本发明是关于含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及使用了前述组成物的图案形成方法。
背景技术：
1、伴随lsi的高整合化及高速度化，图案尺寸的微细化急速进展。光刻技术，合并其微细化，借由光源的短波长化及和其对应的抗蚀剂组成物的适当选择，已达成微细图案的形成。成为其中心的是以单层使用的正型光致抗蚀剂组成物。此单层正型光致抗蚀剂组成物，借由使抗蚀剂树脂中带有对于利用氯系或氟系的气体等离子所为的干蚀刻具有蚀刻耐性的骨架并带有曝光部会溶解的切换机构，使曝光部溶解而形成图案，将残存的抗蚀剂图案作为蚀刻掩膜而将被加工基板进行干蚀刻加工。
2、然而，当将使用的光致抗蚀剂膜的膜厚直接微细化，亦即，使图案宽度更小时，光致抗蚀剂膜的分辨性能会降低，且若欲利用显影液将光致抗蚀剂膜进行图案显影，则所谓的纵横比会变得过大，结果引起图案崩塌的问题发生。所以，伴随图案微细化，光致抗蚀剂膜也逐渐薄膜化。
3、另一方面，被加工基板的加工，通常使用将形成有图案的光致抗蚀剂膜作为蚀刻掩膜，并利用干蚀刻对基板进行加工的方法，但现实中并不存在能于光致抗蚀剂膜与被加工基板之间取得完全的蚀刻选择性的干蚀刻方法。因此，会有在基板的加工中，抗蚀剂膜也受到损伤而崩塌，且抗蚀剂图案变得无法正确地转印至被加工基板的问题。因此，伴随图案的微细化，抗蚀剂组成物亦逐渐寻求更高的干蚀刻耐性。但是，另一方面，为了提高分辨度，光致抗蚀剂组成物所使用的树脂已逐渐寻求在曝光波长的光吸收小的树脂。因此，随着曝光光短波长化为i射线、krf、arf，树脂也逐渐变化成酚醛清漆树脂、多羟基苯乙烯、具有脂肪族多环状骨架的树脂，但现实中基板加工时的干蚀刻条件下的蚀刻速度逐渐变快，分辨度高的最近的光致抗蚀剂组成物反而会有蚀刻耐性变弱的倾向。
4、考量此情形，变得必须以较薄且蚀刻耐性较弱的光致抗蚀剂膜对被加工基板进行干蚀刻加工，确保该加工步骤中的材料及处理是当务之急。
5、作为解决如此的问题的方法之一，有多层抗蚀剂法。该方法是将蚀刻选择性与光致抗蚀剂膜(亦即，抗蚀剂上层膜)不同的抗蚀剂下层膜插入在抗蚀剂上层膜与被加工基板之间，在抗蚀剂上层膜获得图案后，将抗蚀剂上层膜图案作为干蚀刻掩膜，利用干蚀刻将图案转印至抗蚀剂下层膜，进一步，将抗蚀剂下层膜作为干蚀刻掩膜，利用干蚀刻将图案转印至被加工基板的方法。
6、作为多层抗蚀剂法之一，有可使用单层抗蚀剂法中所使用的一般的抗蚀剂组成物来实施的3层抗蚀剂法。该3层抗蚀剂法中，例如于被加工基板上将酚醛清漆树脂等构成的有机膜予以成膜作为抗蚀剂下层膜，于其上将含硅抗蚀剂中间膜予以成膜作为抗蚀剂中间膜，再于上形成通常的有机系光致抗蚀剂膜作为抗蚀剂上层膜。实施利用氟系气体等离子所为的干蚀刻时，有机系抗蚀剂上层膜相对于含硅的抗蚀剂中间膜可取得良好的蚀刻选择比，故抗蚀剂上层膜图案可利用氟系气体等离子所为的干蚀刻而转印至含硅的抗蚀剂中间膜。根据该方法，即使使用难以形成具有用以直接对被加工基板进行加工所需的充分膜厚的图案的抗蚀剂组成物、不具有基板的加工所需的充分干蚀刻耐性的抗蚀剂组成物，亦可将图案转印至含硅抗蚀剂中间膜(抗蚀剂中间膜)，然后利用氧系或氢系气体等离子所为的干蚀刻实施图案转印，则可获得具有基板的加工所需的充分干蚀刻耐性的酚醛清漆树脂等构成的有机膜(抗蚀剂下层膜)的图案。就如上述的抗蚀剂下层膜而言，例如专利文献1记载者等已经有许多为已知。
7、另一方面，近年来，dram存储器的微细化加速，干蚀刻耐性的更为改善、及具有优良的填埋特性及平坦化特性的抗蚀剂下层膜的必要性逐渐升高。填埋特性及平坦化特性优异的涂布型抗蚀剂下层膜材料，例如有人报告专利文献2记载者，但在展望先进一代的适用时，干蚀刻耐性方面有所顾虑，已逼近已知的涂布型抗蚀剂下层膜材料的适用极限。
8、针对上述课题，已有人探讨开发抗蚀剂下层膜使用了含金属元素的材料。专利文献3，报告使用了ti化合物的材料对于chf3/cf4系气体及co2/n2系气体显示优良的干蚀刻耐性。
9、另一方面，金属化合物使用于抗蚀剂下层膜时的课题，例如填埋性。专利文献3针对填埋性并未提及，但一般而言，金属化合物烘烤时的热收缩大，高温烘烤后会诱发填充性的显著劣化，故作为要求高程度的平坦化特性、填埋特性及耐热特性的抗蚀剂下层膜材料有不理想的顾虑。专利文献4及5报告经特定的配位子修饰的金属化合物，填埋性优异，但是实施的填埋性评价烘烤温度为150℃的低温，作为需要耐热性(例如：对于抗蚀剂下层膜形成后有时会实施的热处理的特性)的抗蚀剂下层膜有不理想的顾虑。
10、现有技术文献
11、专利文献
12、[专利文献1]日本特开2004-205685号公报
13、[专利文献2]日本专利第6714493号公报
14、[专利文献3]日本专利第6189758号公报
15、[专利文献4]日本专利第6786391号公报
16、[专利文献5]日本专利第7050137号公报
技术实现思路
1、[发明欲解决的课题]
2、本发明有鉴于上述情况，目的在于提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属化合物、使用该化合物的含金属的膜形成用组成物、使用该组成物于抗蚀剂材料的图案形成方法。
3、[解决课题的方式]
4、为了解决上述课题，本发明提供一种含金属的膜形成用化合物，是含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，前述化合物是含有选自由ti、zr、及hf构成的群组中的至少1种金属原子、及配位于前述金属原子的配位子的金属化合物，前述配位子含有下列通式(1)表示的有机基团ra。
5、[化1]
6、
7、通式(1)中，y1为碳数1～20的2价有机基团，r为氢原子、经取代或未经取代的碳数1～20的饱和或碳数2～20的不饱和的1价有机基团、经取代或未经取代的碳数6～30的芳基、或经取代或未经取代的碳数7～31的芳基烷基，r1为下列通式(2)表示的由于酸、热中任一者或其两者的作用而导致保护基团脱离并产生1个以上的羟基或羧基的有机基团，＊表示键结部。
8、[化2]
9、
10、通式(2)中，r2是由于酸、热中的任一者或其两者的作用而导致保护基团脱离的有机基团，＊表示和y1的键结部。
11、若为如此的含金属的膜形成用化合物，因含有至少1个以上的上述通式(1)表示的有机基团ra，使用其于含金属的膜形成用组成物时，缩合反应会受因酸、热中的任一者或其两者的作用而产生的羟基或羧基的存在而促进，烘烤时的体积收缩小，和如专利文献4及5报告的含金属的化合物不同，能提供高温烘烤后，平坦化特性/填埋特性仍优异，且具有充分的干蚀刻耐性的光致抗蚀剂材料。
12、又，本发明中，前述化合物以下列通式(a)表示较佳。
13、[化3]
14、
15、通式(a)中，m为ti、zr、或hf，ra1、ra2、ra3、及ra4为含有前述通式(1)表示的有机基团ra的碳数3～105的1价有机基团、下列通式(3)表示的含硅有机基团、或碳数1～10的烷基，ra1、ra2、ra3、及ra4中的至少1个为含有前述通式(1)表示的有机基团ra的碳数3～105的1价有机基团，ra1、ra2、ra3、及ra4中的至少1个为下列通式(3)表示的含硅有机基团，n为1～30。
16、[化4]
17、
18、通式(3)中，r3a、r3b及r3c，为从具有下列通式(c-1)～(c-3)表示的任意结构的交联基团的碳数2～30的有机基团、经取代或未经取代的碳数1～20的烷基、及碳数6～20的芳基选出的有机基团中的任意者，＊为和氧原子的键结部。
19、[化5]
20、
21、通式(c-1)～(c-3)中，r3为氢原子或碳数1～10的1价有机基团，q为0或1，＊表示键结部。
22、若为如此的含金属的膜形成用化合物，因含有至少1个以上上述通式(1)表示的有机基团ra且含有至少1个以上含硅有机基团，故能提供稳定性优异的含金属的膜形成用组成物。
23、又，本发明中，前述通式(a)中，前述含有通式(1)表示的有机基团ra的碳数3～105的1价有机基团为下列通式(4)表示的结构较佳。
24、[化6]
25、
26、通式(4)中，x为碳数1～31的2价有机基团，ra为前述通式(1)中的任意者，＊表示和氧原子的键结部。
27、前述通式(a)中，含有ra的碳数3～105的1价有机基团若为上述通式(4)表示的结构，则能够高程度地兼顾上述含金属的膜形成用化合物的热流动性及热硬化性，使用其于含金属的膜形成用组成物时，能提供显示更优良的平坦化特性/填埋特性的光致抗蚀剂材料。
28、又，本发明中，前述通式(4)中，x为碳数1～20的饱和或碳数2～20的不饱和烃基较佳。
29、前述通式(4)中，x若为碳数1～20的饱和或碳数2～20的不饱和烃基，则能够使上述含金属的膜形成用化合物的热硬化性提升，使用其于含金属的膜形成用组成物时，能够提供显示更优良的平坦化特性/填埋特性的光致抗蚀剂材料。
30、此时，前述通式(4)中，x为下列通式(5)中的任意者较佳。
31、[化7]
32、
33、通式(5)中，ra、及rb为氢原子或碳数1～18的1价有机基团，rc为氢原子或碳数1～17的1价有机基团，ra与rb合并的碳数为0～18，ra及rb也可键结并形成环状取代基，＊1、＊2各表示和羰基的键结部，＊1、＊2也可相反。
34、前述通式(4)中，x若为上述通式(5)中的任意者，则能够使上述含金属的膜形成用化合物的热硬化性更提升，使用其于含金属的膜形成用组成物时，能够提供显示更优良的平坦化特性/填埋特性的光致抗蚀剂材料。
35、又，本发明中，前述含硅有机基团为下列通式(2a)表示的结构中的任意者较佳。
36、[化8]
37、
38、通式(2a)中，r3d及r3e为从经取代或未经取代的碳数1～20的烷基、及碳数6～20的芳基选出的有机基团，r3同前所述，s表示1～10，＊为和氧原子的键结部。
39、前述含硅有机基团若为上述通式(2a)表示的结构，则能够使上述含金属的膜形成用化合物的热硬化性更提升，使用其于含金属的膜形成用组成物时，能够提供显示更优良的平坦化特性/填埋特性的光致抗蚀剂材料。
40、又，本发明提供一种含金属的膜形成用组成物，是半导体制造中使用的含金属的膜形成用组成物，含有上述记载的(a)含金属的膜形成用化合物、及(b)有机溶剂。
41、若为如此的含金属的膜形成用组成物，因含有耐热特性及热流动性优异的含金属的膜形成用化合物，可提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料，具有优良的干蚀刻耐性，且对比已知的抗蚀剂下层膜材料兼顾高程度的填埋/平坦化特性的光致抗蚀剂材料。
42、又，本发明中，前述组成物宜更含有(c)交联剂、(e)表面活性剂、及(f)酸产生剂中的1种以上较佳。
43、若为含有上述添加剂的含金属的膜形成用组成物，会成为涂布性、干蚀刻耐性、填埋/平坦化特性更优良的光致抗蚀剂材料。
44、又，本发明中，前述(b)有机溶剂宜含有沸点180℃以上的有机溶剂1种以上作为(b1)高沸点溶剂较佳。
45、借由于上述含金属的膜形成用组成物添加高沸点溶剂而赋予热流动性，光致抗蚀剂材料会兼顾高程度的填埋/平坦化特性。
46、又，本发明中，前述含金属的膜形成用组成物更含有(g)具有100nm以下的平均一次粒径的金属氧化物纳米粒子较佳。
47、此时，前述(g)金属氧化物纳米粒子为选自由氧化锆纳米粒子、氧化铪纳米粒子、氧化钛纳米粒子、氧化锡纳米粒子、及氧化钨纳米粒子构成的群组较佳。
48、借由使用如此的金属氧化物纳米粒子，能轻易地使组成物中的金属含量增加，能够使光致抗蚀剂材料的干蚀刻耐性更提升。
49、又，本发明中，前述含金属的膜形成用组成物宜更含有具有下列通式(3’)表示的有机基团中的任意者及芳香环的流动性促进剂(bp)较佳。
50、[化9]
51、
52、通式(3’)中，＊表示和氧原子的键结部位，rb为碳数1～10的2价有机基团、ra为氢原子或碳数1～10的1价有机基团。
53、借由对于上述含金属的膜形成用组成物添加流动性促进剂(bp)以赋予耐热性及热流动性，光致抗蚀剂材料会更兼顾高程度的填埋/平坦化特性。
54、此时，前述流动性促进剂(bp)具有下列通式(bp-1)、(bp-2)、(bp-3)、(bp-4)及(bp-5)表示的构成单元至少1个较佳。
55、[化10]
56、
57、通式(bp-1)及(bp-2)中，w1及w2各自独立地为苯环或萘环，苯环及萘环中的氢原子也可被碳数1～6的烃基取代，r’a各自独立地为下式(4’)表示的基团，y为下式(5’)表示的基团，n1各自独立地为0或1，n2各自独立地为1或2，v各自独立地表示氢原子或连接部。
58、[化11]
59、
60、通式(bp-3)中，z1为下列通式(6)表示的基团，r’a各自独立地为下式(4’)表示的基团，n4各自独立地为0或1，n5各自独立地为1或2，v各自独立地表示氢原子或连接部。
61、[化12]
62、
63、式(4’)中，＊表示和氧原子的键结部。
64、[化13]
65、
66、式(5’)中，＊表示原子键。
67、[化14]
68、
69、通式(6)中，w1、w2、y、n1同前所述，＊表示原子键。
70、[化15]
71、
72、通式(bp-4)中，m3及m4各自独立地表示1或2，z为单键或下列通式(7)表示的结构中的任一者，rx各自独立地为下列通式(8)表示的结构中的任意者。
73、[化16]
74、
75、通式(7)中，＊表示原子键，l表示0至3的整数，ra～rf各自独立地表示氢原子、亦可经氟取代的碳数1～10的烷基、苯基、或苯基乙基，ra与rb也可键结而形成环状化合物。
76、[化17]
77、
78、通式(8)中，＊表示和芳香环的键结部位，q1为碳数1～30的直链状的饱和烃基、或下列通式(9)表示的结构。
79、[化18]
80、
81、通式(9)中，＊表示和羰基的键结部位，ri为前述式(4’)表示的基团，rj表示碳数1～10的直链状、或分支状的烃基、卤素原子、硝基、氨基、腈基、碳数1～10的烷氧基羰基、或碳数1～10的烷酰基氧基，n’3及n’4表示芳香环上的取代基的数，各表示0～7的整数，n’3+n’4为0以上7以下，n’5表示0～2。
82、[化19]
83、
84、通式(bp-5)中，r1为碳数1～30的饱和的1价有机基团或碳数2～30的不饱和的1价有机基团，x’为碳数1～30的2价有机基团，r’a为前述式(4’)表示的基团，p为0～5的整数、q1为1～6的整数、p+q1为1以上6以下的整数，q2为0或1。
85、若为添加了具有至少1个上述(bp-1)～(bp-5)表示的构成单元的流动性促进剂(bp)的含金属的膜形成用组成物，则会成为填埋/平坦化特性更优良的光致抗蚀剂材料。
86、又，本发明提供一种图案形成方法，是在被加工基板形成图案的方法，具有下列步骤：
87、(i-1)在被加工基板上，涂布上述含金属的膜形成用组成物后，利用热处理形成含金属的膜，
88、(i-2)在前述含金属的膜上使用光致抗蚀剂材料形成抗蚀剂上层膜，
89、(i-3)将前述抗蚀剂上层膜进行图案曝光后，以显影液显影，在前述抗蚀剂上层膜形成图案，
90、(i-4)将前述已形成图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，利用干蚀刻在前述含金属的膜转印图案，及
91、(i-5)将前述已形成图案的含金属的膜作为掩膜，将前述被加工基板加工，而在前述被加工基板形成图案。
92、利用上述2层抗蚀剂处理所为的图案形成方法，可在被加工体(被加工基板)形成微细的图案。
93、又，本发明提供一种图案形成方法，是于被加工基板形成图案的方法，具有下列步骤：
94、(ii-1)在被加工基板上涂布上述记载的含金属的膜形成用组成物后，进行热处理以形成含金属的膜，
95、(ii-2)在前述含金属的膜上形成含硅抗蚀剂中间膜，
96、(ii-3)于前述含硅抗蚀剂中间膜上，使用光致抗蚀剂材料形成抗蚀剂上层膜，
97、(ii-4)将前述抗蚀剂上层膜进行图案曝光后，以显影液显影，在前述抗蚀剂上层膜形成图案，
98、(ii-5)将前述已形成图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，利用干蚀刻在前述含硅抗蚀剂中间膜转印图案，
99、(ii-6)将前述已转印图案的含硅抗蚀剂中间膜作为掩膜，利用干蚀刻在前述含金属的膜转印图案，及
100、(ii-7)将前述已形成图案的含金属的膜作为掩膜，将前述被加工基板进行加工而于前述被加工基板形成图案。
101、利用上述3层抗蚀剂处理所为的图案形成方法，能够在被加工体以高精度形成微细的图案。
102、又，本发明提供一种图案形成方法，是于被加工基板形成图案的方法，具有下列步骤：
103、(iii-1)在被加工基板上涂布上述记载的含金属的膜形成用组成物后，进行热处理以形成含金属的膜，
104、(iii-2)在前述含金属的膜上形成选自硅氧化膜、硅氮化膜、及硅氧化氮化膜中的无机硬掩膜中间膜，
105、(iii-3)在前述无机硬掩膜中间膜上，形成有机薄膜，
106、(iii-4)在前述有机薄膜上，使用光致抗蚀剂材料形成抗蚀剂上层膜，
107、(iii-5)将前述抗蚀剂上层膜进行图案曝光后，以显影液显影，在前述抗蚀剂上层膜形成图案，
108、(iii-6)将前述已形成图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，利用干蚀刻在前述有机薄膜及前述无机硬掩膜中间膜转印图案，
109、(iii-7)将前述已转印图案的无机硬掩膜中间膜作为掩膜，利用干蚀刻在前述含金属的膜转印图案，及
110、(iii-8)将前述已形成图案的含金属的膜作为掩膜，将前述被加工基板进行加工而于前述被加工基板形成图案。
111、利用上述4层抗蚀剂处理所为的图案形成方法，能够在被加工体以高精度形成微细的图案。
112、此时，前述无机硬掩膜中间膜以cvd法或ald法形成较佳。
113、上述无机硬掩膜中间膜若利用cvd法或ald法形成，能够在被加工体以更高精度形成微细的图案。
114、又，本发明提供一种图案形成方法，是于被加工基板形成图案的方法，具有下列步骤：
115、(iv-1)在被加工基板上涂布上述记载的含金属的膜形成用组成物后，进行热处理以形成含金属的膜，
116、(iv-2)在前述含金属的膜上形成抗蚀剂下层膜，
117、(iv-3)在前述抗蚀剂下层膜上，形成含硅抗蚀剂中间膜、或选自硅氧化膜、硅氮化膜、及硅氧化氮化膜中的无机硬掩膜中间膜与有机薄膜的组合，
118、(iv-4)在前述含硅抗蚀剂中间膜或前述有机薄膜上，使用光致抗蚀剂材料形成抗蚀剂上层膜，
119、(iv-5)将前述抗蚀剂上层膜进行图案曝光后，以显影液显影，在前述抗蚀剂上层膜形成图案，
120、(iv-6)将前述已形成图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，利用干蚀刻在前述含硅抗蚀剂中间膜或前述有机薄膜及前述无机硬掩膜中间膜转印图案，
121、(iv-7)将前述已转印图案的含硅抗蚀剂中间膜或无机硬掩膜中间膜作为掩膜，利用干蚀刻在前述抗蚀剂下层膜转印图案，
122、(iv-8)利用前述已转印图案的抗蚀剂下层膜作为掩膜，利用干蚀刻在前述含金属的膜转印图案，及
123、(iv-9)将前述已形成图案的含金属的膜作为掩膜，将前述被加工基板进行加工而于前述被加工基板形成图案。
124、利用上述多层抗蚀剂处理所为的图案形成方法，能够在被加工体以高精度形成微细的图案。
125、又，本发明提供一种调性反转式图案形成方法，是于被加工基板形成图案的方法，具有下列步骤：
126、(v-1)在被加工基板上形成抗蚀剂下层膜，
127、(v-2)在前述抗蚀剂下层膜上，形成抗蚀剂中间膜、或选自硅氧化膜、硅氮化膜、及硅氧化氮化膜中的无机硬掩膜中间膜与有机薄膜的组合，
128、(v-3)于前述抗蚀剂中间膜、或前述无机硬掩膜中间膜与有机薄膜的组合上，使用光致抗蚀剂材料形成抗蚀剂上层膜，
129、(v-4)将前述抗蚀剂上层膜进行图案曝光后，以显影液显影，在前述抗蚀剂上层膜形成图案，
130、(v-5)将前述已形成图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，利用干蚀刻在前述抗蚀剂中间膜、或前述有机薄膜及前述无机硬掩膜中间膜转印图案，
131、(v-6)将前述已转印图案的抗蚀剂中间膜、或无机硬掩膜中间膜作为掩膜，利用干蚀刻在前述抗蚀剂下层膜转印图案，
132、(v-7)在前述已转印图案的前述抗蚀剂下层膜上，涂布上述记载的含金属的膜形成用组成物后，进行热处理以被覆含金属的膜，将前述抗蚀剂下层膜图案间以前述含金属的膜填充，
133、(v-8)使覆盖前述已形成图案的前述抗蚀剂下层膜上的前述含金属的膜化学性剥离或利用干蚀刻回蚀，使已形成图案的前述抗蚀剂下层膜的顶面露出，
134、(v-9)将前述抗蚀剂下层膜顶面残留的前述抗蚀剂中间膜、或前述无机硬掩膜中间膜利用干蚀刻除去，
135、(v-10)将表面露出的前述已形成图案的前述抗蚀剂下层膜利用干蚀刻除去，在前述含金属的膜上形成原图案的反转图案，
136、(v-11)将前述已形成反转图案的含金属的膜作为掩膜，将前述被加工基板进行加工而在前述被加工基板形成反转图案。
137、利用上述反转处理所为的图案形成方法，能够在被加工体以更高精度形成微细的图案。
138、[发明的效果]
139、如以上说明，本发明的含金属的膜形成用化合物因为含有1个以上上述通式(1)表示的有机基团ra，使用其于含金属的膜形成用组成物时，因酸、热中的任一者或其两者的作用而产生的羟基或羧基的存在，会使缩合反应受促进，烘烤时的体积收缩小，可提供即使高温烘烤后，平坦化特性/填埋特性仍优异的光致抗蚀剂材料。
140、尤其，半导体装置制造步骤中使用了多层抗蚀剂法的微细图案化处理中，在微细化进展的dram存储器为代表的具有高纵横比的微细图案结构的密集部等填埋/平坦化困难的部分的被加工基板上，仍能不产生孔隙、剥离等不良而填埋，且对比已知涂布型抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性，相较于抗蚀剂下层膜，能够在被加工体以更高精度形成微细的图案。
1.一种含金属的膜形成用化合物，是含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为：该化合物是含有选自由ti、zr、及hf构成的群组中的至少1种金属原子、及配位于该金属原子的配位子的金属化合物，该配位子含有下列通式(1)表示的有机基团ra，
2.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用化合物，其中，该化合物以下列通式(a)表示，
3.根据权利要求2所述的含金属的膜形成用化合物，其中，该通式(a)中，该含有通式(1)表示的有机基团ra的碳数3～105的1价有机基团，是下列通式(4)表示的结构，
4.根据权利要求3所述的含金属的膜形成用化合物，其中，该通式(4)中，x为碳数1～20的饱和或碳数2～20的不饱和烃基。
5.根据权利要求4所述的含金属的膜形成用化合物，其中，该通式(4)中，x为下列通式(5)中的任意者，
6.根据权利要求2所述的含金属的膜形成用化合物，其中，该含硅有机基团为下列通式(2a)表示的结构中的任意者，
7.一种含金属的膜形成用组成物，是半导体制造中使用的含金属的膜形成用组成物，其特征为：含有根据权利要求1至6中任一项所述的(a)含金属的膜形成用化合物、及(b)有机溶剂。
8.根据权利要求7所述的含金属的膜形成用组成物，其中，该组成物更含有(c)交联剂、(e)表面活性剂、及(f)酸产生剂中的1种以上。
9.根据权利要求7所述的含金属的膜形成用组成物，其中，该(b)有机溶剂含有1种以上沸点180℃以上的有机溶剂作为(b1)高沸点溶剂。
10.根据权利要求7所述的含金属的膜形成用组成物，其中，该含金属的膜形成用组成物更含有(g)具有100nm以下的平均一次粒径的金属氧化物纳米粒子。
11.根据权利要求10所述的含金属的膜形成用组成物，其中，该(g)金属氧化物纳米粒子是选自由氧化锆纳米粒子、氧化铪纳米粒子、氧化钛纳米粒子、氧化锡纳米粒子、及氧化钨纳米粒子构成的群组。
12.根据权利要求7所述的含金属的膜形成用组成物，其中，该含金属的膜形成用组成物更含有具有下列通式(3’)表示的有机基团中的任意者及芳香环的流动性促进剂(bp)，
13.根据权利要求12所述的含金属的膜形成用组成物，其中，该流动性促进剂(bp)具有至少1个下列通式(bp-1)、(bp-2)、(bp-3)、(bp-4)及(bp-5)表示的构成单元，
14.一种图案形成方法，是在被加工基板形成图案的方法，其特征为具有下列步骤：
15.一种图案形成方法，是在被加工基板形成图案的方法，其特征为具有下列步骤：
16.一种图案形成方法，是在被加工基板形成图案的方法，其特征为具有下列步骤：
17.根据权利要求16所述的图案形成方法，其中，该无机硬掩膜中间膜是以cvd法或ald法形成的。
18.一种图案形成方法，是在被加工基板形成图案的方法，其特征为具有下列步骤：
19.一种调性反转式图案形成方法，是在被加工基板形成图案的方法，其特征为具有下列步骤：
