本公开涉及衬底处理系统中的可移动的边缘环。
背景技术：
1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的发明人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
2、衬底处理系统可用于处理诸如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上执行的示例性处理包括但不限于化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)、导体蚀刻和/或其他蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上，衬底支撑件例如基座、静电卡盘(esc)等。在蚀刻期间，可以将包括一种或多种前体的气体混合物引入处理室，并且可以使用等离子体来引发化学反应。
3、衬底支撑件可包括布置成支撑晶片的陶瓷层。例如，晶片可以在处理期间被夹持到陶瓷层上。衬底支撑件可包括围绕衬底支撑件的外部部分(例如，周边的外部和/或邻近周边)布置的边缘环。可以提供边缘环以将等离子体约束在衬底上方的体积中，保护衬底支撑件免受等离子体引起的侵蚀等。
技术实现思路
1、一种边缘环被配置为在衬底处理系统中经由一个或多个升降销相对于衬底支撑件升高和降低。所述边缘环还被配置为在所述边缘环的调整过程中与从衬底支撑件的底部环和/或中部环向上延伸的引导特征对接。所述边缘环包括：上表面；环形内径；环形外径；下表面；以及环形凹槽，所述环形凹槽被布置在所述边缘环的所述下表面中，以与所述引导特征对接。所述环形凹槽的壁是基本竖直的。
2、一种边缘环被配置为在衬底处理系统中经由一个或多个升降销相对于衬底支撑件升高和降低。所述边缘环包括：上表面；环形内径；环形外径；和下表面。所述边缘环的在所述上表面和所述外径之间的界面处的上部外侧拐角被倒角。
3、根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
1.一种用于衬底处理系统的边缘环，所述边缘环包括：
2.根据权利要求1所述的边缘环，其中，与所述边缘环的所述环形内径相比，所述环形凹槽被设置为更靠近所述边缘环的所述环形外径。
3.根据权利要求1所述的边缘环，其中，所述边缘环是“u”形的。
4.根据权利要求1所述的边缘环，其中，所述边缘环的所述上表面上的上部外侧拐角被倒角。
5.根据权利要求1所述的边缘环，其中，所述边缘环的所述下表面上的下部外侧拐角被倒角。
6.根据权利要求1所述的边缘环，其中，所述环形凹槽的拐角被倒角。
7.根据权利要求1所述的边缘环，其中，所述边缘环在所述环形内径处的厚度至少是所述边缘环在所述边缘环的所述环形外径处的厚度。
8.根据权利要求1所述的边缘环，其中，所述环形凹槽被配置为在所述边缘环的调整期间，与从衬底支撑件的底部环或中部环向上延伸的引导特征对接。
9.根据权利要求8所述的边缘环，其中，所述环形凹槽引导的深度约为所述引导特征的高度的5％。
10.根据权利要求1所述的边缘环，其中，与所述边缘环的所述环形外径相比，所述环形凹槽被设置为更靠近所述边缘环的所述环形内径。
11.一种用于衬底处理系统的边缘环，所述边缘环包括：
12.根据权利要求11所述的边缘环，其中，所述边缘环的所述环形外侧壁的上部外侧拐角被倒角。
13.根据权利要求11所述的边缘环，其中，所述边缘环的所述环形外侧壁的下部外侧拐角被倒角。
14.根据权利要求11所述的边缘环，其中，所述环形凹槽的拐角被倒角。
15.根据权利要求11所述的边缘环，其中，所述环形凹槽被配置为在所述边缘环的调整期间，与从衬底支撑件的底部环或中部环向上延伸的引导特征对接。
16.根据权利要求15所述的边缘环，其中，所述环形凹槽引导的深度约为所述引导特征的高度的5％。
