本公开涉及液晶显示，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板以及电子设备。
背景技术：
1、液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)被广泛的应用于各种具有显示功能的电子设备中。然而，现有的液晶显示器的显示面板结构较为复杂，进而导致制作工艺复杂，生产成本高、生产效率低。
技术实现思路
1、为克服相关技术中存在的问题，本公开提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板以及电子设备。
2、根据本公开的第一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
3、衬底；
4、薄膜晶体管，阵列设置于所述衬底上；
5、像素电极层，包括阵列设置的多个像素电极，其中一个薄膜晶体管至少对应一个所述像素电极，所述像素电极与对应薄膜晶体管的漏极接触；
6、钝化层，覆盖所述薄膜晶体管和所述像素电极层；
7、公共电极层，设置于所述钝化层上。
8、本公开的一些实施例中，所述像素电极覆盖所述漏极的至少部分顶面。
9、本公开的一些实施例中，所述阵列基板还包括覆盖所述薄膜晶体管的栅极的层间介质层，所述漏极设置于所述层间介质层上，所述像素电极由所述漏极的顶面延伸至所述层间介质层的顶面。
10、本公开的一些实施例中，所述钝化层的厚度为3000至4500埃。
11、本公开的一些实施例中，所述钝化层的材料包括氮化硅。
12、本公开的一些实施例中，所述漏极与所述薄膜晶体管的源极同层设置。
13、本公开的一些实施例中，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括源区、漏区以及连接所述源区和所述漏区的沟道区；
14、所述阵列基板还包括覆盖所述有源层的栅氧层，所述薄膜晶体管的栅极设置于所述栅氧层上并与所述沟道区位置对应，所述源极经第一过孔与所述源区接触，所述漏极经第二过孔与所述漏区接触。
15、本公开的一些实施例中，所述阵列基板还包括沿第一方向间隔排布的多条扫描信号线以及沿第二方向间隔排布的多条数据线，所述第一方向与所述第二方向呈夹角设置，以在所述阵列基板中定义出像素单元阵列，每个所述像素单元对应设置一个所述像素电极层。
16、本公开的一些实施例中，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线相连并同层设置；
17、所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描信号线相连并同层设置。
18、根据本公开的第二方面，提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：
19、形成基底，所述基底包括衬底以及阵列设置于所述衬底上的薄膜晶体管；
20、于所述基底上形成像素电极层，所述像素电极层包括阵列设置的多个像素电极，其中一个薄膜晶体管至少对应一个所述像素电极，所述像素电极与对应薄膜晶体管的漏极接触；
21、形成钝化层，所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管和所述像素电极层；
22、于所述钝化层上形成公共电极层。
23、本公开的一些实施例中，所述形成基底，包括：
24、提供衬底；
25、基于第一掩膜，于所述衬底上形成所述薄膜晶体管的有源层，所述有源层包括源区、漏区以及连接所述源区和所述漏区的沟道区；
26、基于第二掩膜，形成栅氧层，所述栅氧层覆盖所述有源层；
27、基于所述第二掩膜，形成覆盖所述栅氧层的第一金属层，所述第一金属层用于构成所述薄膜晶体管的栅极；
28、基于第三掩膜，形成覆盖所述第一金属层的层间介质层；
29、基于第四掩膜，于所述层间介质层上形成第二金属层，所述第二金属层用于构成所述薄膜晶体管的源极和漏极。
30、本公开的一些实施例中，所述于所述基底上形成像素电极层，包括：基于第五掩膜，形成所述像素电极层，所述像素电极层中的像素电极覆盖所述漏极的至少部分顶面并覆盖部分所述层间介质层的顶面。
31、根据本公开的第三方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括所述阵列基板以及设置于所述阵列基板上的液晶层。
32、根据本公开的第四方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括所述显示面板。
33、本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：阵列基板的像素电极与对应的薄膜晶体管的漏极直接接触，再通过钝化层将薄膜晶体管和像素电极层同时覆盖，公共电极层设置于钝化层上，如此，像素电极与漏极之间无需设置隔离层结构，从而简化了阵列基板的结构，进而简化了阵列基板的生产工艺，缩短了阵列基板的制造时间，可提高阵列基板的产能和良率，同时降低了阵列基板的生产成本。
34、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极覆盖所述漏极的至少部分顶面。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括覆盖所述薄膜晶体管的栅极的层间介质层，所述漏极设置于所述层间介质层上，所述像素电极由所述漏极的顶面延伸至所述层间介质层的顶面。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的厚度为3000至4500埃。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的材料包括氮化硅。
6.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极与所述薄膜晶体管的源极同层设置。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括源区、漏区以及连接所述源区和所述漏区的沟道区；
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括沿第一方向间隔排布的多条扫描信号线以及沿第二方向间隔排布的多条数据线，所述第一方向与所述第二方向呈夹角设置，以在所述阵列基板中定义出像素单元阵列，每个所述像素单元对应设置一个所述像素电极层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线相连并同层设置；
10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括：
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成基底，包括：
12.根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述于所述基底上形成像素电极层，包括：基于第五掩膜，形成所述像素电极层，所述像素电极层中的像素电极覆盖所述漏极的至少部分顶面并覆盖部分所述层间介质层的顶面。
13.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板以及设置于所述阵列基板上的液晶层。
14.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求13所述的显示面板。
