远端连接于所述电片的近端,所述电片为板状,所述电片的厚度小于所述间隔的宽度,以使得所述电片能够穿过所述间隔,所述电片相对所述穿刺针具有第一状态和第二状态;

5、在所述第一状态,所述电片插接于所述间隔,且所述电片的远端位于所述第一通道内,所述导线经所述第二通道并穿出所述第二通道的近端;

6、在所述第二状态,所述电片位于所述止挡结构的远端侧,且所述电片的近端与所述止挡结构相抵,所述导线经所述间隔和所述第二通道,并穿出所述第二通道的近端;

7、所述第一止挡块上设有过道,所述第一通道和所述第二通道通过所述过道连通,所述顶杆插接于所述过道,在所述第二状态,所述顶杆的远端与所述电片的近端相抵,所述顶杆的近端伸出所述第二通道的近端。

8、优选地,所述电片的近端设有插孔,在所述第二状态,所述顶杆的远端与所述插孔插接。

9、优选地,所述过道为弧状,且所述过道的圆心点位于所述穿刺针的轴线上,在所述穿刺针的周向上,所述过道与所述间隔连通。

10、优选地,所述过道的弧度为90°。

11、优选地,所述过道包括依次连接的连接口、延伸段和封闭段,所述延伸段为弧形,所述延伸段的径向尺寸与所述顶杆的直径相配合,所述封闭段与所述顶杆的侧壁配合,所述连接口与所述间隔连通,在周向上,从所述连接口朝向所述封闭段的方向,所述连接口逐渐变小,所述连接口的最小处的尺寸与所述顶杆的直径相配合。

12、优选地,所述第一止挡块的中部朝向背离所述第二止挡块的一侧凹陷形成第一缺口,所述第二止挡块的中部朝向背离所述第一止挡块的一侧凹陷形成第二缺口,所述第一缺口与所述第二缺口相对设置,并共同构成供所述导线穿过的圆孔。

13、优选地,还包括气囊和鞘管,所述鞘管和所述气囊均套设在所述导线的外侧,所述气囊的远端与所述电片连接,所述气囊的近端与所述鞘管连接,所述鞘管与所述导线之间形成气道,所述气道连通所述气囊。

14、本发明的有益效果:

15、手术时,电片处于第一状态,通过穿刺针的针头扎入到皮肤内,穿刺针的针头插入一定深度后,电片由第一状态变化为第二状态,使得电片完全位于止挡结构的远端侧,由于电片的长度大于第一通道的长度,电片中有一部分位于第一通道之外(露出穿刺针),从而使得露出的这部分电片能够接触到穿刺针尖端处的组织,继续扎入穿刺针,由于电片的近端被止挡结构所限制,因而电片相对穿刺针的位置不变,从而使得在扎入穿刺针的过程中,能够实时通过电片刺激周围组织,通过对迷走神经效应肌肉环甲肌的肌电图监测,以方便操作人员判断穿刺针的针头以及电极是否到达迷走神经附近,在针头到达迷走神经后,通过顶杆在电片的近端顶着电片,向近端拉动穿刺针,由于顶杆的限制,电片不会跟随穿刺针向近端移动,从而使得电片完全露出,电片完全露出后,电片不再受到穿刺针的保护,组织便会夹住电片,从而使得电片的位置相对迷走神经固定,然后再撤出穿刺针和顶杆,便可实现在迷走神经处植入电片的目的。

16、利用本发明的神经电刺激组件进行迷走神经刺激术时,无需再在患者的颈部开设切口,而是通过扎入穿刺针的方式,便可将电片植入到指定位置,降低了患者的创伤,避免患者承受全麻手术和较长手术切口,便于患者后期康复。



技术特征:

1.一种神经电刺激组件,其特征在于,用于刺激迷走神经,包括穿刺针、电片、导线和顶杆,所述穿刺针内形成穿插通道,所述穿刺针内设有止挡结构,所述止挡结构包括第一止挡块和第二止挡块,在所述穿刺针的径向上,所述第一止挡块与所述第二止挡块相对间隔设置,所述第一止挡块与所述第二止挡块之间留有间隔,在所述穿刺针的轴向上,所述止挡结构将所述穿插通道分为第一通道和第二通道,其中,所述第一通道位于所述第二通道的远端侧,所述第一通道的长度小于所述电片的长度;

2.根据权利要求1所述的神经电刺激组件,其特征在于,所述电片的近端设有插孔,在所述第二状态,所述顶杆的远端与所述插孔插接。

3.根据权利要求2所述的神经电刺激组件,其特征在于,所述过道为弧状,且所述过道的圆心点位于所述穿刺针的轴线上,在所述穿刺针的周向上,所述过道与所述间隔连通。

4.根据权利要求3所述的神经电刺激组件,其特征在于,所述过道的弧度为90°。

5.根据权利要求3所述的神经电刺激组件,其特征在于,所述过道包括依次连接的连接口、延伸段和封闭段,所述延伸段为弧形,所述延伸段的径向尺寸与所述顶杆的直径相配合,所述封闭段与所述顶杆的侧壁配合,所述连接口与所述间隔连通,在周向上,从所述连接口朝向所述封闭段的方向,所述连接口逐渐变小,所述连接口的最小处的尺寸与所述顶杆的直径相配合。

6.根据权利要求1-5任一项所述的神经电刺激组件,其特征在于,所述第一止挡块的中部朝向背离所述第二止挡块的一侧凹陷形成第一缺口,所述第二止挡块的中部朝向背离所述第一止挡块的一侧凹陷形成第二缺口,所述第一缺口与所述第二缺口相对设置,并共同构成供所述导线穿过的圆孔。

7.根据权利要求1-5任一项所述的神经电刺激组件,其特征在于,还包括气囊和鞘管,所述鞘管和所述气囊均套设在所述导线的外侧,所述气囊的远端与所述电片连接,所述气囊的近端与所述鞘管连接,所述鞘管与所述导线之间形成气道,所述气道连通所述气囊。


技术总结
本发明涉及一种神经电刺激组件,包括穿刺针、电片、导线和顶杆,穿刺针内形成穿插通道,所述穿刺针内设有止挡结构,所述止挡结构包括第一止挡块和第二止挡块,在所述穿刺针的径向上,所述第一止挡块与所述第二止挡块相对间隔设置,所述第一止挡块与所述第二止挡块之间留有间隔,在所述穿刺针的轴向上,所述止挡结构将所述穿插通道分为第一通道和第二通道,其中,所述第一通道位于所述第二通道的远端侧,所述第一通道的长度小于所述电片的长度;所述导线的远端连接于所述电片的近端,所述电片为板状,所述电片的厚度小于所述间隔的宽度。通过超声引导局麻穿刺将电片植入到迷走神经处,无需开放手术,避免全麻及较大的手术切口,便于快速后期康复。

技术研发人员:王晶晶,赵国光,单永治,焦力群,张晓华,魏鹏虎,刘全磊
受保护的技术使用者:首都医科大学宣武医院
技术研发日:
技术公布日:2024/6/26
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