本发明涉及晶圆载置台。
背景技术：
1、以往，已知有具备内置有电极的陶瓷板、具有制冷剂流路的冷却板、以及将陶瓷板与冷却板接合的接合层的晶圆载置台。例如，在专利文献1中公开了设置贯通陶瓷板的贯通孔，通过烧结将多孔插塞接合于该贯通孔的方案。从设置于冷却板的气体供给路径向多孔插塞供给气体。在制造这样的晶圆载置台时，在陶瓷板的贯通孔中填充成为多孔插塞的前体的糊状的陶瓷混合物，对该陶瓷混合物进行烧成而形成多孔插塞。在烧成后多孔插塞的上端从陶瓷板的上表面突出的情况下，对多孔插塞的突出部分进行磨削而使多孔插塞的上端与陶瓷板的上表面齐平(没有高低差)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2019-29384号公报
技术实现思路
1、发明所要解决的课题
2、然而，在使用平面板对多孔插塞的突出部分进行磨削而使多孔插塞的上端与陶瓷板的上表面齐平的情况下，有粒子从多孔插塞脱落而损伤陶瓷板的上表面的危险。另外，在专利文献1中，在晶圆的下表面侧没有设置封入气体的空间，但在设置这样的空间的情况下，会通过喷砂加工等而在陶瓷板的上表面形成多个小突起。此时，若多孔插塞的上端与陶瓷板的上表面齐平，则存在微细的垃圾进入多孔插塞的问题。进而，还存在晶圆中与多孔插塞对置的位置容易成为低温的问题。
3、本发明是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于防止制造时在陶瓷板、多孔插塞发生不良情况，并且防止使用时损害晶圆的均热性。
4、用于解决课题的手段
5、[1]本发明的晶圆载置台具备：
6、陶瓷板，其具有晶圆载置部，并内置有电极，该晶圆载置部在基准面设置有用于支撑晶圆的多个小突起；
7、冷却板，其具有制冷剂流路；
8、接合层，其将所述陶瓷板与所述冷却板接合；
9、凹槽，其设置于所述基准面，底面比所述基准面低；
10、插塞配置孔，其在厚度方向上贯通所述陶瓷板，并在所述凹槽的底面开口；
11、多孔插塞，其配置于所述插塞配置孔，顶面与所述凹槽的底面为相同高度，外周面接合于所述插塞配置孔的内周面，允许气体流通；以及
12、气体供给路径，其向所述多孔插塞供给气体。
13、关于该晶圆载置台，在制造工序中有时对顶面与凹槽的底面为相同高度的多孔插塞接合在插塞配置孔的陶瓷板的表面(位于比陶瓷板的基准面高的位置)进行研磨。在该情况下，由于多孔插塞的顶面位于比基准面低的位置，因此多孔插塞的顶面不会被研磨。另外，在之后的制造工序中，有时在陶瓷板的表面形成多个小突起。在该情况下，如果在对形成各小突起的位置进行掩蔽并且对凹槽内的多孔插塞的顶面进行掩蔽之后，削掉未被掩蔽的区域，则能够防止微细的垃圾进入多孔插塞。另一方面，在使用晶圆载置台时，从气体供给路径向多孔插塞供给气体。在该情况下，晶圆中与多孔插塞对置的位置的气体压力较高，因此与其他部位相比容易成为低温。但是，在此，多孔插塞的顶面比基准面低。因此，和多孔插塞的顶面与基准面为相同高度的情况相比，能够抑制从晶圆中的与多孔插塞对置的区域向陶瓷板的热传导。因此，能够防止该区域变得过于低温。
14、需要说明的是，在本说明书中，“相同”除了完全相同的情况以外，还包括实质上相同的情况(例如公差范围内的情况)。
15、[2]在上述晶圆载置台(上述[1]所述的晶圆载置台)中，上述多孔插塞的外周面可以通过烧结而接合于上述插塞配置孔的内周面。
16、[3]在上述晶圆载置台(上述[2]所述的晶圆载置台)中，上述接合层的耐久温度可以比上述陶瓷板的烧结温度低。在制造这样的晶圆载置台的情况下，要在通过烧结将多孔插塞接合于陶瓷板的插塞配置孔后，将陶瓷板与冷却板接合。这是因为，若在将插塞配置孔保持空洞的状态的陶瓷板与冷却板接合之后通过烧结将多孔插塞接合于插塞配置孔，则烧结温度会超过接合层的耐久温度。
17、[4]在上述晶圆载置台(上述[1]～[3]中任一项所述的晶圆载置台)中，从上述凹槽的底面到上述基准面的距离可以为0.005mm以上且0.5mm以下。若该距离为0.5mm以下，则即使在使用晶圆载置台时利用等离子体处理晶圆，也能够防止在凹槽内产生放电。另外，若为0.005mm以上，则能够得到防止制造时在陶瓷板、多孔插塞产生不良情况的效果。
18、[5]在上述晶圆载置台(上述[1]～[4]中任一项所述的晶圆载置台)中，上述多孔插塞的顶面可以被具备多个细孔的保护盖覆盖，上述保护盖的顶面可以位于比上述小突起的顶面低的位置。这样，能够延长多孔插塞的寿命，能够防止保护盖抬起晶圆。
19、[6]在上述晶圆载置台(上述[1]～[5]中任一项所述的晶圆载置台)中，上述气体供给路径也可以是从上述冷却板的下表面经由设置于上述接合层中的面向上述多孔插塞的位置的接合层贯通孔向上述多孔插塞供给气体的路径，上述接合贯通孔也可以是上述多孔插塞不能通过的大小。这样，接合层会从下方支撑多孔插塞，因此能够防止在晶圆载置台制造时、使用时多孔插塞从插塞配置孔脱落。
1.一种晶圆载置台，其具备：
2.根据权利要求1所述的晶圆载置台，其中，所述多孔插塞的外周面通过烧结而接合于所述插塞配置孔的内周面。
3.根据权利要求2所述的晶圆载置台，其中，所述接合层的耐久温度比所述陶瓷板的烧结温度低。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的晶圆载置台，其中，从所述凹槽的底面到所述基准面的距离为0.005mm以上且0.5mm以下。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的晶圆载置台，其中，所述多孔插塞的顶面被具备多个细孔的保护盖覆盖，所述保护盖的顶面位于比所述小突起的顶面低的位置。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的晶圆载置台，其中，所述气体供给路径是从所述冷却板的下表面经由设置于所述接合层中的面向所述多孔插塞的位置的接合层贯通孔而到达所述多孔插塞的下表面的路径，
