公开涉及一种显示装置的制造方法和显示装置。
背景技术：
1、近来，随着对信息显示的兴趣的增加，对显示装置的研究和开发不断进行。
技术实现思路
1、公开致力于通过降低反射率和改善透射率来提供具有高效率的显示装置。
2、公开的实施例不限于下面提及的实施例，并且本领域普通技术人员可以使用下面的描述清楚地理解未提及的其他技术目的。
3、根据实施例，显示装置的制造方法可以包括以下步骤：在基底上形成发光元件层，在发光元件层上共沉积铋(bi)和镱(yb)，以形成第一无机吸收层；以及在第一无机吸收层上形成反射控制层。在共沉积的步骤中，铋(bi)的沉积温度可以在约500℃至约850℃的范围内，镱(yb)的沉积温度可以在约300℃至约550℃的范围内，并且第一无机吸收层的消光系数可以小于或等于约3。
4、在共沉积的步骤中，可以同时热沉积铋(bi)金属化合物和镱(yb)金属化合物。
5、在共沉积的步骤中，可以同时热沉积铋(bi)无机化合物和镱(yb)无机化合物。
6、在共沉积的步骤中，铋(bi)的沉积温度可以在约600℃至约700℃的范围内，并且镱(yb)的沉积温度可以在约480℃至约540℃的范围内。
7、第一无机吸收层中铋(bi)和镱(yb)的组成比可以在约80:20至约40:60的范围内。
8、第一无机吸收层的折射率可以在约1至约3的范围内。
9、第一无机吸收层还可以包括钛(ti)、锆(zr)、钨(w)、钽(ta)和氧化钼(moo3)中的至少一种。
10、显示装置的制造方法还可以包括：在第一无机吸收层上形成第二无机吸收层。
11、第二无机吸收层可以直接形成在第一无机吸收层上。
12、第二无机吸收层可以包括铋(bi)、镱(yb)、钛(ti)、锆(zr)、钨(w)、钽(ta)和氧化钼(moo3)中的至少一种。
13、显示装置的制造方法还可以包括：在第一无机吸收层上形成遮光层。反射控制层可以形成在遮光层上。
14、根据实施例，显示装置可以包括：发光元件层；第一无机吸收层，设置在发光元件层上，并且包括多元素共沉积膜；以及反射控制层，设置在第一无机吸收层上。第一无机吸收层的消光系数可以小于或等于约3。
15、显示装置还可以包括：第二无机吸收层，设置在第一无机吸收层与反射控制层之间。
16、第一无机吸收层和第二无机吸收层可以包括同一材料。
17、第一无机吸收层和第二无机吸收层中的每个可以包括铋(bi)、镱(yb)、钛(ti)、锆(zr)、钨(w)、钽(ta)和氧化钼(moo3)中的至少一种。
18、第一无机吸收层可以包含铋(bi)和镱(yb)。
19、第二无机吸收层可以包括铋(bi)或镱(yb)。
20、第一无机吸收层中铋(bi)和镱(yb)的组成比可以在约80:20至约40:60的范围内。
21、第一无机吸收层的折射率可以在约1至约3的范围内。
22、显示装置还可以包括：遮光层，设置在第一无机吸收层与反射控制层之间。
23、其他实施例的特殊性包括在详细描述和附图中。
24、根据上述实施例，通过共沉积铋(bi)和镱(yb)以形成无机吸收层，可以降低无机吸收层的消光系数，使得可以改善效率并且可以使氧化最小化。
25、公开的实施例的效果不受上面示出的内容的限制，并且更多各种效果被包括在说明书中。
1.一种显示装置的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在所述共沉积的步骤中，同时热沉积铋金属化合物和镱金属化合物。
3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在所述共沉积的步骤中，同时热沉积铋无机化合物和镱无机化合物。
4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在所述共沉积的步骤中，
5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述第一无机吸收层中铋和镱的组成比在80:20至40:60的范围内。
6.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述第一无机吸收层的折射率在1至3的范围内。
7.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述第一无机吸收层还包括钛、锆、钨、钽和氧化钼中的至少一种，其中，氧化钼由moo3表示。
8.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，所述制造方法还包括：
9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其中，所述第二无机吸收层直接形成在所述第一无机吸收层上。
10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，所述第二无机吸收层包括铋、镱、钛、锆、钨、钽和氧化钼中的至少一种，其中，氧化钼由moo3表示。
