本发明涉及计算机零部件制造领域，尤其涉及一种cpu镀层的形成方法。
背景技术：
1、cpu是计算机中的核心部分，也是电路板上的主体，随着不断地改进发展，其性能在不断的提升。cpu在体积如此小的状态下进行运算，必然会产生很大热量，如果不将热量及时地散出，其工作性能必将会受到影响，其使用寿命也会缩短。传统的散热方式主要是在其背面安装电扇，布满冷却管如cn201910932339.8，以及在背面粘贴散热片，如cn1372327a.但是，此种结构的cpu制造成本高，占用空间，且冷却效果不理想。。
2、因此，亟待提供一种cpu镀层的形成方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种cpu镀层的形成方法，在cpu的预定表面上形成具有散热性能的镀膜，从而防止cpu在运行时过热而影响工作性能。
2、为实现上述目的，本发明cpu镀层的形成方法，包括：
3、封装cpu并将所述cpu的待处理表面暴露；
4、清洗所述待处理表面；以及
5、在具有负压的真空腔室内对所述待处理表面进行镀膜形成镀层，所述镀层为sio2、tio2、al2o3中的一种或多种。
6、与现有技术相比，本发明通过在真空腔室内对cpu的待处理表面进行镀膜形成镀层，该镀层具有良好的导热性能，从而使cpu散热快，防止cpu过热而影响其工作性能，更佳地，该镀层为sio2、tio2、al2o3中的一种或多种，这些材料基于成本、可操作性及导热性考虑具有明显优势。
7、较佳地，所述待处理表面通过等离子体进行清洗。
8、较佳地，所述真空腔室的所述负压为10-3至10-4pa。
9、较佳地，对所述待处理表面进行镀膜的方式包括电子束蒸发、磁控溅射或原子层沉积。
10、较佳地，所述镀层在60-80℃温度下形成。
11、较佳地，所述镀层的厚度为80-100nm。
1.一种cpu镀层的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的cpu镀层的形成方法，其特征在于：所述待处理表面通过等离子体进行清洗。
3.如权利要求1所述的cpu镀层的形成方法，其特征在于：所述真空腔室的所述负压为10-3至10-4pa。
4.如权利要求1所述的cpu镀层的形成方法，其特征在于：对所述待处理表面进行镀膜的方式包括电子束蒸发、磁控溅射或原子层沉积。
5.如权利要求1所述的cpu镀层的形成方法，其特征在于：所述镀层在60-80℃温度下形成。
6.如权利要求1所述的cpu镀层的形成方法，其特征在于：所述镀层的厚度为80-100nm。
