本发明涉及一种层叠结构体。
背景技术：
1、半导体制造装置中的载物台包括铝基板和形成在其表面的绝缘层。例如，根据专利文献1所公开的结构，绝缘层包括例如通过阳极氧化形成在基体上的氧化铝层(耐酸铝(alumite)层)和通过热喷涂(thermal spraying)形成的氧化铝层(氧化铝覆盖层)。耐酸铝层和氧化铝覆盖层不能获得良好的附着力。因此，需要通过对耐酸铝层表面进行喷砂处理来使其粗糙化，提高氧化铝覆盖层的附着力。
2、(现有技术文献)
3、(专利文献)
4、专利文献1：日本特开2000-114189号公报
技术实现思路
1、(发明所要解决的问题)
2、根据专利文献1的结构，对于30μm左右的耐酸铝层，通过喷砂处理那样的物理粗糙化处理削去10μm左右，从而提高耐酸铝层与氧化铝喷涂层的附着力。为了形成具有能够承受如喷砂处理那样的粗糙化的厚度的耐酸铝层，需要长的制造时间。而且，还需要通过喷砂处理去除耐酸铝层的处理，因此需要更长的制造时间。另外，如果基体因粗糙化处理而暴露，则暴露的部分可能会对耐电压产生不良影响。因此，为了减少制造不良，有时需要使耐酸铝层更厚。
3、本发明的目的之一为即使不进行像喷砂处理那样的物理粗糙化处理，也可以提高覆盖层的附着力。
4、(解决问题所采用的措施)
5、根据一个实施方式，提供一种适用于半导体制造装置的层叠结构体，其包括含有铝并具有第一面的基体、配置于所述基体的所述第一面的含有氧化铝的中间层、以及配置在所述中间层上的含有金属原子的覆盖层，所述中间层具有在与所述第一面平行的截面形状中形成多个空隙的分隔壁，所述中间层具有覆盖所述基体的所述第一面的边界层，所述覆盖层配置在所述中间层中的所述多个空隙的一部分，所述多个空隙包含与所述边界层相邻且与所述覆盖层分离的空隙。
6、所述多个空隙可以包括第一空隙和与该第一空隙相邻的第二空隙，所述第一空隙的第一直径可以为10nm以上且100nm以下，所述第二空隙的第二直径可以为所述第一直径的1.5倍以上。
7、所述第一直径可以为10nm以上且30nm以下。
8、所述第一空隙和所述第二空隙之间的分隔壁的厚度可以小于所述第一空隙的第一直径的长度。
9、所述分隔壁可以含有网状结构。
10、所述中间层的厚度为2μm以下，所述覆盖层和所述中间层之间的附着强度大于所述覆盖层的断裂强度，所述中间层和所述覆盖层的耐电压可以为28kvdc/mm以上。
11、根据一个实施方式，提供一种适用于半导体制造装置的层叠结构体，其包括含有铝的具有第一面的基体、配置于所述基体的所述第一面的含有氧化铝的中间层、以及配置在所述中间层上的含有金属原子的覆盖层，其中，所述中间层具有在与所述第一面平行的截面形状中形成多个空隙的分隔壁，所述多个空隙包含具有第一直径的第一空隙和与所述第一空隙相邻且具有第二直径的第二空隙，所述第一直径为10nm以上且30nm以下，所述第二直径为所述第一直径的1.5倍以上。
12、根据一个实施方式，提供一种适用于半导体制造装置的层叠结构体，其包括含有铝的具有第一面的基体、配置于所述基体的所述第一面的含有氧化铝的中间层、以及配置在所述中间层上的含有金属原子的覆盖层，其中，所述中间层具有在与所述第一面平行的截面形状中形成多个空隙的分隔壁，所述多个空隙包含具有第一直径的第一空隙和与所述第一空隙相邻的第二空隙，所述第一空隙和所述第二空隙之间的分隔壁的厚度小于所述第一直径的长度。
13、根据一个实施方式，提供一种适用于半导体制造装置的层叠结构体，其包括含有铝的具有第一面的基体、配置于所述基体的所述第一面的含有氧化铝的中间层、以及配置在所述中间层上的含有金属原子的覆盖层，所述中间层具有在与所述第一面平行的截面形状中形成多个空隙的网状分隔壁。
14、根据一个实施方式，提供一种适用于半导体制造装置的层叠结构体，包括含有铝的具有第一面的基体、配置于所述基体的所述第一面的含有氧化铝的中间层、以及配置在所述中间层上的含有金属原子的覆盖层，所述中间层具有在与所述第一面平行的截面形状中形成多个空隙的分隔壁，所述中间层的厚度为2μm以下，所述覆盖层与所述中间层的附着强度大于所述覆盖层的断裂强度，所述中间层和所述覆盖层的耐电压为28kvdc/mm以上。
15、所述基板和所述覆盖层之间的附着强度可以为20mpa以上。
16、所述分隔壁可以具有相对于所述第一面垂直延伸的部分，所述空隙可以具有相对于所述第一面垂直扩展的部分。
17、所述金属原子可以为铝。
18、所述覆盖层可以含有氧化铝。
19、所述覆盖层可以为热喷涂膜的层。
20、根据一个实施方式，提供一种载物台，其包括上述的层叠结构体，所述覆盖层为绝缘体，在与所述第一面相反侧的第二面中，在所述基体的至少一部分具有未形成有所述覆盖层的区域。
21、根据一个实施方式，提供一种半导体制造装置，其包括上述的载物台和配置有所述载物台的腔室。
22、还可以包括用于在所述腔室产生等离子体的电极。
23、根据一个实施方式，提供一种适用于半导体制造装置的层叠结构体的制造方法，其包括对含有铝的基体实施氧化处理而在所述基体的第一面形成具有多个空隙的氧化铝的中间层的步骤，以及以侵入所述多个空隙的一部分的方式通过热喷涂来在所述中间层上形成含有金属原子的覆盖层的步骤。
24、所述中间层的厚度可以为2μm以下。
25、(发明的效果)
26、根据本发明，即使不进行像喷砂处理那样的物理粗糙化处理，也可以提高覆盖层的附着力。
1.一种适用于半导体制造装置的层叠结构体，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的层叠结构体，其中，
3.根据权利要求2所述的层叠结构体，其中，所述第一直径为10nm以上且30nm以下。
4.根据权利要求2所述的层叠结构体，其中，所述第一空隙和所述第二空隙之间的分隔壁的厚度小于所述第一空隙的第一直径的长度。
5.根据权利要求1所述的层叠结构体，其中，所述分隔壁含有网状结构。
6.根据权利要求1所述的层叠结构体，其中，
7.一种适用于半导体制造装置的层叠结构体，其中，包括：
8.一种适用于半导体制造装置的层叠结构体，其中，包括：
9.一种适用于半导体制造装置的层叠结构体，其中，包括：
10.一种适用于半导体制造装置的层叠结构体，其中，包括：
11.根据权利要求1所述的层叠结构体，其中，所述基板和所述覆盖层的附着强度为20mpa以上。
12.根据权利要求1所述的层叠结构体，其中，
13.根据权利要求1所述的层叠结构体，其中，所述金属原子为铝。
14.根据权利要求13所述的层叠结构体，其中，所述覆盖层含有氧化铝。
15.根据权利要求1所述的层叠结构体，其中，所述覆盖层为热喷涂膜的层。
16.一种载物台，其中，包括：
17.一种半导体制造装置，其中，包括：
18.根据权利要求17所述的半导体制造装置，其中，还包括用于在所述腔室产生等离子体的电极。
19.一种适用于半导体制造装置的层叠结构体的制造方法，其中，包括：
20.根据权利要求19所述的层叠结构体的制造方法，其中，所述中间层的厚度为2μm以下。
