本申请主张基于2022年12月22日申请的日本专利申请第2022-205270号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。本发明涉及一种成膜装置。
背景技术：
1、作为成膜装置，如专利文献1中所记载的那样，已知一种通过离子镀法使成膜材料形成在对象物上的成膜装置。该成膜装置使用等离子枪在腔室内生成等离子体，并在腔室内使成膜材料升华。通过成膜材料附着在基板上并持续堆积，由此在该基板上生长并形成膜。
2、专利文献1：日本特开平11-279751号公报
3、在此，上述成膜装置具备使成膜材料升华的升华部。在对绝缘性材料进行成膜的情况下，这种升华部由钨等高熔点金属形成。然而，虽然通过在氧气氛下的高温加热来产生氧化钨(wo3)，但由于该氧化钨具有升华性，因此随着成膜而升华部被消耗。在以往的成膜装置中，存在由于升华部提前被消耗而导致更换频度增加这样的问题。
技术实现思路
1、因此，本发明的课题在于提供一种能够减少升华部的更换频度的成膜装置。
2、本发明所涉及的成膜装置为，通过离子镀法使成膜材料形成在对象物上，所述成膜装置具备使成膜材料升华的升华部，升华部为，对于包含选自钨、钼及钽中的至少一种的母材含有选自氧化镧、氧化铈、氧化钇及氧化钍中的至少一种的物质。
3、在本发明所涉及的成膜装置中，升华部为，对于包含选自钨、钼及钽中的至少一种的母材含有选自氧化镧、氧化铈及氧化钇中的至少一种的物质。在升华部中，由于对于母材含有是氧化物的物质，因此该物质作为氧化被膜发挥作用。因此，能够抑制母材氧化而升华。并且，在升华部中，随着消耗而不断出现新的物质的被膜，因此氧化抑制效果持续。因此，通过抑制升华部的消耗能够减少升华部的更换频度。
4、升华部可以含有1wt％以上的上述物质。此时，能够充分得到上述母材的氧化抑制效果。
5、升华部可以为存储成膜材料的容器。由于成膜材料被等离子体加热，因此作为容器的升华部也被加热，但由于在该容器中含有物质，因此能够抑制氧化。
6、升华部可以为引导等离子体的电极。虽然作为电极的升华部也被等离子体加热，但由于在该电极中含有物质，因此能够抑制氧化。
7、成膜装置具备生成等离子体的压力梯度型等离子枪，升华部具有引导等离子体的电极功能，并且由存储成膜材料的容器构成。在压力梯度型等离子枪中稳定地生成的等离子体被引导至具有电极功能的升华部。由于升华部由存储成膜材料的容器构成，因此能够随着基于等离子体的加热而对所存储的成膜材料进行加热。并且，由于在作为电极及容器的升华部中含有物质，因此能够抑制氧化。
8、发明的效果
9、根据本发明，能够提供一种能够减少升华部的更换频度的成膜装置。
1.一种成膜装置，其通过离子镀法使成膜材料形成在对象物上，其中，
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，
4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，
5.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，
