本申请涉及sc切高精密石英谐振器的制造，尤其涉及一种高精密sc切石英振子的制备方法及sc切石英谐振器。
背景技术：
1、sc切高精密石英谐振器作为频率元件，主要用于工作在拐点温度下的恒温晶体振荡器，为其产生高精度振荡频率提供时间基准。sc切高精密石英谐振器主要由sc切高精密石英振子和罩壳组成，如图1所示，sc切高精密石英振子是在清洗干净的石英晶片上下表面真空镀上一定厚度的金属薄膜层而制成的，如图2所示，使用导电胶将sc切高精密石英振子粘接在支架上，然后对其进行真空冷压焊封装，最终形成sc切高精密石英谐振器。
2、sc切高精密石英谐振器作为频率元件，主要用于工作在拐点温度下的恒温晶体振荡器，为其产生高精度振荡频率提供时间基准。而sc切高精密石英振子作为sc切高精密石英谐振器的内部关键器件，其q值和电阻性能决定了sc切高精密石英谐振器的q值和电阻性能，从而最终影响高稳晶振相位噪声和短期稳定度等性能。
技术实现思路
1、本说明书实施例提供一种高精密sc切石英振子的制备方法及sc切石英谐振器，用于解决现有技术中sc切石英振子传统制备方法q值较低、电阻较高的问题。
2、本说明书实施例提供的技术方案为：
3、第一方面，本申请实施例提供一种高精密sc切石英振子的制备方法，包括以下步骤：
4、烘烤：对清洗干净的sc切石英晶片进行烘烤，烘烤温度为300-400℃；烘烤时间为3-6小时，烘烤结束后，将其转至镀膜工装内；
5、等离子处理：处理参数包括气体成分、气体流量、射频功率和射频时间，所述气体成分包括氩气和氧气，氩气和氧气比例为6：4-9：1，气体流量为100-140sccm，射频功率为140-190w，射频时间为110-190s；
6、镀膜：对石英晶片的两面镀膜，镀膜材质为纯度不低于99％的au，镀膜厚度为镀膜温度为110-130℃，膜层附着速度为不低于镀膜完毕的sc切石英晶片为sc石英振子；
7、烘烤固化：烘烤温度为230-260℃，烘烤时间为4～6小时，烘烤结束，取出sc切石英振子。
8、作为优选的，所述烘烤、等离子处理、镀膜和烘烤固化均处于不低于1×10-2tor真空氛围进行。
9、作为优选的，所述气体成分为氩气80％、氧气20％。
10、作为优选的，所述气体流量为120sccm。
11、作为优选的，所述射频功率为150-180w。
12、作为优选的，所述射频时间为120-180s。
13、作为优选的，镀膜材质为纯度不低于99.999％的au。
14、作为优选的，所述镀膜温度为120℃。
15、作为优选的，所述烘烤温度为250℃。
16、第二方面，本申请实施例提供一种sc切石英谐振器，包括上述任一方法制备的高精密sc切石英振子。
17、本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：通过上述方法能够去除金属膜层与晶片表面之间的内应力，增加金属膜层附着力，实现提高q值和降低电阻的目的。
1.一种高精密sc切石英振子的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种高精密sc切石英振子的制备方法，其特征在于，所述烘烤、等离子处理、镀膜和烘烤固化均处于不低于1×10-2tor真空氛围进行。
3.根据权利要求1所述的一种高精密sc切石英振子的制备方法，其特征在于，所述气体成分为氩气80％、氧气20％。
4.根据权利要求1所述的一种高精密sc切石英振子的制备方法，其特征在于，所述气体流量为120sccm。
5.根据权利要求1所述的一种高精密sc切石英振子的制备方法，其特征在于，所述射频功率为150-180w。
6.根据权利要求1所述的一种高精密sc切石英振子的制备方法，其特征在于，所述射频时间为120-180s。
7.根据权利要求1所述的一种高精密sc切石英振子的制备方法，其特征在于，镀膜材质为纯度不低于99.999％的au。
8.根据权利要求1所述的一种高精密sc切石英振子的制备方法，其特征在于，所述镀膜温度为120℃。
9.根据权利要求1所述的一种高精密sc切石英振子的制备方法，其特征在于，所述烘烤温度为250℃。
10.一种sc切石英谐振器，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述方法制备的高精密sc切石英振子。
