本发明涉及芯片封装，特别是一种薄膜覆晶封装结构。
背景技术：
1、cof(chip on fi lm),常称覆晶薄膜，是将集成电路(ic)固定在柔性线路板上的晶粒软膜构装技术。
2、参照图1，现有技术中，该薄膜覆晶包括一可挠性基板1、位于可挠性基板1一面的线路2，与线路2电性连接的芯片3以及位于可挠性基板1另一面的散热件4，线路2和芯片3工作产生的热量通过可挠性基板1传递给散热件4并通过散热件4进行散热。但此种散热方式线路2和芯片3无法与散热贴4直接接触，散热效率不佳有待进一步优化。
3、有鉴于此，有必要提供一种薄膜覆晶封装结构，以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、为了实现上述目的，本发明提供一种薄膜覆晶封装结构，其包括可挠性基板，包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、贯穿所述第一表面和所述第二表面的贯穿孔；线路，自所述第一表面穿过所述贯穿孔连接至所述第二表面；与位于所述第一表面的所述线路连接的芯片；与位于所述第二表面的所述线路连接的散热件。
2、作为本发明的进一步改进，所述可挠性基板上间隔设有多组所述贯穿孔。
3、作为本发明的进一步改进，所述芯片包括与线路连接的凸块。
4、作为本发明的进一步改进，所述贯穿孔的数量和所述凸块的数量相同。
5、作为本发明的进一步改进，所述线路包括位于所述第一表面的第一连接段、位于所述贯穿孔内的第二连接段、位于所述第二表面的第三连接段，所述芯片包括与所述第一连接段连接的芯片，所述第三连接段位于所述可挠性基板和所述散热件之间。
6、作为本发明的进一步改进，所述贯穿孔位于所述凸块的内侧，所述第二连接段的两端分别连接于所述第一连接段的端部、所述第三连接段的端部。
7、作为本发明的进一步改进，所述贯穿孔位于所述凸块的外侧，所述第二连接段的两端分别连接于所述第一连接段的中部、所述第三连接段的端部。
8、作为本发明的进一步改进，所述贯穿孔位于所述凸块的外侧，所述第二连接段的两端分别连接于所述第一连接段的中部、所述第三连接段的中部。
9、作为本发明的进一步改进，所述第三连接段自与所述第二连接段连接的端部朝着所述第一连接段远离所述凸块的一端延伸，且所述第三连接段延伸至所述散热件的边缘位置。
10、作为本发明的进一步改进，所述第三连接段的一端与所述第一连接段齐平，另一端延伸至所述散热件的边缘位置。
11、本发明的有益效果：本发明通过在所述可挠性基板上开设贯穿孔，将原本位于所述第一表面的线路穿过所述贯穿孔连接至所述第二表面，并与所述散热件直接接触，从而增加了所述线路的总长度，进而增加了散热面积，且所述芯片工作产生的热量能通过所述线路直接传导至所述散热件，从而大幅提升薄膜覆晶封装结构的散热效率。
1.一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于：所述可挠性基板(100)上间隔设有多组所述贯穿孔(103)。
3.根据权利要求2所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于：所述芯片(300)包括与所述线路(200)连接的凸块(301)。
4.根据权利要求3所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于：所述贯穿孔(103)的数量和所述凸块(301)的数量相同。
5.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于：所述线路(200)包括位于所述第一表面(101)的第一连接段(201)、位于所述贯穿孔(103)内的第二连接段(202)、位于所述第二表面(102)的第三连接段(203)，所述芯片(300)包括与所述第一连接段(201)连接的凸块(301)，所述第三连接段(203)位于所述可挠性基板(100)和所述散热件(400)之间。
6.根据权利要求5所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于：所述贯穿孔(103)位于所述凸块(301)的内侧，所述第二连接段(202)的两端分别连接于所述第一连接段(201)的端部、所述第三连接段(203)的端部。
7.根据权利要求5所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于：所述贯穿孔(103)位于所述凸块(301)的外侧，所述第二连接段(202)的两端分别连接于所述第一连接段(201)的中部、所述第三连接段(203)的端部。
8.根据权利要求5所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于：所述贯穿孔(103)位于所述凸块(301)的外侧，所述第二连接段(202)的两端分别连接于所述第一连接段(201)的中部、所述第三连接段(203)的中部。
9.根据权利要求6或7所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于：所述第三连接段(203)自与所述第二连接段(202)连接的端部朝着所述第一连接段(201)远离所述凸块(301)的一端延伸，且所述第三连接段(203)延伸至所述散热件(400)的边缘位置。
10.根据权利要求8所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于：所述第三连接段(203)的一端与所述第一连接段(201)齐平，另一端延伸至所述散热件(400)的边缘位置。
