本申请涉及半导体，特别涉及一种半导体结构的制造方法。
背景技术：
1、现有的一些芯片，例如直接接触式场效应晶体管，其源极和栅极位于芯片的正面，漏极位于芯片的背面。在将芯片连接到电路板上时，通常采用铜外壳将漏极引到芯片的正面，铜外壳的底壁通过导电胶与芯片的漏极电连接，铜外壳的侧面向芯片的正面一侧延伸，来将芯片的漏极引至芯片的正面一侧，从而便于芯片与电路板电连接。
2、采用上述的方案会出现铜外壳倾斜、芯片倾斜、铜外壳变形、导电胶用量不易控制等问题，而导致产品良率较低。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法。所述制造方法包括：
2、将多个芯片贴装在载板上，相邻所述芯片间隔设置；所述芯片包括芯片正面、与所述芯片正面相对的芯片背面、及连接所述芯片正面与所述芯片背面的多个芯片侧面，所述芯片包括设置在所述芯片正面的控制极和第一极、以及设置在所述芯片背面的第二极；
3、设置预制的导电件；其中，所述预制的导电件包括横向延伸的第二部、设于所述第二部一侧并纵向延伸的第一部以及设于所述第一部的侧壁的绝缘层；所述第一部至少设于所述相邻芯片之间的间隔内，所述绝缘层位于所述第一部与对应芯片的侧面之间，所述第二部贴设于至少部分所述第二极；
4、对所述相邻芯片之间的间隔内的第一部进行切割，形成间隔设置的侧方导电部，所述侧方导电部与所连接的第二部形成用于将所述第二极引至所述芯片正面的导电结构，并且所述侧方导电部背离所述芯片背面的表面、所述控制极背离所述芯片背面的表面及所述第一极背离所述芯片背面的表面在同一平面内。
5、在一些实施例中，所述第二部朝向所述第一部的表面的至少部分区域设有粘结层；所述粘结层的材质为导电材质。
6、在一些实施例中，在对所述相邻芯片之间的间隔内的第一部进行切割，形成间隔设置的侧方导电部之后，所述制造方法还包括：
7、去除所述载板，得到多个半导体结构。
8、在一些实施例中，在去除所述载板，得到多个半导体结构之后，所述制造方法还包括：
9、采用植球工艺在所述半导体结构背离所述芯片背面的一侧形成多个导电球，所述控制极、所述第一极及所述侧方导电部分别与至少一个所述导电球电连接。
10、在一些实施例中，在设置预制的导电件之后，在对所述相邻芯片之间的间隔内的第一部进行切割，形成间隔设置的侧方导电部之前，所述制造方法包括：
11、去除所述载板，得到半导体中间组件；
12、采用植球工艺在所述半导体中间组件背离所述芯片背面的一侧形成多个导电球，所述控制极及所述第一极分别与至少一个所述导电球电连接；所述第一部与至少两个所述导电球电连接；
13、所述对所述相邻芯片之间的间隔内的第一部进行切割，形成间隔设置的侧方导电部之后，每一所述侧方导电部与至少一个所述导电球电连接。
14、在一些实施例中，所述导电件包括多个预制导电单元，多个所述预制导电单元的横截面全部呈t形，或多个所述预制导电单元中部分预设导电单元的横截面呈t形，另一部分预设导电单元的横截面呈倒l型。
15、在一些实施例中，所述导电件包括横向连续设置的多个第二部，及对应设于所述多个第二部的多个第一部，所述第二部的端部设置有第一部或所述第二部的端部不设置第一部，所述第二部覆盖所述芯片背面的全部区域。
16、在一些实施例中，所述第二部的端部设置有第一部的；
17、所述设置预制的导电件之后，设置于第二部端部的所述第一部，分别设于所述载板边缘区域的所述芯片外侧面，形成位于对应芯片的一侧方导电部。
18、在一些实施例中，在所述设置预制的导电件之前，所述方法包括：
19、形成具有所述第一部和所述第二部的导电中间件；
20、在所述导电中间件的所述第一部的侧壁上设置绝缘层，形成所述预制的导电件。
21、在一些实施例中，在对所述相邻芯片之间的间隔内的第一部进行切割，形成间隔设置的侧方导电部之后，所述方法包括：
22、形成保护层，所述保护层至少位于所述侧方导电部以及所述第二部背离所述芯片的表面。
23、在一些实施例中，所述第一极为源极，所述第二极为漏极。
24、本申请实施例所达到的主要技术效果是：
25、本申请实施例提供的半导体结构的制造方法，第二电极通过第二部与侧方导电部电连接，从而可通过第二部和侧方导电部将第二电极引至芯片的芯片正面；由于侧方导电部背离芯片背面的表面、控制极背离芯片背面的表面及第一极背离芯片背面的表面在同一平面，便于制造得到的半导体结构与电路板相连。且本申请实施例提供的半导体结构的制造方法，在制造过程中芯片贴装于载板上，芯片不易发生倾斜，且无需使用铜外壳及用于将芯片与铜外壳电连接的导电胶，可避免芯片倾斜、铜外壳倾斜及导电胶用量不适导致的产品良率低的问题，可保证半导体结构与电路板连接的良率。
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二部朝向所述第一部的表面的至少部分区域设有粘结层；所述粘结层的材质为导电材质。
3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在对所述相邻芯片之间的间隔内的第一部进行切割，形成间隔设置的侧方导电部之后，所述制造方法还包括：
4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在去除所述载板，得到多个半导体结构之后，所述制造方法还包括：
5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在设置预制的导电件之后，在对所述相邻芯片之间的间隔内的第一部进行切割，形成间隔设置的侧方导电部之前，所述制造方法包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述导电件包括多个预制导电单元，多个所述预制导电单元的横截面全部呈t形，或多个所述预制导电单元中部分预设导电单元的横截面呈t形，另一部分预设导电单元的横截面呈倒l型。
7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述导电件包括横向连续设置的多个第二部，及对应设于所述多个第二部的多个第一部，所述第二部的端部设置有第一部或所述第二部的端部不设置第一部，所述第二部覆盖所述芯片背面的全部区域。
8.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二部的端部设置有第一部的；
9.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述设置预制的导电件之前，所述方法包括：
10.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在对所述相邻芯片之间的间隔内的第一部进行切割，形成间隔设置的侧方导电部之后，所述方法包括：
11.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一极为源极，所述第二极为漏极。
