用于光伏组件的盖板和光伏组件的制作方法

专利2026-02-09  0


本技术涉及光伏组件,尤其是涉及一种用于光伏组件的盖板和光伏组件。


背景技术:

1、目前光伏组件行业内普遍使用镀膜钢化玻璃作为光伏组件的盖板,钢化玻璃表面的膜层是一层纳米级的功能材料,主要作用是降低钢化玻璃表面的反射,提高钢化玻璃的透光率,进而提高光伏组件的整体功率。

2、为提高海上光伏组件的应用,现有许多公司推出海上光伏组件产品。然而,由于海上环境为高湿和高腐蚀环境,现有光伏组件在在海上应用时,光伏组件的盖板直接接触高盐雾,容易在高盐雾的环境中被腐蚀,降低了光伏组件的使用寿命,且海上的太阳光线较强,光伏组件的反射光线也较强,会导致光伏组件的光电转换效率低。


技术实现思路

1、本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型的一个目的在于提出一种用于光伏组件的盖板,可防止光伏组件受到海水以及高盐雾的腐蚀,提升了光伏组件的使用寿命,同时,降低了光伏组件的反射强度,提高了光伏组件的光电转换效率。

2、本实用新型的另一个目的在于提出一种采用上述用于光伏组件的盖板的光伏组件。

3、根据本实用新型第一方面实施例的用于光伏组件的盖板,包括:本体;第一耐腐蚀层,所述第一耐腐蚀层设在所述本体的厚度方向的一侧;减反层,所述减反层设在所述第一耐腐蚀层的远离所述本体的一侧;第二耐腐蚀层,所述第二耐腐蚀层设在所述减反层的远离所述第一耐腐蚀层的一侧。

4、根据本实用新型实施例的用于光伏组件的盖板,通过将第一耐腐蚀层设在本体的厚度方向的一侧。减反层设在第一耐腐蚀层的远离本体的一侧。第二耐腐蚀层设在减反层的远离第一耐腐蚀层的一侧。由此,与传统的光伏组件相比,可防止光伏组件受到海水以及高盐雾的腐蚀,提升了光伏组件的使用寿命,同时,降低了光伏组件的反射强度,提高了光伏组件的光电转换效率。

5、根据本实用新型的一些实施例,所述第一耐腐蚀层和所述第二耐腐蚀层中的至少一个为镍层、镍合金层、钛层或钛合金层。

6、根据本实用新型的一些实施例,所述第一耐腐蚀层的厚度为d1,所述d1满足:5nm≤d1≤50nm。

7、根据本实用新型的一些实施例,所述第二耐腐蚀层的厚度为d2,所述d2满足:5nm≤d2≤200nm。

8、根据本实用新型的一些实施例,所述减反层为二氧化硅层。

9、根据本实用新型的一些实施例,所述减反层的厚度为d3,所述d3满足:100nm≤d3≤300nm。

10、根据本实用新型的一些实施例,所述减反层的折射率为α,所述α满足:1.25≤α≤1.32。

11、根据本实用新型的一些实施例,所述盖板的厚度为d4,所述d4满足:1.6mm≤d4≤4mm。

12、根据本实用新型第二方面实施例的光伏组件,包括:电池层;盖体,所述盖板设在所述电池层的厚度方向的一侧,所述盖板为根据本实用新型上述第一方面实施例的用于光伏组件的盖板;背板,所述背板设在所述电池层的厚度方向的另一侧。

13、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。



技术特征:

1.一种用于光伏组件的盖板,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的用于光伏组件的盖板,其特征在于,所述第一耐腐蚀层和所述第二耐腐蚀层中的至少一个为镍层、镍合金层、钛层或钛合金层。

3.根据权利要求2所述的用于光伏组件的盖板,其特征在于,所述第一耐腐蚀层的厚度为d1,所述d1满足:5nm≤d1≤50nm。

4.根据权利要求2所述的用于光伏组件的盖板,其特征在于,所述第二耐腐蚀层的厚度为d2,所述d2满足:5nm≤d2≤200nm。

5.根据权利要求1所述的用于光伏组件的盖板,其特征在于,所述减反层为二氧化硅层。

6.根据权利要求5所述的用于光伏组件的盖板,其特征在于,所述减反层的厚度为d3,所述d3满足:100nm≤d3≤300nm。

7.根据权利要求5所述的用于光伏组件的盖板,其特征在于,所述减反层的折射率为α,所述α满足:1.25≤α≤1.32。

8.根据权利要求1所述的用于光伏组件的盖板,其特征在于,所述盖板的厚度为d4,所述d4满足:1.6mm≤d4≤4mm。

9.一种光伏组件,其特征在于包括


技术总结
本技术公开了一种用于光伏组件的盖板和光伏组件,用于光伏组件的盖板包括本体、第一耐腐蚀层、减反层和第二耐腐蚀层。第一耐腐蚀层设在本体的厚度方向的一侧。减反层设在第一耐腐蚀层的远离本体的一侧。第二耐腐蚀层设在减反层的远离第一耐腐蚀层的一侧。根据本技术的用于光伏组件的盖板,可防止光伏组件受到海水以及高盐雾的腐蚀,提升了光伏组件的使用寿命,同时,降低了光伏组件的反射强度,提高了光伏组件的光电转换效率。

技术研发人员:吉平,侯如钟,杨连丽,陈龙
受保护的技术使用者:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
技术研发日:20231027
技术公布日:2024/6/26
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