本技术属于led芯片，具体涉及一种高亮度的led芯片。
背景技术：
1、纵观目前led行业市场竞争日趋激烈，而针对led芯片的竞争主要体现为产品亮度的竞争。cb层（电流阻挡层）成分为二氧化硅，是一种光学薄膜材质，光学性能好，在led芯片亮度贡献上扮演着重要角色，针对cb膜层图形化处理目前已形成一种常用手段，其制备方法多种多样，常见的方法主要有：光罩图形、湿法腐蚀等。这些方法主要缺点为：由于cb是一种绝缘层，目前常用于阻挡电流从而增加光效，但时常会疏忽cb的反射性能，导致cb不能最大程度的被利用。cb层与pad（成分为au）相配合具有散射的作用，接触面积越大，散射效果越好。因此，如何有效利用cb层与pad相结合后的散射性能是提升led芯片亮度的关键因素之一。
技术实现思路
1、本实用新型针对背景技术中的不足，提供了一种高亮度的led芯片，通过对cb的结构进行优化，在其与pad相邻的一侧开设凹槽，增加cb与pad的接触面积，提升光散射效果，以达到在cb与gan接触面积不变的情况下，提高亮度的效果。
2、为实现上述目的，本实用新型技术解决方案如下：
3、一种高亮度的led芯片，包括衬底，衬底上依次叠设有n-gan层、mqws层和p-gan层，其特征在于：所述p-gan层上依次叠设有第一cb层、带有通孔的ito电流扩散层和p-pad，所述p-pad下端穿过通孔与第一cb层连接，所述n-gan层裸露台面上依次叠设有第二cb层和n-pad，所述n-pad下端完全覆盖第二cb层并与n-gan层裸露台面连接，所述第一cb层与p-pad的贴合面、第二cb层与pad层相贴合面上均开设有至少一个凹槽。
4、优选的，所述第一cb层、第二cb层与相应pad相接触的面上均开设有至少两个凹槽，至少两个所述凹槽均匀间隔分布。
5、优选的，所述p-pad、n-pad、ito电流扩散层、n-gan层、mqws层和p-gan层的外露面上包覆有pv层。
6、相对于现有技术，本实用新型有益效果如下： 本实用新型在第一cb层与p-pad的贴合面、第二cb层与pad层相贴合面上均开设凹槽，有效增加了pad下的cb面积，利用cb与金属结合的散射性能达到增加出光的目的，从而达到在cb与gan接触面积不变的情况下，提高亮度的效果。
1.一种高亮度的led芯片，包括衬底，衬底上依次叠设有n-gan层、mqws层和p-gan层，其特征在于：所述p-gan层上依次叠设有第一cb层、带有通孔的ito电流扩散层和p-pad，所述p-pad下端穿过通孔与第一cb层连接，所述n-gan层裸露台面上依次叠设有第二cb层和n-pad，所述n-pad下端完全覆盖第二cb层并与n-gan层裸露台面连接，所述第一cb层与p-pad的贴合面、第二cb层与pad层相贴合面上均开设有至少一个凹槽。
2.如权利要求1所述的一种高亮度的led芯片，其特征在于：所述第一cb层、第二cb层与相应pad相接触的面上均开设有至少两个凹槽，至少两个所述凹槽均匀间隔分布。
3.如权利要求1所述的一种高亮度的led芯片，其特征在于：所述p-pad、n-pad、ito电流扩散层、n-gan层、mqws层和p-gan层的外露面上包覆有pv层。
