描述一般涉及半导体电路，并且更具体的，描述涉及多层面半导体电路。
背景技术：
1、存在对更小的且使用更小功率的计算机装置的持续需求。解决这些需求的一种方法是增加半导体电路密度。三维(3d)电路结构可以具有在基底半导体衬底上竖直地堆叠的多个层。存在基于物理学和化学的对半导体材料中的竖直结构的深宽比的限制。由于柱之间的间距取决于竖直柱的侧壁可以被制成的竖直程度，深宽比可以限制竖直堆叠体中的层的密度和数量。
2、多层面堆叠体允许形成分层级的竖直结构，在层面分离结构之间连接有不同的层级(tier)/层面(deck)。层面分离结构可以被称为层面间层(interdeck layer)或层面间结构。层面间层典型地在层面之间提供电隔离。半导体加工冲压出穿过层面间层的开口，以便能够将一个层面连接到下一个层面。尽管进行加工以控制层面间层的特性，但是加工可能导致冲压损坏、柱倾斜以及层面间连接的错位。
技术实现思路
1.一种半导体电路，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，所述半导体装置包括存储器装置。
3.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，所述氮化物层具有第一子层和第二子层，所述第一子层具有梯度掺杂，其中，在所述第一子层与所述第一层面的界面处具有较高的掺杂，并且在所述第一子层与所述第二子层的界面处具有较低的掺杂。
4.根据权利要求3所述的半导体电路，其中，所述第二子层具有梯度掺杂，其中，在所述第二子层与所述第二层面的界面处具有较高的掺杂，并且在所述第二子层与所述第一子层的界面处具有较低的掺杂。
5.根据权利要求3所述的半导体电路，其中，所述掺杂包括碳掺杂。
6.根据权利要求3所述的半导体电路，其中，所述第一层面包括位于所述第一子层与所述第一层面的所述界面处的氧化物层，并且其中，所述第二层面包括位于所述第二子层与所述第二层面的所述界面处的氧化物层。
7.根据权利要求3所述的半导体电路，其中，所述自对准柱包括具有倾斜的侧壁的部分。
8.根据权利要求3所述的半导体电路，其中，所述自对准柱包括具有基本上竖直的侧壁的部分。
9.一种存储装置，包括：
10.根据权利要求9所述的存储装置，其中，所述存储电路包括3d nand单元。
11.根据权利要求9所述的存储装置，其中，所述氮化物层具有第一子层和第二子层，所述第一子层具有梯度掺杂，其中，在所述第一子层与所述第一层面的界面处具有较高的掺杂，并且在所述第一子层与所述第二子层的界面处具有较低的掺杂；所述第二子层具有梯度掺杂，其中，在所述第二子层与所述第二层面的界面处具有较高的掺杂，并且在所述第二子层与所述第一子层的界面处具有较低的掺杂。
12.根据权利要求11所述的存储装置，其中，所述第一层面包括位于所述第一子层与所述第一层面的所述界面处的氧化物层，并且其中，所述第二层面包括位于所述第二子层与所述第二层面的所述界面处的氧化物层。
13.根据权利要求11所述的存储装置，其中，所述自对准柱包括具有倾斜的侧壁的部分。
14.根据权利要求11所述的存储装置，其中，所述自对准柱包括具有基本上竖直的侧壁的部分。
15.一种计算机系统，包括：
16.根据权利要求15所述的计算机系统，其中，所述存储电路包括3d nand装置。
17.根据权利要求15所述的计算机系统，其中，所述氮化物层具有第一子层和第二子层，所述第一子层具有梯度掺杂，其中，在所述第一子层与所述第一层面的界面处具有较高的碳掺杂，并且在所述第一子层与所述第二子层的界面处具有较低的碳掺杂；所述第二子层具有梯度掺杂，其中，在所述第二子层与所述第二层面的界面处具有较高的碳掺杂，并且在所述第二子层与所述第一子层的界面处具有较低的碳掺杂。
18.根据权利要求17所述的计算机系统，其中，所述自对准柱包括具有倾斜的侧壁的部分。
19.根据权利要求17所述的计算机系统，其中，所述自对准柱包括具有基本上竖直的侧壁的部分。
20.根据权利要求15所述的计算机系统，其中：
