本公开涉及显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术：
1、随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求已经增加并且多样化。例如，显示装置已经应用于诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置。显示装置可为诸如液晶显示装置、场发射显示装置或有机发光显示装置的平板显示装置。在这种平板显示装置当中，发光显示装置可在没有向显示面板提供光的背光单元的情况下显示图像，因为显示面板中的每一个像素包括自身可发射光的发光元件。
技术实现思路
1、本公开的方面提供能够通过稳定地保持像素电极的空穴注入特性和改善发光元件的发光特性来改善显示质量的显示装置和制造该显示装置的方法。
2、然而，本公开的方面不限于在本文中陈述的那些内容。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
3、根据实施方式，显示装置包括：第一像素电极，设置在基板上、第一发射区域中，并且形成为多层；绝缘层，覆盖第一像素电极的边缘；第一发光层，设置在第一像素电极和绝缘层上；第一公共电极，设置在第一发光层上；堤挡，设置在绝缘层上，并且围绕第一发射区域；以及第一薄膜图案，在与第一发射区域相邻的区域中设置在绝缘层和堤挡上。第一像素电极的最上层和第一薄膜图案包括相同的材料。
4、第一像素电极可包括：第一层，设置在基板的第一发射区域中；第二层，设置在第一层上；第三层，设置在第二层上；以及第四层，设置在第三层上成为第一像素电极的最上层。
5、第一像素电极的第一层可包括氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)或氧化铟锡锌(“itzo”)。第一像素电极的第二层可包括银(ag)、铜(cu)、铝(al)、镍(ni)或镧(la)。第一像素电极的第三层可包括氧化铟镓锌(“igzo”)、氧化铟锌(izo)或锌掺杂氧化铟锡(zn-ito)。第一像素电极的第四层可包括氧化铟锡(ito)。
6、显示装置可进一步包括：残留图案，设置在绝缘层和第一像素电极的第三层的边缘之间。
7、残留图案可包括钼钽氧化物(motaox)。
8、残留图案的厚度可大于第一像素电极的第四层的厚度。
9、显示装置可进一步包括：第一有机图案，可由与第一发光层的材料相同的材料在与第一发光层的同一工艺中形成或者包括与第一发光层的材料相同的材料在与第一发光层的同一工艺中形成，并且设置在第一薄膜图案上；以及第一电极图案，可由与第一公共电极的材料相同的材料在与第一公共电极的同一工艺中形成或者包括与第一公共电极的材料相同的材料在与第一公共电极的同一工艺中形成，并且设置在第一有机图案上。
10、堤挡可包括：第一堤挡，设置在绝缘层上并且包括金属材料；以及第二堤挡，设置在第一堤挡上。第一堤挡的侧表面可从第二堤挡的侧表面向内凹陷。
11、显示装置可进一步包括：第二像素电极，设置在基板上、第二发射区域中并且形成为多层；第二发光层，设置在第二像素电极和绝缘层上；以及第二公共电极，设置在第二发光层上。
12、第一公共电极和第二公共电极可通过第一堤挡彼此电连接。
13、根据实施方式，制造显示装置的方法包括：在基板上形成各自包括多层的第一像素电极和第二像素电极；在第一像素电极和第二像素电极上依次堆叠牺牲层、绝缘层和堤挡；在堤挡上形成在平面图中与第一像素电极不重叠的第一光致抗蚀剂；使用第一光致抗蚀剂作为掩模蚀刻堤挡和绝缘层；去除牺牲层的至少一部分；在第一像素电极上另外形成第一像素电极的最上层，并且在绝缘层和堤挡上形成第一薄膜图案；以及在第一像素电极的最上层上形成第一发光层，并且在第一薄膜图案上形成第一有机图案。
14、牺牲层的一部分的去除可包括：通过使用水或四甲基氢氧化铵(“tmah”)的清洁工艺去除牺牲层的至少一部分。
15、牺牲层可包括钼钽氧化物(motaox)。
16、在基板上形成包括多层的第一像素电极可包括：在基板的第一发射区域上形成第一层，在第一层上形成第二层，以及在第二层上形成第三层。第一像素电极的最上层的形成可包括：在第三层上形成第四层，该第四层为第一像素电极的最上层。
17、第一像素电极的第一层可包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)或氧化铟锡锌(itzo)。第一像素电极的第二层可包括银(ag)、铜(cu)、铝(al)、镍(ni)或镧(la)。第一像素电极的第三层可包括氧化铟镓锌(igzo)、氧化铟锌(izo)或锌掺杂氧化铟锡(zn-ito)。第一像素电极的第四层可包括氧化铟锡(ito)。
18、堤挡和绝缘层的蚀刻可包括：形成从堤挡的内侧壁突出的尖端和从绝缘层的内侧壁突出的尖端。
19、第一像素电极的最上层和第一薄膜图案的形成可包括：通过绝缘层的尖端和堤挡的尖端切割沉积在基板上的金属材料，以将金属材料分离成第一像素电极的最上层和第一薄膜图案。
20、第一发光层和第一有机图案的形成可包括：通过堤挡的尖端切割沉积在基板上的有机材料，以将有机材料分离成第一发光层和第一有机图案。
21、在形成第一发光层和第一有机图案之后，制造显示装置的方法可进一步包括：在第一发光层上形成第一公共电极并且在第一有机图案上形成第一电极图案，在第一公共电极上形成封盖层并且在第一电极图案上形成第一封盖图案，以及形成覆盖堤挡、封盖层和第一封盖图案的侧表面的第一无机层。
22、第一公共电极和第一电极图案的形成可包括：通过堤挡的尖端切割沉积在基板上的金属材料，以将金属材料分离成第一公共电极和第一电极图案。
23、利用根据实施方式的显示装置和制造该显示装置的方法，通过紧接在沉积发光层之前形成未被污染或损坏的像素电极的最上层，显示装置可稳定地保持像素电极的空穴注入特性和改善发光元件的发光特性。所以，显示装置可有效改善显示质量。
24、本公开的效果不限于前述的效果，并且各种其他效果包括在本说明书中。
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，
3.根据权利要求2所述的显示装置，
4.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置进一步包括：残留图案，设置在所述绝缘层和所述第一像素电极的所述第三层的边缘之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置，
6.根据权利要求4所述的显示装置，
7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置进一步包括：
8.根据权利要求1所述的显示装置，
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置进一步包括：
10.根据权利要求9所述的显示装置，
11.一种制造显示装置的方法，包括：
12.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法，
13.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法，
14.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法，
15.根据权利要求14所述的制造显示装置的方法，
16.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法，
17.根据权利要求16所述的制造显示装置的方法，
18.根据权利要求16所述的制造显示装置的方法，
19.根据权利要求16所述的制造显示装置的方法，
20.根据权利要求19所述的制造显示装置的方法，
