本发明涉及硅片加工检测，具体涉及一种双层外延片膜厚电阻率对标的方法。
背景技术：
1、近年来，随着半导体元器件的高集成化、高密度化，电路的布线越来越微细化，多层布线的层数也增加。为了谋求电路微细化并实现多层布线，需要高精度地平坦化处理半导体元器件的表面。
2、在半导体集成电路制造的工艺过程中，通常会使用到金属膜生长工艺，以在硅片或衬底的上方形成导电的金属互联线。金属互联线的形成工艺一般包括金属膜生长工艺和金属膜的去除工艺。
3、功率器件是外延片的重要应用之一，通常为了减小闩锁效应或者起到缓冲层作用，会将外延层做成两层膜厚电阻率不一样的外延片。此时因为成品是双层的完整外延片，如果要做标片对比分析时，通常我们只能比较容易测试到第二层的电阻率，及双层一起的外延层厚度，无法通过直接的电阻率测试得到第一层的电阻率和膜厚，从而无法做到双层外延片的直接复制加工。
技术实现思路
1、本发明主要解决现有技术中存在 的不足，提供了一种双层外延片膜厚电阻率对标的方法，其具有操作便捷、稳定性好和效率高的优点，解决了双层外延片膜片无法直接通过电阻率测试得到第一层电阻率和膜厚的问题。实现准确的得到第二层外延层的电阻率，从而做到较好的外延对标。
2、本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
3、一种双层外延片膜厚电阻率对标的方法，双层外延片包括基底片，所述的基底片上设有第二层外延层，所述的第二层外延层与基底片间设有第一层外延层。
4、膜厚电阻率对标的方法包括如下操作步骤：
5、第一步：取一枚用于对标的双层外延标准样片，然后通过外延膜厚测试设备测试得到双层外延膜厚。
6、第二步：再将这枚外延片通过电阻率测试设备qc2500/mcv/4pp测试得到第二层外延层电阻率。
7、第三步：将膜厚数据按照规格书里所写的第一层外延层和第二层外延层膜厚的比例分解成两层的外延厚度。
8、第四步：根据分解后得到的两层外延厚度，以及实测的第二层外延层的外延电阻率制备得到相应的外延片。
9、第五步：随后将制备得到的双层外延片与标片同时测试srp，然后将两者srp放在一张点线图上进行比较，然后观察差异点。
10、第六步：根据srp显示的差异点，再对两层的膜厚和电阻率进行微调，最终得到合格的双层外延片。
11、作为优选，待制备的外延片第一层电阻率，按照规格书或者第二层外延层实测电阻率与规格书第二层外延层电阻率得到的比例，将第一层外延层规格书电阻率值等比例转换成一个值后制备得到。
12、作为优选，取两枚相同的双层外延标准样片，对这两片双层外延标准样片，测试得到双层外延厚度及第二层电阻率；随后将其中一枚外延片通过cmp处理抛去第二层外延层，通过电阻率测试设备qc2500/mcv/4pp，准确的测试得到第一层外延层的外延电阻率。
13、作为优选，抛去第二层外延层的厚度小于二分之一第一层外延层厚度加第一层外延层厚度。
14、作为优选，按照膜厚电阻率的实测值制备得到双层外延片，然后通过srp测试确认制备得到的外延片与标准样片是否相同，若不相同进行微调。
15、作为优选，制备样品的第一层膜厚电阻率与对标片相差较大，通过srp数据差异将第一层电阻率和膜厚朝着与对标片srp显示数据一致的方向调试，最终得到制备样品与标片匹配的srp数据曲线，从而得到不同制备环境的扩产，满足后端器件需求。
16、作为优选，通过对比第一次测试出的srp曲线，得出标准样片与样品外延片之间的膜厚电阻率差异，然后按照正比例关系将样品外延片与标准样片之间的差异通过外延沉积时间及掺杂剂浓度和流量大小的调整，达到增加或减少样品外延片的膜厚和电阻率的目的，是样品外延片的srp曲线与标准样片匹配，最终得到合格的双层外延片。
17、本发明能够达到如下效果：
18、本发明提供了一种双层外延片膜厚电阻率对标的方法，与现有技术相比较，具有操作便捷、稳定性好和效率高的优点，解决了双层外延片膜片无法直接通过电阻率测试得到第一层电阻率和膜厚的问题。实现准确的得到第二层外延层的电阻率，从而做到较好的外延对标。
1.一种双层外延片膜厚电阻率对标的方法，其特征在于：双层外延片包括基底片，所述的基底片上设有第二层外延层，所述的第二层外延层与基底片间设有第一层外延层；
2.根据权利要求1所述的双层外延片膜厚电阻率对标的方法，其特征在于：待制备的外延片第一层电阻率，按照规格书或者第二层外延层实测电阻率与规格书第二层外延层电阻率得到的比例，将第一层外延层规格书电阻率值等比例转换成一个值后制备得到。
3.根据权利要求1所述的双层外延片膜厚电阻率对标的方法，其特征在于：取两枚相同的双层外延标准样片，对这两片双层外延标准样片，测试得到双层外延厚度及第二层电阻率；随后将其中一枚外延片通过cmp处理抛去第二层外延层，通过电阻率测试设备qc2500/mcv/4pp，准确的测试得到第一层外延层的外延电阻率。
4.根据权利要求3所述的双层外延片膜厚电阻率对标的方法，其特征在于：抛去第二层外延层的厚度小于二分之一第一层外延层厚度加第一层外延层厚度。
5.根据权利要求3所述的双层外延片膜厚电阻率对标的方法，其特征在于：按照膜厚电阻率的实测值制备得到双层外延片，然后通过srp测试确认制备得到的外延片与标准样片是否相同，若不相同进行微调。
6.根据权利要求5所述的双层外延片膜厚电阻率对标的方法，其特征在于：制备样品的第一层膜厚电阻率与对标片相差较大，通过srp数据差异将第一层电阻率和膜厚朝着与对标片srp显示数据一致的方向调试，最终得到制备样品与标片匹配的srp数据曲线，从而得到不同制备环境的扩产，满足后端器件需求。
7.根据权利要求5所述的双层外延片膜厚电阻率对标的方法，其特征在于：通过对比第一次测试出的srp曲线，得出标准样片与样品外延片之间的膜厚电阻率差异，然后按照正比例关系将样品外延片与标准样片之间的差异通过外延沉积时间及掺杂剂浓度和流量大小的调整，达到增加或减少样品外延片的膜厚和电阻率的目的，是样品外延片的srp曲线与标准样片匹配，最终得到合格的双层外延片。
