本公开涉及功率半导体贴装加工，具体地，涉及一种键合芯片框架。
背景技术：
1、igbt是大功率开关元件中应用最为广泛的功率器件，是新能源变换与传输的核心器件，市场空间极为广阔。目前最先进的功率半导体器件封装工艺是以铜框架作为基板，通过3d形状的铜片将功率半导体芯片电极与铜框架的引出管脚进行互连，主要包括芯片贴装，回流焊，铜片键合，再次回流焊等工序。
技术实现思路
1、本公开的目的在于针对相关技术中的技术问题，提供一种键合芯片框架。具体方案如下：
2、本公开实施例提供一种键合芯片框架，包括：第一框架，所述第一框架包括：第一焊盘，设置有至少一个的焊接区域；第一引脚，与所述第一焊盘连接；第二引脚，通过第一架体与所述第一引脚连接；第二焊盘，设置于所述第二引脚的一端，所述第二焊盘与所述第一焊盘之间具有第一间隙；其中，所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第一引脚以及所述第二引脚处于同一平面；芯片，所述芯片具有正面和反面，所述正面设置有第一电极触点，所述反面设置有第二电极触点，所述第一电极触点与所述第一焊盘连接；或所述第一电极触点与所述第二焊盘连接；或所述第一电极触点与所述第一焊盘和所述第二焊盘连接；第二框架，设置于所述芯片远离所述第一框架的一侧，所述第二框架包括键合板和与所述键合板连接的第三引脚，所述键合板配置为将所述芯片的第二电极触点与所述第三引脚导通。
3、在一些实施例中，所述第一架体包括：凹陷部，所述凹陷部朝向远离所述第三引脚的方向凹陷，配置为避让所述第三引脚。
4、在一些实施例中，所述第三引脚相对于所述键合板所在平面朝向所述第一框架方向凸起，配置为至少部分延伸至所述凹陷部。
5、在一些实施例中，所述凹陷部与所述第一架体之间具有高度差，所述高度差为所述凹陷部的深度，所述深度为h1；所述第三引脚的厚度为h；其中，h＜h1，配置为使所述第三引脚处于所述凹陷部内部。
6、在一些实施例中，响应于所述键合板与所述芯片贴合，所述第三引脚与所述凹陷部之间具有第二间隙，所述第二间隙的宽度为h2，其中，h1=h+h2，配置为，使所述第三引脚与所述第一引脚和所述第二引脚处于同一平面。
7、在一些实施例中，所述芯片包括：第一芯片，具有一个第一电极触点，所述第一芯片的第一电极触点与所述第一焊盘连接；第二芯片，具有两个第一电极触点，记为第一电极触点一和第一电极触点二，所述第一电极触点一与所述第一焊盘连接，所述第一电极触点二与所述第二焊盘连接。
8、在一些实施例中，所述第二框架在厚度方向上的投影覆盖所述芯片的第二电极触点。
9、在一些实施例中，所述键合芯片框架还包括：第二架体，与所述第三引脚连接，配置为使所述第三引脚在空间上保持稳定。
10、在一些实施例中，所述第一框架和所述第二框架的表面贯穿设置有定位孔，配置为使所述第二框架与所述芯片准确定位。
11、本公开实施例的第二方面提供一种框架料带，包括本公开实施例的第一方面提供一种键合芯片框架，多个所述键合芯片框架以固定间距排列。
12、本公开实施例的上述方案与相关技术相比，至少具有以下有益效果：
13、本公开提供的键合芯片框架解决了相关技术中功率半导体器件组装精度要求较高的问题本公开提供的第一框架与芯片在贴装步骤的加工精度要求较低，工艺动作简单，且校准和连接速度快，节省加工时间，提高了生产效率的同时提高了成品率。
14、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
1.一种键合芯片框架，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的键合芯片框架，其特征在于，所述第一架体包括：
3.根据权利要求2所述的键合芯片框架，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的键合芯片框架，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的键合芯片框架，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的键合芯片框架，其特征在于，所述芯片包括：
7.根据权利要求4所述的键合芯片框架，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的键合芯片框架，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求1所述的键合芯片框架，其特征在于，
10.一种框架料带，其特征在于，包括：
