本申请涉及半导体器件，并且具体涉及形成半导体封装件的方法和相应的半导体封装件。
背景技术：
1、许多类型的半导体器件对寄生电效应诸如寄生互连电阻和电感、寄生电容耦合等高度敏感。例如，开关、rf(射频)功率放大器、低噪声放大器(lna)、天线调谐器、混频器等每个都对寄生电效应高度敏感。用于降低封装半导体器件上的寄生电效应的技术通常导致更高的总成本、更大的封装尺寸、更复杂的制造工艺、降低的器件性能等。
技术实现思路
1、公开了形成一个或更多个半导体封装件的方法。根据实施方式，方法包括：提供金属带，在金属带上安装一个或更多个半导体管芯，使得一个或更多个半导体管芯处于倒装芯片布置，由此一个或更多个半导体管芯的端子面对金属带的上表面，在金属带的上表面上形成封装一个或更多个半导体管芯的电绝缘封装材料，以及形成与一个或更多个半导体管芯的端子电连接的封装端子，其中，封装端子由金属带形成或由在移除金属带之后沉积的金属形成。
1.一种形成一个或更多个半导体封装件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述封装端子由所述金属带形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述封装端子通过对所述金属带执行掩模蚀刻形成，并且其中，所述封装端子由在所述掩模蚀刻之后保留的金属带的结构化部分形成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述封装端子由去除所述金属带之后沉积的金属形成。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述电绝缘封装材料包括可镀覆模制化合物，并且其中所述方法还包括执行一种或更多种金属沉积工艺，其包括使用所述可镀覆模制化合物在所述电绝缘封装材料的下侧沉积金属。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述电绝缘封装材料包括激光可活化模制化合物，其中，使用所述可镀覆模制化合物在所述电绝缘封装材料的下侧沉积金属包括：用激光能量激活所述激光可活化模制化合物的区域，并在所述激光可活化模制化合物的激活的区域上沉积所述金属。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述封装端子由从所述半导体管芯之一的端子横向偏移的金属垫形成，其中，所述方法还包括在所述电绝缘封装材料的下侧形成导电轨道，所述导电轨道将所述金属垫和所述半导体管芯之一的端子电连接，并且其中，所述金属垫和所述导电轨道通过一种或更多种镀覆工艺形成。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，安装所述一个或更多个半导体管芯包括：在所述一个或更多个半导体管芯的端子与所述金属带的上表面之间提供焊接区域，并执行回流所述焊接区域的焊接工艺，并且其中，所述焊接工艺在所述焊接区域与所述金属带的上表面之间的界面处形成金属间化合区域。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述金属间化合区域形成所述封装端子与所述半导体管芯之一的端子之间的电连接的一部分。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法包括：去除所述金属带以暴露所述金属间化合区域，并且在去除所述金属带之后去除所述金属间化合区域，使得所述金属间化合区域不形成所述封装端子与所述半导体管芯之一的端子之间的电连接的一部分。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括：在去除所述金属间化合区域之后将金属直接沉积在所述焊接区域上，其中，沉积的金属形成所述封装端子或导电轨道，所述导电轨道形成所述封装端子与所述半导体管芯之一的端子之间的电连接的一部分。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，安装所述一个或更多个半导体管芯包括将多个半导体管芯安装在所述金属带上，使得所述多个半导体管芯中的每一个半导体管芯都处于所述倒装芯片布置。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述金属带包括对准特征件，并且其中，安装所述一个或更多个半导体管芯包括使用所述对准特征件将所述多个半导体管芯中的每一个半导体管芯定位在所述金属带的上表面上。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，使用所述对准特征件将所述多个半导体管芯中的每一个半导体管芯定位在所述金属带的上表面上包括：生成管芯附接位置的映射，所述映射基于到所述对准特征件的距离来限定每个管芯附接位置的独有的位置。
