本公开涉及一种复合电子组件。
背景技术：
1、多层陶瓷电容器(mlcc，一种多层电子组件)是安装在各种电子产品(诸如包括液晶显示器(lcd)、等离子体显示面板(pdp)的成像装置、计算机、智能手机和移动电话)的印刷电路板上的片式电容器，用于在其中充电或从其放电。
2、多层陶瓷电容器由于具有小尺寸、确保高电容和容易安装，因此可用作各种电子装置的组件。随着各种电子装置(诸如计算机和移动装置)的小型化和高输出功率，对小型化和实现高电容的多层陶瓷电容器的需求不断增加。
3、多层陶瓷电容器可具有其中多个介电层与具有不同极性的内电极交替地堆叠的结构。介电层可具有压电特性和电致伸缩特性。因此，当将dc电压或ac电压施加到多层陶瓷电容器时，在内电极之间可能出现压电现象，导致振动。
4、这种振动可通过多层陶瓷电容器的外电极传递到其上安装有多层陶瓷电容器的印刷电路板，从而产生振动声音。振动声音可对应于令人不愉悦的20hz至20,000hz范围内的可听频率，令人不愉悦的振动声音被称为声学噪声。
5、最近，电子装置已经在具有高电压和电压变化大的环境中使用，因此声学噪声出现在可被用户完全识别的水平上。因此，不断出现对降低声学噪声的新产品的需求。
6、在现有技术中，已经使用具有附着到多层陶瓷电容器的下表面的al2o3基板的复合电子组件来降低声学噪声。附着到多层陶瓷电容器的下表面的al2o3基板可降低声学噪声，但是由于al2o3基板和介电层之间的热膨胀系数的差异，多层陶瓷电容器的内应力可能增大。当多层陶瓷电容器的内应力增大时，在多层陶瓷电容器中可能出现裂纹，使得可能出现灼烧缺陷等，导致致命的可靠性故障。
7、因此，需要对以下基板的结构和材料进行研究：在通过附着到多层陶瓷电容器的下表面的基板来降低声学噪声的同时能够通过抑制多层陶瓷电容器的内应力增大的副作用来提高复合电子组件的可靠性。
技术实现思路
1、本公开的一方面提供一种声学噪声降低的复合电子组件。
2、本公开的另一方面提供一种通过降低施加到多层陶瓷电容器的内应力而具有优异的可靠性的复合电子组件。
3、然而，本公开的各方面不限于在此阐述的那些，并且在描述本公开的具体示例实施例的过程中将更容易理解。
4、根据本公开的一方面，提供了一种复合电子组件，所述复合电子组件包括：多层陶瓷电容器，包括主体以及第一外电极和第二外电极，所述主体包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，所述第一外电极和所述第二外电极分别设置在所述第三表面和所述第四表面上；以及陶瓷片，包括陶瓷基板以及设置在所述陶瓷基板上并分别连接到所述第一外电极和所述第二外电极的第一端子电极和第二端子电极，所述陶瓷片设置在所述主体的所述第一表面上。所述陶瓷基板可包括mg2sio4。
5、根据本公开的示例实施例，复合电子组件的声学噪声可降低。
6、根据本公开的示例实施例，复合电子组件可通过减小施加到多层陶瓷电容器的内应力而具有优异的可靠性。
1.一种复合电子组件，包括：
2.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，所述陶瓷基板的主成分为mg2sio4。
3.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，所述陶瓷基板是mg2sio4基板。
4.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，所述介电层包括batio3。
5.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，所述陶瓷片在所述第二方向上的尺寸小于所述多层陶瓷电容器在所述第二方向上的尺寸。
6.根据权利要求1或5所述的复合电子组件，其中，所述陶瓷片在所述第三方向上的尺寸小于所述多层陶瓷电容器在所述第三方向上的尺寸。
7.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极在所述第三方向上交替设置，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。
8.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，
9.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，
10.根据权利要求9所述的复合电子组件，其中，
11.根据权利要求1所述的复合电子组件，所述复合电子组件还包括：
12.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，所述陶瓷基板包括主成分为mg2sio4的第一基板和主成分为al2o3的第二基板。
13.根据权利要求12所述的复合电子组件，其中，所述第一基板和所述第二基板沿所述第一方向布置。
14.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，所述陶瓷基板包括第一mg2sio4基板和第二al2o3基板。
15.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，所述介电层的平均厚度小于2.8μm，并且/或者所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度小于1μm。
16.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，所述介电层的平均厚度小于等于0.4μm，并且/或者所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度小于等于0.4μm。
