本技术涉及二极管领域，特别是涉及一种结构稳定的双层整流二极管。
背景技术：
1、整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件，其包含一个pn结，有正极和负极两个端子。在pn结传输电流时，其散发的热量会很高，而内部散热不佳时，会导致pn结烧坏，从而损坏整流二极管。而一些整流二极管为了保证散热效果减少了封装固定结构，如中国专利cn201810737044.0揭示了一种金属封装整流二极管及其制造方法，其包括管座，管芯组件，引线柱和管帽；管座和管帽分别形成第一、二电极；管芯组件焊接在管座上，引线柱的一端焊接在管芯组件上，另一端固定连接管帽；引线柱穿过管帽设置，管帽分别与管座和引线柱密封连接；引线柱由多股金属线编织形成，两端设置有用于紧固金属线的金属套。该二极管采用烧结制成管芯组件和烧结封焊方式，使得管芯组件周围没有支撑物，从而再实现散热效果的同时，无法保证二极管的整体结构。因此需要一种在稳定二极管结构的同时，还需保证其内部的散热效果的二极管。
技术实现思路
1、有鉴于此，本实用新型提供了一种结构稳定的双层整流二极管，以解决上述问题。
2、一种结构稳定的双层整流二极管，其包括一个管体，一个设置于所述管体上的管芯，一个设置于所述管芯的一端的引线组，以及一个套设于所述管芯上的散热组件。所述管体上开设有一个容置腔室。所述管芯包括一个设置于管体上的芯片，以及一个设置于所述芯片上的连接杆。所述散热组件包括一个树脂层，以及一个设置于所述树脂层远离所述芯片的一侧的硅胶层。所述树脂层与所述硅胶层之间相互抵接，且它们的周向外侧壁与所述容置腔室的周向内侧壁相互抵接。
3、进一步地，所述管体远离所述容置腔室的一端设置有一个固定螺柱，该固定螺柱插设于外部的一个电器件模块。
4、进一步地，所述芯片设置于所述容置腔室的底端。
5、进一步地，所述连接杆远离所述管体的一端具有一个焊接部，该焊接部表面平整，所述焊接部与所述引线组相互焊接固定。
6、进一步地，所述连接杆远离所述焊接部的一端与所述芯片焊接。
7、进一步地，所述引线组的两端分别设置有用于紧固金属线的金属连接片，一个所述金属连接片与所述焊接部焊接。
8、进一步地，所述连接杆的中段套设有所述树脂层与所述硅胶层。
9、进一步地，所述引线组由若干根金属线编织而成，该引线组上套设有用于保护金属线的热塑套。
10、与现有技术相比，本实用新型提供的结构稳定的双层整流二极管通过由树脂材料制成的所述树脂层填充于所述容置腔室中，并靠近所述芯片，如此使得所述芯片所散发的热量能够快速地通过所述树脂层传递到所述管体上，从而在稳定整个二极管结构的同时，也实现了散热效果，且所述树脂层的耐热性高，从而能够承受长时间的高温环境，进而提高了所述结构稳定的双层整流二极管的使用寿命。
1.一种结构稳定的双层整流二极管，其特征在于：所述结构稳定的双层整流二极管包括一个管体，一个设置于所述管体上的管芯，一个设置于所述管芯的一端的引线组，以及一个套设于所述管芯上的散热组件，所述管体上开设有一个容置腔室，所述管芯包括一个设置于管体上的芯片，以及一个设置于所述芯片上的连接杆，所述散热组件包括一个树脂层，以及一个设置于所述树脂层远离所述芯片的一侧的硅胶层，所述树脂层与所述硅胶层之间相互抵接，且它们的周向外侧壁与所述容置腔室的周向内侧壁相互抵接。
2.根据权利要求1所述的结构稳定的双层整流二极管，其特征在于：所述管体远离所述容置腔室的一端设置有一个固定螺柱，该固定螺柱插设于外部的一个电器件模块。
3.根据权利要求1所述的结构稳定的双层整流二极管，其特征在于：所述芯片设置于所述容置腔室的底端。
4.根据权利要求1所述的结构稳定的双层整流二极管，其特征在于：所述连接杆远离所述管体的一端具有一个焊接部，该焊接部表面平整，所述焊接部与所述引线组相互焊接固定。
5.根据权利要求4所述的结构稳定的双层整流二极管，其特征在于：所述连接杆远离所述焊接部的一端与所述芯片焊接。
6.根据权利要求4所述的结构稳定的双层整流二极管，其特征在于：所述引线组的两端分别设置有用于紧固金属线的金属连接片，一个所述金属连接片与所述焊接部焊接。
7.根据权利要求1所述的结构稳定的双层整流二极管，其特征在于：所述连接杆的中段套设有所述树脂层与所述硅胶层。
8.根据权利要求1所述的结构稳定的双层整流二极管，其特征在于：所述引线组由若干根金属线编织而成，该引线组上套设有用于保护金属线的热塑套。
