示例实施例涉及一种半导体封装件。更具体地，示例实施例涉及一种扇出型封装。
背景技术：
1、在制造扇出型封装件时，密封构件可以形成在下重分布布线层上以覆盖半导体芯片，可以形成铜柱以穿透密封构件，并且可以在密封构件上形成背面重分布布线层。然后，可以通过在背面重分布布线层的最外层绝缘层上执行激光标记工艺来形成标记图案。然而，由于激光标记工艺可能使用波长在绿色波长范围内(例如，532nm)的激光，并且由于绝缘层材料在绿色激光波长范围内的反射率可能较高，因此激光烧蚀可能是困难的，从而使得难以确保标记可视性。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种半导体封装件，该半导体封装件提高了标记图案的可视性，并且可以提高制造工艺的效率。
2、示例实施例提供了一种制造半导体封装件的方法。
3、根据示例实施例，一种半导体封装件包括：下重分布布线层，所述下重分布布线层具有第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域，所述下重分布布线层包括第一重分布布线；半导体芯片，所述半导体芯片在所述下重分布布线层的所述第一区域上并且电连接到所述第一重分布布线；密封构件，所述密封构件位于所述下重分布布线层上在所述半导体芯片的侧表面上；多个垂直导电结构，所述多个垂直导电结构在所述下重分布布线层的所述第二区域上穿透所述密封构件，并且电连接到所述第一重分布布线；在所述半导体芯片上的标记图案；种子层焊盘，所述种子层焊盘在所述垂直导电结构的各自的端部上，所述端部在所述密封构件的上表面被所述密封构件暴露；以及在所述密封构件和所述标记图案上的上重分布布线层，所述上重分布布线层包括电连接到所述多个垂直导电结构的第二重分布布线。
4、根据示例实施例，一种半导体封装件包括：下重分布布线层，所述下重分布布线层包括第一重分布布线；在所述下重分布布线层上的半导体芯片，其中，包括芯片焊盘的所述半导体芯片的第一表面面向所述下重分布布线层；密封构件，所述密封构件在所述半导体芯片上并且在所述下重分布布线层上，其中所述密封构件暴露所述半导体芯片的与所述第一表面相对的第二表面；多个垂直导电结构，所述多个垂直导电结构穿透所述密封构件并且电连接到所述第一重分布布线；在所述半导体芯片的所述第二表面上的标记图案；以及上重分布布线层，所述上重分布布线层在所述密封构件和所述标记图案上，所述上重分布布线层包括电连接到所述多个垂直导电结构的第二重分布布线。所述标记图案的上表面与所述密封构件的上表面共面。
5、根据示例实施例，一种半导体封装件包括：下重分布布线层，所述下重分布布线层具有第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域，所述下重分布布线层包括第一重分布布线；半导体芯片，所述半导体芯片在所述下重分布布线层的所述第一区域上，其中，包括芯片焊盘的所述半导体芯片的第一表面面向所述下重分布布线层；密封构件，所述密封件在所述半导体芯片上并且在所述下重分布布线层上，其中所述密封构件暴露所述半导体芯片的与所述第一表面相对的第二表面；多个垂直导电结构，所述多个垂直导电结构在所述下重分布布线层的所述第二区域上穿透所述密封构件，并且电连接到所述第一重分布布线；在所述半导体芯片的所述第二表面上的标记图案；在所述垂直导电结构的各自的端部的种子层焊盘，所述端部在所述密封构件的上表面处被所述密封构件暴露；以及上重分布布线层，所述上重分布布线层在所述密封构件和所述标记图案上，所述上重分布布线层包括在所述种子层焊盘上的第二重分布布线。所述密封构件在所述标记图案的侧表面上，并且在所述种子层焊盘的侧表面上。
6、根据示例实施例，在制造半导体封装件的方法中，在具有第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域的载体基板上顺序形成绝缘层和种子层。多个垂直导电结构形成在所述第二区域中的所述种子层上。将第一激光照射到所述第二区域上的所述种子层上，以去除在所述垂直导电结构之间的所述种子层的部分，以在所述垂直导电结构下形成种子层焊盘。将第二激光照射到所述第一区域上的所述种子层上以形成标记图案。在所述第一区域的所述标记图案上设置半导体芯片，使得所述半导体芯片的与其包括芯片焊盘的第一表面相对的第二表面面向所述绝缘层。在所述绝缘层上、所述半导体芯片上和所述垂直导电结构上形成密封构件。在所述密封构件的第一表面上形成下重分布布线层，所述下重分布布线层具有电连接到所述芯片焊盘和所述垂直导电结构的第一重分布布线。在所述密封构件的第二表面上和所述标记图案上形成上重分布布线层，所述上重分布布线层具有电连接到所述垂直导电结构的第二重分布布线。
7、根据示例实施例，作为扇出型晶圆级封装件的半导体封装件可以包括下重分布布线层、在所述下重分布布线层上的半导体芯片、在所述半导体芯片的至少一部分上和所述下重分布层的上表面上的密封构件、穿透所述密封构件的多个垂直导电结构、在半导体芯片上的标记图案、以及在所述密封构件的上表面上的上重分布布线层。
8、所述标记图案可以在所述下重分布布线层的所述第一区域中的所述半导体芯片的背面表面上。所述标记图案可以包括种子层虚设图案和由通孔限定的凹版图案，所述通孔通过在所述种子层虚设焊盘上照射激光而形成。即使所述上重分布布线层可以完全覆盖所述标记图案，所述标记图案也可以通过所述上重分布布线层来标识。
9、取代雕刻pid材料的上绝缘层的现有标记工艺，所述标记图案可以通过激光加工用于形成垂直导电结构的种子层的一部分来形成。因此，可以提高标记图案的可视性，并且可以提高标记工艺的效率。
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述标记图案的上表面与所述密封构件的上表面共面。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述种子层焊盘的上表面与所述密封构件的上表面共面或者低于所述密封构件的上表面。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述密封构件在所述标记图案的侧表面上。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述标记图案包括第一种子层和堆叠在所述第一种子层上的第二种子层。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述第一种子层包括铜，而所述第二种子层包括钛。
7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述种子层焊盘分别包括所述第一种子层和堆叠在所述第一种子层上的所述第二种子层，或者其中，所述种子层焊盘分别包括所述第一种子层。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述标记图案的厚度为0.1微米至0.5微米。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述标记图案通过粘合膜附接在所述半导体芯片的背面，其中，所述半导体芯片的背面与所述下重分布布线层相对。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述半导体芯片是第一封装件的第一半导体芯片，并且所述半导体封装件还包括：
11.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述密封构件在所述标记图案的侧表面上。
13.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述标记图案包括第一种子层和堆叠在所述第一种子层上的第二种子层。
14.根据权利要求13所述的半导体封装件，其中，所述第一种子层包括铜，而所述第二种子层包括钛。
15.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述标记图案的厚度为0.1微米至0.5微米。
16.根据权利要求11所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
17.根据权利要求16所述的半导体封装件，其中，所述种子层焊盘的上表面与所述密封构件的上表面共面或者低于所述密封构件的上表面。
18.根据权利要求16所述的半导体封装件，其中，所述密封构件在所述种子层焊盘的侧表面上。
19.根据权利要求16所述的半导体封装件，其中：
20.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述标记图案通过粘合膜附接到所述半导体芯片的所述第二表面。
