公开涉及一种半导体装置。
背景技术：
1、随着用于将多个半导体芯片安装在一个半导体封装件中的三维(3d)封装被积极地开发，用于形成用于竖直地形成穿过基底或裸片的电连接的过硅通孔结构的方法也被积极地开发。为了提高3d封装的性能和可靠性，需要用于形成稳定的过硅通孔(tsv)结构的方法和装置。
技术实现思路
1、公开致力于提供一种用于通过在基底上形成穿过基底的多个虚设贯穿过孔来提高产品可靠性的半导体装置。
2、公开的实施例提供了一种半导体装置，半导体装置包括：基底，包括彼此相对且其间具有一定厚度的第一侧和第二侧；第一布线，设置在基底的第一侧上；第一虚设布线，设置在基底的第一侧上并与第一布线间隔开；第二布线，设置在基底的第二侧上；第二虚设布线，设置在基底的第二侧上并与第二布线间隔开；贯穿过孔，穿过基底并连接第一布线和第二布线；以及多个虚设贯穿过孔，穿过基底，其中，多个虚设贯穿过孔从第一布线和第二布线横向偏移并与第一布线和第二布线物理地分离，其中，多个虚设贯穿过孔中的至少一个虚设贯穿过孔的中心从第一虚设布线和第二虚设布线中的至少一条虚设布线的边缘横向偏移。
3、虚设贯穿过孔可以包括第一虚设贯穿过孔，并且第一虚设贯穿过孔的中心可以与第一虚设布线叠置并且可以从第二虚设布线横向偏移。
4、第一虚设贯穿过孔可以与第一虚设布线叠置并且可以从第二虚设布线的边缘横向偏移。
5、第一虚设贯穿过孔可以与第一虚设布线完全叠置并且可以与第二虚设布线部分叠置。
6、虚设贯穿过孔可以包括第二虚设贯穿过孔，并且第二虚设贯穿过孔的中心可以从第一虚设布线的边缘横向偏移并且可以与第二虚设布线叠置。
7、第二虚设贯穿过孔可以从第一虚设布线的边缘横向偏移并且可以与第二虚设布线叠置。
8、第二虚设贯穿过孔可以与第一虚设布线部分地叠置并且可以与第二虚设布线完全地叠置。
9、虚设贯穿过孔可以包括第三虚设贯穿过孔，并且第三虚设贯穿过孔的中心可以从第一虚设布线和第二虚设布线的边缘横向偏移。
10、第三虚设贯穿过孔可以与第一虚设布线部分地叠置，并且可以从第二虚设布线横向偏移。
11、第三虚设贯穿过孔可以与第一虚设布线部分地叠置并且可以与第二虚设布线部分地叠置。
12、第三虚设贯穿过孔可以从第一虚设布线的边缘横向偏移，并且可以与第二虚设布线部分地叠置。
13、虚设贯穿过孔可以包括第四虚设贯穿过孔，并且第四虚设贯穿过孔的中心可以与第一虚设布线和第二虚设布线叠置。
14、虚设贯穿过孔可以包括第五虚设贯穿过孔，并且第五虚设贯穿过孔可以从第一虚设布线和第二虚设布线横向偏移并与第一虚设布线和第二虚设布线物理地分离。
15、虚设贯穿过孔可以电浮置。
16、公开的另一实施例提供了一种半导体装置，半导体装置包括：基底，包括彼此相对且其间具有一定厚度的第一侧和第二侧；第一布线，设置在基底的第一侧上；第一虚设布线，设置在基底的第一侧上并且与第一布线间隔开；第二布线，设置在基底的第二侧上；第二虚设布线，设置在基底的第二侧上并且与第二布线间隔开；贯穿过孔，穿过基底并连接第一布线和第二布线；多个虚设贯穿过孔，穿过基底并且不与第一布线和第二布线叠置；以及绝缘层，设置在基底的第一侧和第二侧中的至少一个上，其中，多个虚设贯穿过孔中的至少一个虚设贯穿过孔的中心不与第一虚设布线和第二虚设布线中的至少一条虚设布线叠置，并且多个虚设贯穿过孔中的至少一个虚设贯穿过孔接触绝缘层。
17、多个虚设贯穿过孔可以包括第一虚设贯穿过孔、第二虚设贯穿过孔、第三虚设贯穿过孔和第四虚设贯穿过孔，第一虚设贯穿过孔的中心可以与第一虚设布线叠置并且可以不与第二虚设布线叠置，第二虚设贯穿过孔的中心可以不与第一虚设布线叠置并且可以与第二虚设布线叠置，第三虚设贯穿过孔的中心可以不与第一虚设布线和第二虚设布线叠置，并且第四虚设贯穿过孔的中心可以与第一虚设布线和第二虚设布线叠置。
18、第一虚设贯穿过孔可以与第一虚设布线的一部分叠置并且可以与第二虚设布线的一部分叠置，并且第一虚设贯穿过孔与第一虚设布线叠置的面积可以与第一虚设贯穿过孔与第二虚设布线叠置的面积不同。
19、第一虚设贯穿过孔可以与第一虚设布线的一部分叠置，第四虚设贯穿过孔可以与第一虚设布线的一部分叠置，并且第一虚设贯穿过孔与第一虚设布线叠置的面积可以与第四虚设贯穿过孔与第二虚设布线叠置的面积不同。
20、公开的另一实施例提供了一种半导体装置，半导体装置包括：基底，包括彼此相对且其间具有厚度的第一侧和第二侧；第一布线，设置在基底的第一侧上；第一虚设布线，设置在基底的第一侧上并且与第一布线间隔开；第二布线，设置在基底的第二侧上；第二虚设布线，设置在基底的第二侧上并且与第二布线间隔开；贯穿过孔，穿过基底并连接第一布线和第二布线；以及多个虚设贯穿过孔，穿过基底并且从第一布线和第二布线横向偏移并与第一布线和第二布线物理地分离，其中，基底可以包括多个单元区域，并且贯穿过孔的数量和虚设贯穿过孔的数量之和可以在相应的单元区域中是恒定的。
21、虚设贯穿过孔可以包括第一虚设贯穿过孔、第二虚设贯穿过孔、第三虚设贯穿过孔和第四虚设贯穿过孔，第一虚设贯穿过孔的中心可以与第一虚设布线叠置并且从第二虚设布线的边缘横向偏移，第二虚设贯穿过孔的中心可以从第一虚设布线的第一边缘横向偏移并且与第二虚设布线叠置，第三虚设贯穿过孔的中心可以从第一虚设布线的第二边缘横向偏移并且从第二虚设布线的边缘横向偏移，并且第四虚设贯穿过孔的中心可以与第一虚设布线和第二虚设布线叠置。
22、根据实施例，当在基底上形成穿过基底的虚设贯穿过孔时，可以在基底的相应区域中保持贯穿过孔和虚设贯穿过孔的密度，并且由此，可以通过执行图案化工艺、蚀刻工艺和化学机械抛光(cmp)工艺来提供可靠性提高的半导体装置。
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
15.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，
18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，
19.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中，
